MOS管怎(zen)么检(jian)测好坏(huai)

mos管(guan)是(shi)金属—氧化物-半导(dao)体(ti)(ti)场效应晶体(ti)(ti)管(guan)，或者称是(shi)金属—绝缘体(ti)(ti)—半导(dao)体(ti)(ti)。MOS管(guan)的(de)source和drain是(shi)可以(yi)对(dui)调的(de)，他们都是(shi)在(zai)P型backgate中形成的(de)N型区(qu)。在(zai)多数情况下，这个(ge)两个(ge)区(qu)是(shi)一样的(de)，即使两端对(dui)调也不会影响器件(jian)的(de)性能。这样的(de)器件(jian)被认为是(shi)对(dui)称的(de)。双极型晶体管(guan)把输(shu)(shu)(shu)入端(duan)电(dian)流的(de)(de)(de)微小变(bian)化(hua)放大(da)后(hou)，在(zai)输(shu)(shu)(shu)出端(duan)输(shu)(shu)(shu)出一(yi)(yi)个大(da)的(de)(de)(de)电(dian)流变(bian)化(hua)。双极型晶体管(guan)的(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)益就定义(yi)为输(shu)(shu)(shu)出输(shu)(shu)(shu)入电(dian)流之(zhi)比（beta）。另一(yi)(yi)种晶体管(guan)，叫(jiao)做场效应(ying)管(guan)（FET），把输(shu)(shu)(shu)入电(dian)压(ya)的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)转化(hua)为输(shu)(shu)(shu)出电(dian)流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)。FET的(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)益等(deng)于它(ta)的(de)(de)(de)transconductance，定义(yi)为输(shu)(shu)(shu)出电(dian)流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)和输(shu)(shu)(shu)入电(dian)压(ya)变(bian)化(hua)之(zhi)比。市面上常有的(de)(de)(de)一(yi)(yi)般为N沟(gou)道和P沟(gou)道，以下(xia)为N沟(gou)道和P沟(gou)道符(fu)号。

MOS管怎么检测好坏

用指针式万用表对MOS管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根(gen)据场效应管的PN结(jie)正、反(fan)向电阻值不(bu)一样的现象，可(ke)以判别出结(jie)型场效应管的三个电极。

具体方法(fa)：将万用表(biao)拨在R×1k档上，任(ren)选两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，分别(bie)测(ce)出(chu)其(qi)正(zheng)、反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当某两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)正(zheng)、反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)相等(deng)，且为(wei)(wei)几千欧姆时，则(ze)该两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)是(shi)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。因为(wei)(wei)对结(jie)型场效(xiao)应管而言(yan)，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)可(ke)(ke)互换，剩下的(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)肯定是(shi)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G。也可(ke)(ke)以将万用表(biao)的(de)黑(hei)表(biao)笔(bi)(红表(biao)笔(bi)也行)任(ren)意接(jie)(jie)触一个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，另一只表(biao)笔(bi)依(yi)次(ci)去接(jie)(jie)触其(qi)余的(de)两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，测(ce)其(qi)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当出(chu)现两(liang)(liang)次(ci)测(ce)得的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)近似(si)相等(deng)时，则(ze)黑(hei)表(biao)笔(bi)所接(jie)(jie)触的(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，其(qi)余两(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)为(wei)(wei)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若两(liang)(liang)次(ci)测(ce)出(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均(jun)很大，说明是(shi)PN结(jie)的(de)反向(xiang)(xiang)，即都是(shi)反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，可(ke)(ke)以判(pan)定是(shi)N沟道(dao)场效(xiao)应管，且黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)是(shi)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji);若两(liang)(liang)次(ci)测(ce)出(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均(jun)很小(xiao)，说明是(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)PN结(jie)，即是(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，判(pan)定为(wei)(wei)P沟道(dao)场效(xiao)应管，黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)也是(shi)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若不出(chu)现上述(shu)情况，可(ke)(ke)以调(diao)换黑(hei)、红表(biao)笔(bi)按上述(shu)方法(fa)进行测(ce)试，直到判(pan)别(bie)出(chu)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法(fa)检测MOS管(guan)(guan)是用万用表测量场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)的源极(ji)(ji)与(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)、栅极(ji)(ji)与(yu)(yu)源极(ji)(ji)、栅极(ji)(ji)与(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)、栅极(ji)(ji)G1与(yu)(yu)栅极(ji)(ji)G2之间的电阻值(zhi)(zhi)同(tong)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)手册标明的电阻值(zhi)(zhi)是否相符去(qu)判(pan)别管(guan)(guan)的好(hao)坏。

具体方法(fa)：首先(xian)将万用表置(zhi)于(yu)(yu)R×10或R×100档，测(ce)(ce)量(liang)源极S与漏极D之间的(de)电阻(zu)，通(tong)常(chang)在(zai)几(ji)十欧(ou)到几(ji)千欧(ou)范围(在(zai)手(shou)册中(zhong)可(ke)(ke)知，各(ge)种不同(tong)型号的(de)管(guan)，其电阻(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)各(ge)不相同(tong)的(de))，如果测(ce)(ce)得阻(zu)值(zhi)(zhi)大(da)(da)于(yu)(yu)正常(chang)值(zhi)(zhi)，可(ke)(ke)能(neng)是(shi)(shi)由于(yu)(yu)内部接(jie)触(chu)不良(liang);如果测(ce)(ce)得阻(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)无穷(qiong)大(da)(da)，可(ke)(ke)能(neng)是(shi)(shi)内部断(duan)极。然后把(ba)万用表置(zhi)于(yu)(yu)R×10k档，再(zai)测(ce)(ce)栅(zha)极G1与G2之间、栅(zha)极与源极、栅(zha)极与漏极之间的(de)电阻(zu)值(zhi)(zhi)，当测(ce)(ce)得其各(ge)项电阻(zu)值(zhi)(zhi)均(jun)为无穷(qiong)大(da)(da)，则(ze)说明(ming)管(guan)是(shi)(shi)正常(chang)的(de);若(ruo)(ruo)测(ce)(ce)得上述各(ge)阻(zu)值(zhi)(zhi)太小(xiao)或为通(tong)路(lu)，则(ze)说明(ming)管(guan)是(shi)(shi)坏的(de)。要注意，若(ruo)(ruo)两个栅(zha)极在(zai)管(guan)内断(duan)极，可(ke)(ke)用元件代换法(fa)进行(xing)检测(ce)(ce)。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体(ti)方(fang)法(fa)：用(yong)万用(yong)表(biao)(biao)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)R×100档，红(hong)表(biao)(biao)笔接源(yuan)(yuan)极(ji)S，黑表(biao)(biao)笔接漏(lou)极(ji)D，给场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)加上(shang)1.5V的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压，此时表(biao)(biao)针(zhen)指示(shi)出的(de)(de)漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)间的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)值。然后(hou)用(yong)手(shou)捏(nie)住(zhu)结型场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)栅极(ji)G，将人体(ti)的(de)(de)感应(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压信号加到(dao)栅极(ji)上(shang)。这样，由于管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)(da)作用(yong)，漏(lou)源(yuan)(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压VDS和(he)漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流Ib都(dou)要发生变化，也就是漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)间电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)发生了(le)变化，由此可以观察到(dao)表(biao)(biao)针(zhen)有较(jiao)(jiao)(jiao)大(da)(da)幅(fu)度的(de)(de)摆(bai)动。如果(guo)手(shou)捏(nie)栅极(ji)表(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动较(jiao)(jiao)(jiao)小，说(shuo)明(ming)(ming)(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)(da)能力(li)(li)较(jiao)(jiao)(jiao)差(cha);表(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动较(jiao)(jiao)(jiao)大(da)(da)，表(biao)(biao)明(ming)(ming)(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大(da)(da)能力(li)(li)大(da)(da);若表(biao)(biao)针(zhen)不动，说(shuo)明(ming)(ming)(ming)管(guan)(guan)是坏的(de)(de)。

根据上述(shu)方法，我们用万用表的(de)R×100档，测(ce)结(jie)型场(chang)效应管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)G极开路，测(ce)得(de)漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住(zhu)G极后，表针(zhen)向左摆动，指(zhi)示的(de)电阻RDS为12kΩ，表针(zhen)摆动的(de)幅度(du)较大(da)(da)，说(shuo)明该管(guan)是好(hao)的(de)，并有较大(da)(da)的(de)放(fang)大(da)(da)能力。

（4）用测电阻法判别无标志的场效应管

首先(xian)(xian)用测(ce)(ce)量电(dian)阻的(de)(de)(de)方法检测(ce)(ce)MOS管(guan)得找出两(liang)个(ge)有电(dian)阻值的(de)(de)(de)管(guan)脚(jiao)，也(ye)就是源极(ji)(ji)S和(he)漏极(ji)(ji)D，余下两(liang)个(ge)脚(jiao)为(wei)(wei)第一栅极(ji)(ji)G1和(he)第二栅极(ji)(ji)G2。把先(xian)(xian)用两(liang)表(biao)笔(bi)测(ce)(ce)的(de)(de)(de)源极(ji)(ji)S与漏极(ji)(ji)D之间的(de)(de)(de)电(dian)阻值记下来，对调表(biao)笔(bi)再(zai)测(ce)(ce)量一次，把其测(ce)(ce)得电(dian)阻值记下来，两(liang)次测(ce)(ce)得阻值较大(da)的(de)(de)(de)一次，黑表(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)电(dian)极(ji)(ji)为(wei)(wei)漏极(ji)(ji)D;红(hong)(hong)表(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)为(wei)(wei)源极(ji)(ji)S。用这种(zhong)方法判别出来的(de)(de)(de)S、D极(ji)(ji)，还可以用估测(ce)(ce)其管(guan)的(de)(de)(de)放大(da)能力的(de)(de)(de)方法进行验证(zheng)，即放大(da)能力大(da)的(de)(de)(de)黑表(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)是D极(ji)(ji);红(hong)(hong)表(biao)笔(bi)所接(jie)地是8极(ji)(ji)，两(liang)种(zhong)方法检测(ce)(ce)结(jie)果均应(ying)一样。当确定了漏极(ji)(ji)D、源极(ji)(ji)S的(de)(de)(de)位置后，按D、S的(de)(de)(de)对应(ying)位置装人电(dian)路，一般(ban)G1、G2也(ye)会(hui)依次对准位置，这就确定了两(liang)个(ge)栅极(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)(de)位置，从而就确定了D、S、G1、G2管(guan)脚(jiao)的(de)(de)(de)顺序。

（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对(dui)VMOSN沟(gou)道增强型场效(xiao)应管测量跨导(dao)(dao)性能时，可用红表笔接源极(ji)S、黑表笔接漏极(ji)D，这就相当于(yu)在源、漏极(ji)之间加了(le)一个反(fan)向电(dian)(dian)压。此(ci)时栅(zha)极(ji)是(shi)开路的(de)，管的(de)反(fan)向电(dian)(dian)阻值是(shi)很不(bu)稳定的(de)。将万(wan)用表的(de)欧姆档选在R×10kΩ的(de)高(gao)阻档，此(ci)时表内电(dian)(dian)压较(jiao)高(gao)。当用手接触(chu)栅(zha)极(ji)G时，会发现管的(de)反(fan)向电(dian)(dian)阻值有(you)明显地变(bian)(bian)化(hua)，其变(bian)(bian)化(hua)越(yue)大(da)，说明管的(de)跨导(dao)(dao)值越(yue)高(gao);如(ru)果(guo)被测管的(de)跨导(dao)(dao)很小，用此(ci)法测时，反(fan)向阻值变(bian)(bian)化(hua)不(bu)大(da)。

（6）管脚测定MOS管好坏

①栅(zha)极G的测定：用(yong)万用(yong)表(biao)R&TImes;100档，测任(ren)意两脚之间正反向电阻，若其中某次(ci)测得电阻为数百Ω），该两脚是(shi)D、S，第(di)三脚为G。

②漏极(ji)D、源极(ji)S及类型判(pan)定：用万用表(biao)(biao)(biao)R&TImes;10kΩ档(dang)测D、S问正反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)，正向电(dian)(dian)阻(zu)约为0.2&TImes;10kΩ，反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)（5一∞）X100kΩ。在测反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)时(shi)，红表(biao)(biao)(biao)笔不动，黑表(biao)(biao)(biao)笔脱离引(yin)脚后(hou)，与G碰(peng)一下，然后(hou)回去(qu)再接原引(yin)脚，出现(xian)两种情况：

a．若读(du)数由原来较大(da)值变为0（0&TImes;10kΩ），则红表(biao)笔所接为S，黑表(biao)笔为D。用黑表(biao)笔接触(chu)G有(you)效，使MOS管D、S间正反向电(dian)阻值均(jun)为0Ω，还可证明该(gai)管为N沟道。

b．若(ruo)读(du)数仍(reng)为(wei)(wei)较(jiao)大值，黑(hei)表笔不动(dong)，改用红表笔接(jie)触(chu)G，碰一下之后立(li)即回到原脚，此时若(ruo)读(du)数为(wei)(wei)0Ω，则黑(hei)表笔接(jie)的是S极、红表笔为(wei)(wei)D极，用红表笔接(jie)触(chu)G极有(you)效，该(gai)MOS管为(wei)(wei)P沟道。

MOS管怎么检测好坏