MOSFET管是(shi)FET的一种(zhong)（另一种(zhong)是(shi)JFET），可(ke)以被制(zhi)造成增(zeng)强型(xing)或(huo)(huo)耗(hao)尽(jin)型(xing)，P沟(gou)道(dao)或(huo)(huo)N...MOSFET管是(shi)FET的一种(zhong)（另一种(zhong)是(shi)JFET），可(ke)以被制(zhi)造成增(zeng)强型(xing)或(huo)(huo)耗(hao)尽(jin)型(xing)，P沟(gou)道(dao)或(huo)(huo)N沟(gou)道(dao)共4种(zhong)类型(xing)，但(dan)实际应用(yong)的只(zhi)有增(zeng)强型(xing)的N沟(gou)道(dao)MOS管型(xing)号和(he)增(zeng)强型(xing)的P沟(gou)道(dao)MOS管型(xing)号，...
通(tong)(tong)常(chang)用(yong)(yong)于(yu)较高(gao)频(pin)(pin)率的整流和续流的产(chan)品(pin)。 用(yong)(yong)于(yu)电(dian)源模(mo)块的输(shu)入(ru)(ru)部(bu)份，频(pin)(pin)率不...通(tong)(tong)常(chang)用(yong)(yong)于(yu)较高(gao)频(pin)(pin)率的整流和续流的产(chan)品(pin)。 用(yong)(yong)于(yu)电(dian)源模(mo)块的输(shu)入(ru)(ru)部(bu)份，频(pin)(pin)率不高(gao)，不必用(yong)(yong)快恢复二(er)极(ji)管，用(yong)(yong)普(pu)通(tong)(tong)二(er)极(ji)管即可。 相对二(er)极(ji)管来说，加在(zai)其两端(duan)...
KIA半导(dao)体(ti)专业(ye)研发生(sheng)产MOS管(guan)(guan)场效(xiao)应管(guan)(guan)厂家KIA半导(dao)体(ti)专业(ye)研发生(sheng)产MOS管(guan)(guan)场效(xiao)应管(guan)(guan)厂家
KIA半导体(ti)场效(xiao)(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)（Field Effect Transistor缩写(xie)（FET））简(jian)称场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。...KIA半导体(ti)场效(xiao)(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)（Field Effect Transistor缩写(xie)（FET））简(jian)称场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。由多数载流(liu)子(zi)参与导电(dian)， 也称为单极型(xing)晶体(ti)管(guan)(guan)。它属(shu)于电(dian)压控制型(xing)半导体(ti)...
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如何取舍好MOS管(guan) 第一(yi)步是(shi)决(jue)议采纳N沟(gou)道还(hai)是(shi)P沟(gou)道MOS管(guan)。正在垂范的功(gong)...如何取舍好MOS管(guan) 第一(yi)步是(shi)决(jue)议采纳N沟(gou)道还(hai)是(shi)P沟(gou)道MOS管(guan)。正在垂范的功(gong)率使用中，当一(yi)度MOS管(guan)接地，而负载(zai)联接到支线电压上时，该MOS管(guan)就构 成(cheng)了高(gao)压侧电...
