login_赢咖4「一家受欢迎的游戏平台」MOS管电路符号图文

MOS管(guan)电(dian)路符号图文

信息来(lai)源：本(ben)站　日期：2017-04-24　

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MOS管(guan)(guan)是(shi)金属(metal)—氧化(hua)物(wu)(oxid)—半(ban)导体(ti)(semiconductor)场效应晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)，或者称(cheng)是(shi)金属—绝缘(yuan)体(ti)(insulator)—半(ban)导体(ti)。MOS管(guan)(guan)的(de)(de)source和drain是(shi)可以对调(diao)的(de)(de)，他(ta)们(men)都是(shi)在(zai)P型(xing)backgate中形成的(de)(de)N型(xing)区(qu)。在(zai)多(duo)数(shu)情况下，这个两(liang)个区(qu)是(shi)一(yi)样的(de)(de)，即使两(liang)端对调(diao)也不会影响器件的(de)(de)性能(neng)。这样的(de)(de)器件被认为是(shi)对称(cheng)的(de)(de)。

MOS管的使用优(you)势(shi)

MOS管(guan)是(shi)电压控制元件(jian)，而晶体(ti)管(guan)是(shi)电流控制元件(jian)。在只允许从(cong)信(xin)号源取较(jiao)少电流的情况下(xia)，应选用MOS管(guan)；而在信(xin)号电压较(jiao)低(di)，又允许从(cong)信(xin)号源取较(jiao)多(duo)电流的条件(jian)下(xia)，应选用晶体(ti)管(guan)。

MOS管(guan)是利(li)用(yong)多数载流子(zi)导电，所以(yi)(yi)称之为(wei)单极(ji)型器件，而晶体管(guan)是即有多数载流子(zi)，也利(li)用(yong)少(shao)数载流子(zi)导电，被称之为(wei)双极(ji)型器件。有些MOS管(guan)的(de)源(yuan)极(ji)和漏极(ji)可(ke)以(yi)(yi)互换(huan)使用(yong)，栅压(ya)也可(ke)正可(ke)负，灵活性比晶体管(guan)好。MOS管(guan)能在很(hen)小电流和很(hen)低电压(ya)的(de)条件下(xia)工(gong)作，而且它的(de)制(zhi)造工(gong)艺(yi)可(ke)以(yi)(yi)很(hen)方便地把很(hen)多MOS管(guan)集成在一块硅片(pian)上，因此(ci)MOS管(guan)在大规模集成电路(lu)中得到(dao)了(le)广泛的(de)应用(yong)。

电路符号

常(chang)用(yong)于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常(chang)见的设计是以一条直(zhi)线代(dai)表(biao)通(tong)道，两条和通(tong)道垂直(zhi)的线代(dai)表(biao)源(yuan)极(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)，左(zuo)方和通(tong)道平(ping)行而且较短的线代(dai)表(biao)栅极(ji)，如下图所示(shi)。有时也会将代(dai)表(biao)通(tong)道的直(zhi)线以破折线代(dai)替，以区分(fen)增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。

由于集成电(dian)路(lu)芯片上的(de)(de)(de)MOSFET为(wei)(wei)(wei)四(si)端(duan)(duan)元(yuan)(yuan)件，所(suo)(suo)以(yi)除了栅(zha)极(ji)(ji)(ji)、源极(ji)(ji)(ji)、漏(lou)极(ji)(ji)(ji)外，尚有一(yi)基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)（Bulk或(huo)是Body）。MOSFET电(dian)路(lu)符号(hao)中，从通(tong)道往右延伸的(de)(de)(de)箭(jian)号(hao)方(fang)向则(ze)可表示此元(yuan)(yuan)件为(wei)(wei)(wei)N型(xing)或(huo)是P型(xing)的(de)(de)(de)MOSFET。箭(jian)头(tou)方(fang)向永(yong)远从P端(duan)(duan)指(zhi)向N端(duan)(duan)，所(suo)(suo)以(yi)箭(jian)头(tou)从通(tong)道指(zhi)向基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)端(duan)(duan)的(de)(de)(de)为(wei)(wei)(wei)P型(xing)的(de)(de)(de)MOSFET，或(huo)简称(cheng)(cheng)PMOS（代(dai)表此元(yuan)(yuan)件的(de)(de)(de)通(tong)道为(wei)(wei)(wei)P型(xing)）；反之若箭(jian)头(tou)从基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)指(zhi)向通(tong)道，则(ze)代(dai)表基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)(wei)P型(xing)，而(er)通(tong)道为(wei)(wei)(wei)N型(xing)，此元(yuan)(yuan)件为(wei)(wei)(wei)N型(xing)的(de)(de)(de)MOSFET，简称(cheng)(cheng)NMOS。在(zai)一(yi)般(ban)分布式MOSFET元(yuan)(yuan)件（discrete device）中，通(tong)常(chang)把基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)接在(zai)一(yi)起，故分布式MOSFET通(tong)常(chang)为(wei)(wei)(wei)三端(duan)(duan)元(yuan)(yuan)件。而(er)在(zai)集成电(dian)路(lu)中的(de)(de)(de)MOSFET通(tong)常(chang)因为(wei)(wei)(wei)使用同一(yi)个(ge)基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)（common bulk），所(suo)(suo)以(yi)不标(biao)示出基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)极(ji)(ji)(ji)性，而(er)在(zai)PMOS的(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)端(duan)(duan)多加一(yi)个(ge)圆圈(quan)以(yi)示区别。