login_英豪6「一家高质量的游戏平台」MOS管-如何准确区分MOS管的极-MOS管三个极详解及判定方法-KIA MOS管

MOS管(guan)-如何(he)准确区(qu)分MOS管(guan)的(de)极-MOS管(guan)三个极详解及判定方法-KIA MOS管(guan)

信息来源：本站　日期：2018-07-27　

分(fen)享(xiang)到：

MOS管概念及工作原理

怎么区分MOS管的极，首先我们了解一下是什么及它(ta)的工作(zuo)原理这些基础知识。MOS管(guan)，即(ji)在(zai)集成(cheng)电(dian)路中绝缘性场效(xiao)应管(guan)。MOS英文全称为金属-氧化物-半导(dao)体，描述了集成(cheng)电(dian)路中的结构，即(ji)：在(zai)一定结构的半导(dao)体器件上，加(jia)上二氧化硅和(he)金属，形(xing)成(cheng)栅极。MOS管(guan)的source和(he)drain是可以对(dui)调(diao)的，都是在(zai)P型backgate中形(xing)成(cheng)的N型区。

MOS管(guan)的工作原理（以N沟道增强(qiang)型MOS场效应管(guan)）它(ta)是利用VGS来控(kong)制(zhi)“感(gan)应电(dian)(dian)荷”的多(duo)少，以改变(bian)由(you)这(zhei)些(xie)“感(gan)应电(dian)(dian)荷”形(xing)成(cheng)的导电(dian)(dian)沟道的状况，然(ran)后达(da)到控(kong)制(zhi)漏极电(dian)(dian)流(liu)的目的。在(zai)制(zhi)造管(guan)子(zi)时(shi)(shi)，通(tong)过工艺使绝缘层中出(chu)现大(da)量正离子(zi)，故在(zai)交界面的另一侧能(neng)感(gan)应出(chu)较多(duo)的负电(dian)(dian)荷，这(zhei)些(xie)负电(dian)(dian)荷把高渗杂质的N区(qu)接通(tong)，形(xing)成(cheng)了导电(dian)(dian)沟道，即使在(zai)VGS=0时(shi)(shi)也有较大(da)的漏极电(dian)(dian)流(liu)ID。当栅(zha)极电(dian)(dian)压改变(bian)时(shi)(shi)，沟道内被感(gan)应的电(dian)(dian)荷量也改变(bian)，导电(dian)(dian)沟道的宽窄也随(sui)之而变(bian)，因而漏极电(dian)(dian)流(liu)ID随(sui)着栅(zha)极电(dian)(dian)压的变(bian)化(hua)而变(bian)化(hua)。

怎么区分MOS管的极

1.判断栅(zha)极G

MOS驱动器主要起波(bo)(bo)形整形和加强驱动的作用:假如(ru)MOS管的G信(xin)号波(bo)(bo)形不(bu)够陡峭(qiao)，在(zai)点(dian)评切换阶段会造成大量电(dian)(dian)能(neng)损耗其副作用是降低电(dian)(dian)路(lu)转换效率，MOS管发烧严峻，易(yi)热损坏(huai)MOS管GS间存在(zai)一定电(dian)(dian)容，假如(ru)G信(xin)号驱动能(neng)力不(bu)够，将严峻影响波(bo)(bo)形跳变的时(shi)间.

将G-S极短(duan)路，选择万(wan)用表(biao)的R×1档，黑表(biao)笔接S极，红表(biao)笔接D极，阻(zu)值应为几欧至十几欧。若(ruo)发现(xian)某(mou)脚与其字(zi)两脚的电阻(zu)均呈无(wu)限大，并且交换表(biao)笔后仍为无(wu)限大，则证实(shi)此脚为G极，由(you)于它和另(ling)外两个管脚是绝(jue)缘的。

2.判断(duan)源极(ji)S、漏极(ji)D

将(jiang)万用(yong)表拨至R×1k档分别丈量三(san)个管脚之间(jian)的电(dian)阻(zu)。用(yong)交换表笔法(fa)测(ce)两次(ci)(ci)电(dian)阻(zu)，其中电(dian)阻(zu)值较低(di)（一(yi)般为几(ji)千欧至十(shi)几(ji)千欧）的一(yi)次(ci)(ci)为正向电(dian)阻(zu)，此时黑表笔的是S极，红表笔接(jie)D极。因为测(ce)试前提(ti)不同，测(ce)出的RDS（on）值比(bi)手册(ce)中给出的典型(xing)值要高一(yi)些。

3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）

在源(yuan)-漏(lou)之间有一(yi)个(ge)PN结(jie)，因此根据PN结(jie)正、反向电(dian)阻存在差(cha)异，可识别S极(ji)与D极(ji)。例如用500型万(wan)用表R×1档实(shi)测一(yi)只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

怎么区分MOS管的极

区分MOS管极的方法步骤

1、MOS管符号上的三(san)个脚的辨认(ren)要抓(zhua)住关(guan)键地方。G极(ji)(ji)，不(bu)用(yong)说比(bi)较好认(ren)。S极(ji)(ji)，不(bu)论是(shi)P沟(gou)道(dao)还(hai)是(shi)N沟(gou)道(dao)，两(liang)根线相交的就(jiu)是(shi)；D极(ji)(ji)，不(bu)论是(shi)P沟(gou)道(dao)还(hai)是(shi)N沟(gou)道(dao)，是(shi)单独引(yin)线的那(nei)边。

怎么区分MOS管的极

2、他们是(shi)N沟道还是(shi)P沟道？

三个(ge)脚的极(ji)性判(pan)(pan)(pan)断完(wan)后，接下就该判(pan)(pan)(pan)断是(shi)P沟(gou)道(dao)还是(shi)N沟(gou)道(dao)了：当然也可以先判(pan)(pan)(pan)断沟(gou)道(dao)类(lei)型，再(zai)判(pan)(pan)(pan)断三个(ge)脚极(ji)性。先判(pan)(pan)(pan)断是(shi)什么沟(gou)道(dao)，再(zai)判(pan)(pan)(pan)断三个(ge)脚极(ji)性。

怎么区分MOS管的极

3、寄生二极管的方(fang)向如何判(pan)定？

接(jie)下来，是寄生(sheng)二(er)极(ji)管的方向(xiang)判断(duan)：它的判断(duan)规则就(jiu)是：N沟道(dao)，由(you)S极(ji)指向(xiang)D极(ji)；P沟道(dao)，由(you)D极(ji)指向(xiang)S极(ji)。

怎么区分MOS管的极

4、简单(dan)的(de)(de)判断方法(fa)，上面(mian)方法(fa)不(bu)太好记，一个简单(dan)的(de)(de)识别方法(fa)是(shi)：想像DS边的(de)(de)三节断续线是(shi)连通的(de)(de)）不(bu)论N沟道(dao)还是(shi)P沟道(dao)MOS管(guan)，中间衬底箭(jian)头方向和(he)寄(ji)生(sheng)二极(ji)管(guan)的(de)(de)箭(jian)头方向总(zong)是(shi)一致的(de)(de)：要么都(dou)由S指向D，要么都(dou)由D指向S。

怎么区分MOS管的极