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场效应管的参数

① 开启电压VGS(th) (或VT)

开启(qi)电压(ya)是(shi)MOS增(zeng)强(qiang)型管的(de)参(can)数，栅(zha)源(yuan)电压(ya)小于开启(qi)电压(ya)的(de)绝(jue)对值，场效应(ying)管不能导通

② 夹断电压VGS(off) (或VP)

夹断电(dian)压是耗尽型(xing)FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电(dian)流为零(ling)

③ 饱和漏极电流(liu)IDSS

耗尽型场效(xiao)应三(san)极管(guan)，当VGS=0时(shi)所对应的漏极电流

④ 输入电阻RGS

场效(xiao)应(ying)三极管的栅源输入电阻的典型(xing)值，对(dui)于结型(xing)场效(xiao)应(ying)三极管，反偏(pian)时(shi)RGS约大于107Ω，对(dui)于绝缘栅场型(xing)效(xiao)应(ying)三极管，RGS约是109～1015Ω

⑤ 低频跨导gm

低频跨导反映了栅压对漏(lou)极(ji)电(dian)流的控制(zhi)作(zuo)用(yong)，这一(yi)点与电(dian)子管的控制(zhi)作(zuo)用(yong)十分(fen)相像。gm可以(yi)在转移特性曲线(xian)上(shang)求取，单(dan)位是mS(毫西门(men)子)

⑥ 最大漏极功(gong)耗PDM

最(zui)大漏极功耗可(ke)由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当

P沟道MOS管型号

N沟道MOS管部分型号

P沟道MOS管工作原理

金属氧(yang)化物(wu)半导(dao)体场(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(MOS)晶(jing)体管可(ke)分(fen)为N沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)与P沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)两(liang)大类， P沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)硅(gui)MOS场(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应晶(jing)体管在(zai)N型(xing)硅(gui)衬(chen)底上有两(liang)个P+区，分(fen)别叫做(zuo)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)(ji)(ji)，两(liang)极(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)间不(bu)通导(dao)，柵(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)上加有足够的(de)正电压(源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)接(jie)地(di))时，柵(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)下的(de)N型(xing)硅(gui)表面呈(cheng)现P型(xing)反型(xing)层，成为衔接(jie)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)。改动栅压可(ke)以(yi)改动沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)中的(de)电子密度，从(cong)而改动沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)的(de)电阻(zu)。这种MOS场(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应晶(jing)体管称为P沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)增强型(xing)场(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应晶(jing)体管。假设N型(xing)硅(gui)衬(chen)底表面不(bu)加栅压就(jiu)已存在(zai)P型(xing)反型(xing)层沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)，加上恰当的(de)偏压，可(ke)使沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)的(de)电阻(zu)增大或减小。这样的(de)MOS场(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应晶(jing)体管称为P沟(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)耗(hao)尽型(xing)场(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应晶(jing)体管。统称为PMOS晶(jing)体管。

P沟(gou)道MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)空穴迁移率(lv)低(di)，因而在(zai)MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)几何尺寸和工(gong)(gong)作(zuo)(zuo)电(dian)(dian)(dian)压绝对(dui)值(zhi)(zhi)相等(deng)的(de)情况下(xia)，PMOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)跨导小于N沟(gou)道MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)。此外，P沟(gou)道MOS晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)阈值(zhi)(zhi)电(dian)(dian)(dian)压的(de)绝对(dui)值(zhi)(zhi)普通(tong)偏(pian)高(gao)，恳求有较高(gao)的(de)工(gong)(gong)作(zuo)(zuo)电(dian)(dian)(dian)压。它的(de)供电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)源的(de)电(dian)(dian)(dian)压大(da)小和极性，与双(shuang)极型晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)——晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)逻(luo)辑电(dian)(dian)(dian)路(lu)不(bu)兼容。PMOS因逻(luo)辑摆幅大(da)，充电(dian)(dian)(dian)放(fang)电(dian)(dian)(dian)过程长，加之器件跨导小，所(suo)以(yi)工(gong)(gong)作(zuo)(zuo)速度更低(di)，在(zai)NMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)(见N沟(gou)道金属—氧化(hua)物—半导体(ti)(ti)集(ji)成电(dian)(dian)(dian)路(lu))呈现之后，多数已为NMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)所(suo)取代。只是(shi)(shi)，因PMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)工(gong)(gong)艺简(jian)单，价钱低(di)价，有些中(zhong)范围和小范围数字控制电(dian)(dian)(dian)路(lu)仍采用(yong)PMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)技术。PMOS的(de)特性，Vgs小于一(yi)定的(de)值(zhi)(zhi)就会导通(tong)，适宜用(yong)于源极接VCC时的(de)情况（高(gao)端(duan)驱(qu)动）。但是(shi)(shi)，固(gu)然PMOS可以(yi)很便当地用(yong)作(zuo)(zuo)高(gao)端(duan)驱(qu)动，但由于导通(tong)电(dian)(dian)(dian)阻大(da)，价钱贵，交流种类少等(deng)缘由，在(zai)高(gao)端(duan)驱(qu)动中(zhong)，通(tong)常还是(shi)(shi)运用(yong)NMOS。

正常(chang)工(gong)作时，P沟道(dao)(dao)增强(qiang)型MOS管的(de)(de)衬(chen)底必需与(yu)源(yuan)极(ji)相(xiang)连，而(er)漏心极(ji)的(de)(de)电(dian)压Vds应为(wei)负(fu)值，以(yi)保证两(liang)个(ge)P区(qu)与(yu)衬(chen)底之间的(de)(de)PN结(jie)均(jun)为(wei)反(fan)偏，同时为(wei)了在衬(chen)底顶表面(mian)左近构成导(dao)电(dian)沟道(dao)(dao)，栅极(ji)对源(yuan)极(ji)的(de)(de)电(dian)压Vgs也应为(wei)负(fu)。

1．Ｖds≠Ｏ的(de)(de)情(qing)况导(dao)电(dian)沟道构(gou)成以(yi)后，ＤＳ间加负向(xiang)电(dian)压时，那么在(zai)源极与漏(lou)极之间将有漏(lou)极电(dian)流Ｉd流通(tong)，而且Ｉd随Vds而增(zeng)加．Ｉd沿沟道产生的(de)(de)压降使沟道上各点与栅极间的(de)(de)电(dian)压不再相等，该电(dian)压削(xue)弱了(le)栅极中负电(dian)荷(he)电(dian)场的(de)(de)作用(yong)，使沟道从漏(lou)极到(dao)源极逐渐变窄．当Ｖds增(zeng)大到(dao)使Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在(zai)漏(lou)极左近(jin)呈现(xian)预夹断．

2．导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)(dao)的(de)(de)(de)(de)构(gou)成(cheng)（Ｖds＝0）当Vds=0时，在栅源之间(jian)加负电(dian)(dian)压(ya)Vgs，由于绝(jue)缘(yuan)层(ceng)的(de)(de)(de)(de)存(cun)在，故没有电(dian)(dian)流，但是金属栅极(ji)被(bei)补充电(dian)(dian)而聚集负电(dian)(dian)荷，Ｎ型半导(dao)体中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)子电(dian)(dian)子被(bei)负电(dian)(dian)荷排斥(chi)向(xiang)体内运动，表面留下带(dai)正电(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)离子，构(gou)成(cheng)耗(hao)(hao)尽(jin)(jin)层(ceng)，随(sui)着Ｇ、Ｓ间(jian)负电(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)(de)(de)增加，耗(hao)(hao)尽(jin)(jin)层(ceng)加宽(kuan)(kuan)，当Vgs增大到(dao)一(yi)(yi)定值时，衬(chen)(chen)底中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)空穴(xue)（少(shao)子）被(bei)栅极(ji)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)负电(dian)(dian)荷吸收到(dao)表面，在耗(hao)(hao)尽(jin)(jin)层(ceng)和(he)绝(jue)缘(yuan)层(ceng)之间(jian)构(gou)成(cheng)一(yi)(yi)个Ｐ型薄层(ceng)，称(cheng)(cheng)反(fan)(fan)型层(ceng)，这个反(fan)(fan)型层(ceng)就(jiu)构(gou)成(cheng)漏(lou)源之间(jian)的(de)(de)(de)(de)导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)(dao)，这时的(de)(de)(de)(de)Ｖgs称(cheng)(cheng)为开启(qi)电(dian)(dian)压(ya)Vgs（th），Vgs到(dao)Vgs（th）后再增加，衬(chen)(chen)底表面感应的(de)(de)(de)(de)空穴(xue)越多(duo)(duo)，反(fan)(fan)型层(ceng)加宽(kuan)(kuan)，而耗(hao)(hao)尽(jin)(jin)层(ceng)的(de)(de)(de)(de)宽(kuan)(kuan)度却不再变(bian)化(hua)，这样我们可以用(yong)Vgs的(de)(de)(de)(de)大小(xiao)控(kong)制(zhi)导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)(dao)的(de)(de)(de)(de)宽(kuan)(kuan)度。

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