快恢复二极管电路图应用工作过程与原理解析-快恢复二极管的作用

快恢复二极管介绍

主要讲(jiang)快(kuai)恢复(fu)二极管电(dian)(dian)路图(tu)的(de)一些应用电(dian)(dian)路。快(kuai)恢复(fu)二极管（简称(cheng)FRD）是一种(zhong)具有开(kai)关(guan)(guan)特性好(hao)、反(fan)向恢复(fu)时间短特点(dian)的(de)半导(dao)体(ti)二极管，主要应用于开(kai)关(guan)(guan)电(dian)(dian)源、PWM脉宽(kuan)调制器(qi)、变频器(qi)等电(dian)(dian)子电(dian)(dian)路中(zhong)，作为(wei)高频整流二极管、续流二极管或(huo)阻尼二极管使用。

快恢(hui)复(fu)二极管在(zai)制造工艺上采用(yong)掺金，单纯(chun)的(de)扩(kuo)散等工艺，可获得(de)较(jiao)高的(de)开(kai)关速度(du)，同时也(ye)能得(de)到较(jiao)高的(de)耐压(ya)。目前快恢(hui)复(fu)二极管主要(yao)应用(yong)在(zai)逆变电源中做整流元(yuan)件。

快恢复二极管的作用是什么?

答 1:

一般地说用(yong)于较(jiao)高频率的整流和续(xu)流。

至于(yu)电(dian)源(yuan)模块的输入部(bu)份(fen)，好像频率不(bu)高，不(bu)必用(yong)快恢复二极管，用(yong)普通二极管即可(ke)。

答(da) 2:

对于(yu)二(er)(er)(er)极(ji)管来说(shuo)，加(jia)在其两端的(de)电压由(you)正向(xiang)变(bian)到(dao)反向(xiang)时(shi)(shi)，响(xiang)应时(shi)(shi)间一般很短，而(er)相反的(de)由(you)反向(xiang)变(bian)正向(xiang)时(shi)(shi)其时(shi)(shi)间相对较长，此(ci)即(ji)为反向(xiang)恢复(fu)时(shi)(shi)间，当(dang)二(er)(er)(er)极(ji)管用做(zuo)高频整(zheng)流(liu)等时(shi)(shi)，要求反向(xiang)恢复(fu)时(shi)(shi)间很短，此(ci)时(shi)(shi)就需要快恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)管（FRD），更(geng)高的(de)超(chao)快恢复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)管（SRD），开关二(er)(er)(er)极(ji)管，最快的(de)是(shi)肖(xiao)特基管（其原(yuan)理(li)不(bu)同于(yu)以(yi)上(shang)几个二(er)(er)(er)极(ji)管）

快恢(hui)(hui)复(fu)二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)（简称FRD）是一种具(ju)有(you)开关(guan)特(te)性好、反(fan)向恢(hui)(hui)复(fu)时间(jian)短特(te)点(dian)的半导(dao)体二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)，主要应用于开关(guan)电源、PWM脉宽调制器(qi)、变频器(qi)等电子(zi)电路(lu)中(zhong)，作(zuo)为(wei)高频整(zheng)流二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)、续(xu)流二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)或阻尼二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)使用。

快恢(hui)(hui)复(fu)(fu)二极(ji)管的内部结(jie)构(gou)与普(pu)通PN结(jie)二极(ji)管不同，它属于PIN结(jie)型(xing)二极(ji)管，即在(zai)P型(xing)硅材料与N型(xing)硅材料中间(jian)增加(jia)了(le)基(ji)区I，构(gou)成PIN硅片。因基(ji)区很薄，反(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)(hui)复(fu)(fu)电荷很小，所以快恢(hui)(hui)复(fu)(fu)二极(ji)管的反(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)(hui)复(fu)(fu)时间(jian)较(jiao)短，正(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)压(ya)(ya)降较(jiao)低，反(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)击穿电压(ya)(ya)（耐压(ya)(ya)值）较(jiao)高。

通常，5~20A的快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)(ji)管管采(cai)用TO–220FP塑(su)料(liao)封(feng)装(zhuang)，20A以上的大功率快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)(ji)管采(cai)用顶部带金属散热片(pian)的TO–3P塑(su)料(liao)封(feng)装(zhuang)，5A以下的快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)(ji)管则(ze)采(cai)用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑(su)料(liao)封(feng)装(zhuang)。

快恢复二极管工作原理

快恢(hui)(hui)复二极管(guan)的(de)内部结(jie)构是在P型硅材料(liao)与N型硅材料(liao)中间增加了(le)基(ji)区I，构成PIN硅片。因基(ji)区很(hen)薄，反向恢(hui)(hui)复电荷很(hen)小，不仅大(da)大(da)减小了(le)TRR值，还降低(di)了(le)瞬态(tai)正向压降，使管(guan)子(zi)能(neng)承受很(hen)高的(de)反向工作电压。

快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)管(guan)的(de)反向恢复(fu)时间一(yi)般为几(ji)百(bai)纳秒(miao)，正(zheng)(zheng)向压降约为0.6V，正(zheng)(zheng)向电流是几(ji)安培至几(ji)千安培，反向峰(feng)值电压可(ke)(ke)达(da)几(ji)百(bai)到(dao)几(ji)千伏。超(chao)快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)管(guan)的(de)反向恢复(fu)电荷进一(yi)步减小，使其trr可(ke)(ke)低至几(ji)十纳秒(miao)。20A以下的(de)快(kuai)恢复(fu)及(ji)超(chao)快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)管(guan)大多采用TO-220封装形式。

加(jia)负(fu)电(dian)压(ya)(ya)(ya)(ya)（或零偏压(ya)(ya)(ya)(ya)）时，快恢复(fu)(fu)二(er)极管(guan)(guan)等(deng)效为电(dian)容+电(dian)阻；加(jia)正电(dian)压(ya)(ya)(ya)(ya)时，快恢复(fu)(fu)二(er)极管(guan)(guan)等(deng)效为小电(dian)阻。用改变结构(gou)尺(chi)寸(cun)及选择快恢复(fu)(fu)二(er)极管(guan)(guan)参数(shu)的(de)方法，使(shi)短路(lu)的(de)阶梯脊(ji)波导的(de)反(fan)射(she)相位(wei)(wei)（基准相位(wei)(wei)）与加(jia)正电(dian)压(ya)(ya)(ya)(ya)的(de)PIN管(guan)(guan)控(kong)制的(de)短路(lu)波导的(de)反(fan)射(she)相位(wei)(wei)相同。还要(yao)求加(jia)负(fu)电(dian)压(ya)(ya)(ya)(ya)（或0偏置）的(de)快恢复(fu)(fu)二(er)极管(guan)(guan)控(kong)制的(de)短路(lu)波导的(de)反(fan)射(she)相位(wei)(wei)与标准相位(wei)(wei)相反(fan)（-164°～+164°之间即可）。

快恢复二极管电路图的工作过程及失效分析

1、开封解析

二(er)极(ji)管(guan)(guan)失(shi)效经过分析(xi)(xi)(xi)一直是机械应(ying)力(li)导致(zhi)失(shi)效，生产过程问题，后采取大比(bi)例对异常批次二(er)极(ji)管(guan)(guan)进行全(quan)(quan)(quan)检(jian)，来料全(quan)(quan)(quan)险发现多单二(er)极(ji)管(guan)(guan)反向(xiang)漏电流严重(zhong)超(chao)标，实测(ce)(ce)值(zhi)在1000MA以上，二(er)极(ji)管(guan)(guan)全(quan)(quan)(quan)检(jian)异常品未进行强(qiang)电测(ce)(ce)试，对全(quan)(quan)(quan)检(jian)漏电流超(chao)标二(er)极(ji)管(guan)(guan)进行开封(feng)解(jie)析(xi)(xi)(xi)同(tong)样存在晶元裂纹(wen)，将二(er)极(ji)管(guan)(guan)寄给安(an)森美(mei)分析(xi)(xi)(xi)确认晶圆同(tong)样有裂纹(wen)、开封(feng)解(jie)析(xi)(xi)(xi)及电镜扫描图如图1所示。

图1 失(shi)效品开(kai)封解析与电镜扫描图片

2、二极管晶圆裂纹产生机械应力影响分析

排查二(er)极(ji)管(guan)自插环(huan)节设备(bei)发现，二(er)极(ji)管(guan)插装后引(yin)脚存在(zai)(zai)(zai)严(yan)重(zhong)(zhong)的(de)应(ying)力，两边引(yin)脚严(yan)重(zhong)(zhong)变(bian)形(xing)。有内应(ying)力损(sun)伤问(wen)题，一般设计要(yao)(yao)求建议打点位(wei)置中(zhong)(zhong)(zhong)心点到元件本(ben)体侧面(mian)的(de)距(ju)离在(zai)(zai)(zai)1.5～2倍的(de)D(本(ben)体直径)，实际主板引(yin)脚跨(kua)距(ju)是1:1的(de)尺寸。一般二(er)极(ji)管(guan)引(yin)线跨(kua)距(ju)设计要(yao)(yao)求，引(yin)线直径在(zai)(zai)(zai)0.7-0.8，弯脚点离本(ben)体距(ju)离最小要(yao)(yao)在(zai)(zai)(zai)3.5左右，下线机型集(ji)中(zhong)(zhong)(zhong)在(zai)(zai)(zai)使用(yong)了PCB 37002488的(de)机型上面(mian)，失效(xiao)位(wei)置集(ji)中(zhong)(zhong)(zhong)在(zai)(zai)(zai)IPM(D18-D20)当中(zhong)(zhong)(zhong)，而在(zai)(zai)(zai)开关电(dian)源(yuan)电(dian)路D701当中(zhong)(zhong)(zhong)该(gai)二(er)极(ji)管(guan)失效(xiao)较少；根据(ju)对PCB板图纸的(de)排查，同一款PCB：IPM(D18-D20)间距(ju)为10.16mm，向电(dian)源(yuan)电(dian)路D701却为13.6mm。

按照IPM(D18-D20)间距为10.16mm，达(da)不(bu)到此要求，若(ruo)是弯角时轻微受力再经(jing)过波峰焊的作(zuo)用(yong)更容易(yi)出(chu)问题了(le)；分析(xi)判定(ding)、部分PCB 35030124二极管插(cha)装(zhuang)间距设计不(bu)符(fu)合厂家推荐的插(cha)装(zhuang)间距要求，也不(bu)符(fu)合我(wo)司(si)标准封装(zhuang)库35030124 13.5mm要求。

二(er)极(ji)(ji)管(guan)插(cha)(cha)装前剪脚没有固(gu)定引脚进行成(cheng)型，导致(zhi)二(er)极(ji)(ji)管(guan)插(cha)(cha)装后左右引脚成(cheng)型不良，实际设(she)备(bei)无法(fa)保证(zheng)，存在应(ying)力(li)隐患。

二极管应用PCB板(ban)设计引脚之间插(cha)装跨距(ju)设计不合格要求，跨距(ju)偏小，导致自(zi)插(cha)受力(li)隐患大。

3、二极管X光透射、电镜扫描分析

经过对失效(xiao)二极(ji)管(guan)(guan)进行X光透(tou)射(she)分沂，二极(ji)管(guan)(guan)晶(jing)元与(yu)杜美丝之间焊接部分有(you)焊料融化外延(yan)(yan)迹象，先烧裂(lie)后破损。是融化硅向外延(yan)(yan)升。使用电镜(jing)扫描可以看到有(you)钎料融化迹象，二极(ji)管(guan)(guan)X光透(tou)射(she)与(yu)电镜(jing)扫描分析图片(pian)如(ru)图2所示。

图2 二极管X光透射(she)与电(dian)镜(jing)扫描分(fen)析(xi)图

4、快恢复二极管应用电路工作过程

系统(tong)初始在上电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)瞬间(jian)自举(ju)(ju)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容两端(duan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)为(wei)零，如果IPM需要(yao)(yao)正常启(qi)动(dong)工(gong)作(zuo)，驱动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)VCC就需要(yao)(yao)正常供电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，初始化(hua)时没有(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，在IPM工(gong)作(zuo)前，需要(yao)(yao)对(dui)自举(ju)(ju)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容进行充电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，通(tong)(tong)过(guo)控(kong)制(zhi)驱动(dong)信号足够(gou)脉(mai)冲数(shu)量，精确(que)控(kong)制(zhi)IGBT开通(tong)(tong)，将电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容两端(duan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)抬升至目标电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，具体工(gong)作(zuo)过(guo)程(cheng)为(wei)：在上电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)瞬间(jian)需要(yao)(yao)对(dui)自举(ju)(ju)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容进行充电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，下桥臂的IGBT开通(tong)(tong)将对(dui)应相输出电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)拉(la)低(di)到地(di)，电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)通(tong)(tong)过(guo)自举(ju)(ju)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻、自举(ju)(ju)二极管对(dui)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容进行充电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。

当上(shang)桥IGBT开通时，输出电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)再次(ci)升至母(mu)线电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)水下。电(dian)(dian)(dian)(dian)容两端电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)因不能(neng)突(tu)变，两端电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)仍保持(chi)在供电(dian)(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)水平，同时给IGBT驱动提(ti)供电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)。自举二(er)极管反向截止，将弱(ruo)(ruo)电(dian)(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)(dian)源部分(fen)与母(mu)线电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)有效隔离(li)，避(bi)免强电(dian)(dian)(dian)(dian)导(dao)入弱(ruo)(ruo)电(dian)(dian)(dian)(dian)击穿电(dian)(dian)(dian)(dian)路器件，以上(shang)是半个循环(huan)，后(hou)续周而复(fu)始进行。

电(dian)(dian)(dian)路(lu)分沂结果表明，通过(guo)(guo)对IPM自(zi)举电(dian)(dian)(dian)路(lu)初(chu)始上(shang)电(dian)(dian)(dian)工作(zuo)瞬间工作(zuo)原理及工乍过(guo)(guo)程进行分析发现，在电(dian)(dian)(dian)路(lu)开(kai)(kai)(kai)始工作(zuo)之前系(xi)统初(chu)始化阶段，下桥IGBT开(kai)(kai)(kai)启自(zi)举电(dian)(dian)(dian)容(rong)充(chong)电(dian)(dian)(dian)过(guo)(guo)程二(er)吸管(guan)承受电(dian)(dian)(dian)压(ya)最(zui)小，二(er)极管(guan)不会存(cun)在过(guo)(guo)压(ya)失(shi)(shi)效(xiao)可能，上(shang)桥IGBT开(kai)(kai)(kai)启过(guo)(guo)程二(er)极管(guan)此(ci)时(shi)起到强弱电(dian)(dian)(dian)的有效(xiao)隔离(li)，两端承受电(dian)(dian)(dian)压(ya)最(zui)大，除IP同(tong)外为此(ci)电(dian)(dian)(dian)路(lu)承受电(dian)(dian)(dian)压(ya)冲击(ji)频(pin)率最(zui)大器(qi)件(jian)，如果器(qi)件(jian)因各种因素导(dao)致反向耐压(ya)偏低(di)极易出现器(qi)件(jian)反向耐压(ya)不足击(ji)穿(chuan)失(shi)(shi)效(xiao)。导(dao)致内部IGBT开(kai)(kai)(kai)通异常急剧发热炸(zha)裂(lie)，所以(yi)(yi)经过(guo)(guo)对失(shi)(shi)效(xiao)主板分析及器(qi)件(jian)应用电(dian)(dian)(dian)路(lu)分析判断，二(er)极管(guan)异常导(dao)致炸(zha)板，经过(guo)(guo)实际模(mo)拟验证二(er)极管(guan)耐压(ya)偏低(di)确实可以(yi)(yi)导(dao)致模(mo)块(kuai)炸(zha)失(shi)(shi)效(xiao)，与下线(xian)故(gu)障现象一致。

主(zhu)版失效(xiao)(xiao)表现为IPM炸裂(lie)失效(xiao)(xiao)、经过对失效(xiao)(xiao)主(zhu)板进(jin)行(xing)检测(ce)分(fen)析及大量信息(xi)收集，确(que)定二极管、IPM等失效(xiao)(xiao)集中在DCT测(ce)试工(gong)序上电(dian)(dian)瞬间，压缩机未启动即(ji)出现失效(xiao)(xiao)，接下(xia)来简(jian)单(dan)分(fen)析逆变电(dian)(dian)路上电(dian)(dian)脑同工(gong)作(zuo)过程。电(dian)(dian)路工(gong)作(zuo)简(jian)图如图3所示。

图3 二极管应用电路

二(er)极(ji)管失效集中IPM自(zi)(zi)学电(dian)路，对(dui)IPM自(zi)(zi)举电(dian)路工作(zuo)原理(li)及(ji)过程进(jin)行分(fen)析，电(dian)压(ya)自(zi)(zi)举抬升(sheng)就是利用电(dian)路自(zi)(zi)身产生(sheng)比输入电(dian)压(ya)更高的(de)电(dian)压(ya)，实质是利用电(dian)容两端电(dian)压(ya)不能瞬(shun)间突变(bian)通过对(dui)电(dian)路进(jin)行调节控(kong)制来改变(bian)电(dian)路某点的(de)瞬(shun)时(shi)电(dian)位，自(zi)(zi)举电(dian)路一般(ban)由(you)四部分(fen)组成，即(ji)电(dian)源(yuan)供电(dian)部分(fen)、自(zi)(zi)举电(dian)阻(zu)、自(zi)(zi)举二(er)极(ji)管和自(zi)(zi)举电(dian)容。

快恢复二极管结构

快恢复(fu)二(er)极管(guan)(guan)的内部结(jie)构与普通PN结(jie)二(er)极管(guan)(guan)不同，它属于PIN结(jie)型二(er)极管(guan)(guan)，即在P型硅(gui)材(cai)料与N型硅(gui)材(cai)料中间增加了基区I，构成PIN硅(gui)片。

因为(wei)PD的主要(yao)有源区(qu)是(shi)势(shi)垒区(qu)，所以展(zhan)宽势(shi)垒区(qu)即可提高(gao)灵敏度。p-i-n结(jie)(jie)快恢复二极管实(shi)际(ji)上(shang)也(ye)就是(shi)人为(wei)地把p-n结(jie)(jie)的势(shi)垒区(qu)宽度加(jia)以扩展(zhan)，即采用较(jiao)宽的本征半导(dao)体(ti)（i）层来取(qu)代势(shi)垒区(qu)，而(er)成为(wei)了(le)p-i-n结(jie)(jie)。

p-i-n结快恢复二极管的有效(xiao)作用区(qu)主要就是(shi)存在有电场的i型层（势垒(lei)区(qu)），则(ze)产生光生载流子的有效(xiao)区(qu)域增大(da)了，扩(kuo)散的影响减弱(ruo)了，并(bing)且结电容(rong)也大(da)大(da)减小了，所以其光检测的灵敏度和(he)响应速度都得到了很大(da)的提高。

快恢复二极管特点

快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)管的(de)最主要特点是它(ta)的(de)反向恢复(fu)时间（trr）在几(ji)百纳秒（ns）以下，超快(kuai)恢复(fu)二(er)极(ji)管甚至能(neng)达到几(ji)十纳秒。

图是反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)的(de)波形图。图中IF为正向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)，IRM为最(zui)大反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)，Irr为反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)，通常规定Irr=0.1IRM。当(dang)t≤t0时，正向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)I=IF。当(dang)t＞t0时，由于整(zheng)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)管(guan)上的(de)正向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)突(tu)然变(bian)成反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)，因此，正向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)迅速(su)减小，在(zai)(zai)t=t1时刻(ke)，I=0。然后(hou)整(zheng)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)管(guan)上的(de)反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)IR逐(zhu)渐增(zeng)大；在(zai)(zai)t=t2时刻(ke)达到(dao)最(zui)大反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)IRM值。此后(hou)受正向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)作用(yong)，反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(liu)逐(zhu)渐减小，并且在(zai)(zai)t=t3时刻(ke)达到(dao)规定值Irr。从t2到(dao)t3的(de)反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)过程与电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容器放电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)过程有相似(si)之处。由t1到(dao)t3的(de)时间(jian)间(jian)隔即(ji)为反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)时间(jian)trr。

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