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整流二极管的根本构造是 PN 结 （ P 型半导体和 N 型半导体联系后 ， 在两者的联系而构成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结）。在 PN 结的空间电荷内 ，电子元(yuan)件势能发生了变化 ，电子要从 N 区到 P 区有必要越过一个能量高坡 （ 通常称为势垒） ，因而又把空间电荷区称为势垒区 。

当PN结加正(zheng)向电(dian)压时，势垒降(jiang)低，呈现低电(dian)阻(zu)，具有较大的(de)正(zheng)向分(fen)散(san)电(dian)流，称该(gai)状况(kuang)为(wei)正(zheng)导游通状况(kuang)。当PN结加反(fan)向电(dian)压时，势垒增(zeng)加，呈现高电(dian)阻(zu)，具有很小的(de)反(fan)向漂移(yi)电(dian)流 ，称该(gai)状况(kuang)为(wei)反(fan)向阻(zu)断(duan)状况(kuang) ，此刻 PN 结处于反(fan)向偏置状况(kuang)。

整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)是面触摸型(xing)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)，结面积(ji)较(jiao)大(da)，能接(jie)受较(jiao)大(da)的(de)(de)(de)正向(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)流(liu)和较(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)压，功(gong)能比较(jiao)稳(wen)定，首要用(yong)在把沟通电(dian)(dian)(dian)变换成(cheng)直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)整(zheng)(zheng)流(liu)电(dian)(dian)(dian)路中。整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)结电(dian)(dian)(dian)容较(jiao)大(da) ，因而它(ta)不(bu)宜作(zuo)(zuo)业在高(gao)频电(dian)(dian)(dian)路中 。整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)用(yong)半导体(ti)或硅(gui)等资料制(zhi)成(cheng) ，具有(you)显着的(de)(de)(de)单导游电(dian)(dian)(dian)性。硅(gui)整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)击穿(chuan)电(dian)(dian)(dian)压高(gao)，反向(xiang)(xiang)(xiang)漏电(dian)(dian)(dian)流(liu)小，高(gao)温功(gong)能杰(jie)出。通常(chang)高(gao)压大(da)功(gong)率整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)都用(yong)高(gao)纯(chun)单晶(jing)硅(gui)制(zhi)作(zuo)(zuo)（掺杂(za)较(jiao)多时简单反向(xiang)(xiang)(xiang)击穿(chuan)）。整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)有(you)金(jin)属和塑料两种封装。整(zheng)(zheng)流(liu)二(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)首要技术参数包含最(zui)大(da)整(zheng)(zheng)流(liu)电(dian)(dian)(dian)流(liu) 、最(zui)大(da)反向(xiang)(xiang)(xiang)作(zuo)(zuo)业电(dian)(dian)(dian)压、反向(xiang)(xiang)(xiang)饱和电(dian)(dian)(dian)流(liu)最(zui)高(gao)作(zuo)(zuo)业频率及反向(xiang)(xiang)(xiang)恢复时间等 。

(1）最(zui)大(da)整流(liu)电(dian)(dian)流(liu)IF指(zhi)整流(liu)二(er)(er)极(ji)管(guan)长(zhang)期接连作业时(shi)答应经过整流(liu)二(er)(er)极(ji)管(guan)的(de)最(zui)大(da)正(zheng)向均匀电(dian)(dian)流(liu)。族电(dian)(dian)流(liu)由(you)PN结的(de)结面(mian)积和散(san)热(re)条件决议。作业时(shi)，经过整流(liu)二(er)(er)极(ji)管(guan)的(de)均匀电(dian)(dian)流(liu) 不能超越(yue)IF并：要(yao)满意散(san)热(re)条件，不然整流(liu)二(er)(er)极(ji)管(guan)会因(yin)过热(re)而焚(fen)毁。

(2）最(zui)大反(fan)(fan)(fan)向(xiang)1作业(ye)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)URM：指(zhi)整流(liu)二(er)极管(guan)在(zai)正常(chang)作业(ye)时所能接受的(de)最(zui)大反(fan)(fan)(fan)向(xiang)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)值。URM通常(chang)取反(fan)(fan)(fan)向(xiang)击穿电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)1/2-1/3。反(fan)(fan)(fan)向(xiang)击穿电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)是(shi)指(zhi)给(ji)整流(liu)二(er)极管(guan)加反(fan)(fan)(fan)向(xiang)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)使整流(liu)二(er)极管(guan)击穿时的(de)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)值。超越(yue)此值，则反(fan)(fan)(fan)向(xiang)电(dian)(dian)流(liu)/R剧增，整流(liu)二(er)极管(guan)的(de)单(dan)导(dao)游电(dian)(dian)穿。为了二(er)极管(guan)的(de)安全作业(ye)，实(shi)际的(de)反(fan)(fan)(fan)向(xiang)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)不能大于(yu)Ua,,.并且赋(fu)有余(yu)量(liang)。例(li)如(ru)，1N4001 的(de)URM 为 50V,   lN似(si))2     1N4砌(qi) 的(de) URK 分别为 IOOV 、200V 、

(3）反(fan)向饱和电流(liu)IR：指整(zheng)流(liu)二(er)(er)极管(guan)在常温下接(jie)受最(zui)高(gao)反(fan)向作业电压时(shi)的(de)反(fan)向漏电流(liu)。反(fan)向电流(liu)通常很小(xiao)，在反(fan)向击(ji)穿前巨细根本不变，近似等于反(fan)向饱和电流(liu)。通常在室(shi)温下硅(gui)管(guan)的(de)IR 为 l μ.A，乃至更(geng)小(xiao)，睹管(guan)的(de)IR为几十至几百微安。该值越小(xiao)，整(zheng)流(liu)二(er)(er)极管(guan)的(de)单导游(you)电件(jian)越好，但该值受温度(du)(du)影响较大，当温度(du)(du)fl高(gao)时(shi)，显著增(zeng)大。

(4）最高(gao)作(zuo)业(ye)(ye)频(pin)率fM：指整(zheng)流(liu)二(er)极管(guan)坚持出作(zuo)业(ye)(ye)特(te)性的(de)(de)最高(gao)作(zuo)业(ye)(ye)频(pin)率。整(zheng)流(liu)二(er)极管(guan)的(de)(de)作(zuo)业(ye)(ye)频(pin)率与PN结的(de)(de)结电(dian)(dian)(dian)容(rong)有关，结电(dian)(dian)(dian)容(rong)容(rong)量越(yue)小，整(zheng)流(liu)二(er)极管(guan)答应的(de)(de)最高(gao)作(zuo)业(ye)(ye)频(pin)率越(yue)高(gao)。例(li)如，1N4000系列(lie)整(zheng)流(liu)二(er)极管(guan)的(de)(de)fM为3kHz。开关电(dian)(dian)(dian)流(liu)、中输(shu)(shu)入有些(xie)的(de)(de)工频(pin)整(zheng)流(liu)电(dian)(dian)(dian)路即为一(yi)次整(zheng)流(liu)电(dian)(dian)(dian)路 ，如囱5-8 所示。将 4 个整(zheng)流(liu)二(er) 极管(guan)接(jie)满足桥的(de)(de)方式 ，对 220V 、50Hz 的(de)(de)工频(pin)电(dian)(dian)(dian)压(ya)或别的(de)(de)沟(gou)通(tong)输(shu)(shu) 入电(dian)(dian)(dian)压(ya)进行全波罄流(liu) ，得到 的(de)(de)脉功的(de)(de)直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)(dian)经电(dian)(dian)(dian)容(rong)滤被后(hou)便(bian)会变成滑润的(de)(de)直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)(dian)输(shu)(shu)出。

输入大功率二极管对截止频率(lv)和反(fan)向恢复时间请(qing)(qing)求不(bu)(bu)高(gao) ，通常的(de)整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管都能(neng)满(man)意请(qing)(qing)求 ，国此挑选整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管时 ，首(shou)要(yao)思考最(zui)大整(zheng)流(liu)(liu)电(dian)流(liu)(liu)和最(zui)大反(fan)向作(zuo)(zuo)(zuo)业(ye) 电(dian)压两个参数。常用(yong)的(de)整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管有 l N 系列、2CZ 系列、RLR 系列等(deng)。1N 系列整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管具有体积(ji)小、报价低 、 功能(neng)优(you)秀等(deng)特色 。其典型(xing)的(de)产(chan)品有 ：1N4001 - 1N4007 塑封硅整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管 ，其额足作(zuo)(zuo)(zuo)业(ye)电(dian)流(liu)(liu) 为 l A ; 1N5391 -1N5399 塑封硅整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管 ，其额外作(zuo)(zuo)(zuo)业(ye)电(dian)流(liu)(liu)为 1. 5A ; 1N5400-1N5408 塑 封硅整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管 ，其额外作(zuo)(zuo)(zuo)业(ye)电(dian)流(liu)(liu)为 3A。类型(xing)不(bu)(bu)一(yi)样 ，它们的(de)最(zui)高(gao)反(fan)向作(zuo)(zuo)(zuo)业(ye)电(dian)压 URM 也不(bu)(bu)一(yi)样 ， 为 50 -1000V。留意，运用(yong)大电(dian)流(liu)(liu)整(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)(er)极管时要(yao)加装散热片 。