KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管

国产MOS管KIA3308A代替HY3008B

下文将会详细的介绍国产(chan)MOS管(guan)KIA3308A和(he)HY3008B两(liang)个产(chan)品的主要参数、封(feng)装、应用(yong)领域等产(chan)品信息。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场(chang)效应管(guan)(MOSFET)、快速恢复二极管(guan)、三端稳压管(guan)开发设计，集(ji)研发、生产(chan)和(he)销售(shou)为(wei)一体的国家高新技术企(qi)业。

已(yi)经拥(yong)有了独(du)立的研(yan)发(fa)中心，研(yan)发(fa)人员以(yi)来自韩国(台湾)超一流(liu)团队(dui)，可以(yi)快速(su)根据客(ke)户(hu)应用领(ling)域(yu)的个性(xing)来设计(ji)方(fang)案，同时引进(jin)多台国外先(xian)进(jin)设备，业务(wu)含(han)括功率器件的直流(liu)参数检测、雪(xue)崩能量检测、可靠(kao)性(xing)实验、系(xi)统分(fen)析(xi)、失(shi)效分(fen)析(xi)等(deng)领(ling)域(yu)。

强大的研发平台，使得KIA在工艺(yi)制造、产品设计(ji)方面拥有知(zhi)识产权35项，并(bing)掌握多项场效应(ying)管(guan)核心(xin)制造技术。自(zi)主研发已经(jing)成为了企(qi)业的核心(xin)竞争(zheng)力。

从设计研发到制造(zao)再到仓储物流，KIA半导体真正实(shi)现了(le)一体化的(de)(de)服务(wu)链，真正做到了(le)服务(wu)细(xi)节全到位(wei)的(de)(de)品(pin)牌内(nei)涵，我(wo)们致力(li)于成为场效应管（MOSFET）功率(lv)器件(jian)领域的(de)(de)领跑者(zhe)，为了(le)这个(ge)目标，KIA半导体正在持续创新(xin)，永不止步！

国产MOS管KIA3308A产品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供无(wu)铅环保设备

降低导电(dian)损耗的低RD值

高雪崩电流

国产MOS管KIA3308A应用领域

电力(li)供应

直流变换(huan)器

国产MOS管KIA3308A封装

国产MOS管KIA3308A主要参数

型(xing)号：KIA3308A

电流：80A

电压：80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25

脉冲漏电流：340A

雪(xue)崩电流(liu):20A

雪崩能(neng)源:410MJ

KIA3308A产品规格书

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KIA3308A代替HY3008B-HY3008B产品主要参数

电流：100A

电压：80V

漏源(yuan)极电压:80V

栅源电压:±25

二极管连续正向电流:100A

漏极击穿电压：80V

栅(zha)极(ji)电阻：1.0?

HY3008B封装图

HY3008B产品规格书

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