sic-sic是什么(me)-sic制(zhi)作工艺、主要成分及适用于哪些领域-KIA MOS管
信息来源：本(ben)站 日期：2019-06-28
金刚砂又(you)名碳(tan)化(hua)(hua)硅（SiC）是用石(shi)英砂、石(shi)油(you)焦(jiao)（或(huo)煤焦(jiao)）、木屑（生(sheng)产绿(lv)(lv)色(se)碳(tan)化(hua)(hua)硅时需要加食盐(yan)）等原料通(tong)过电(dian)阻炉(lu)高温(wen)冶炼而成。碳(tan)化(hua)(hua)硅在(zai)大自然(ran)也存在(zai)罕见的矿(kuang)物(wu)，莫桑(sang)石(shi)。 碳(tan)化(hua)(hua)硅又(you)称碳(tan)硅石(shi)。在(zai)当代C、N、B等非氧化(hua)(hua)物(wu)高技术(shu)耐(nai)火原料中，碳(tan)化(hua)(hua)硅为(wei)(wei)应用最(zui)(zui)广泛(fan)、最(zui)(zui)经(jing)济的一种(zhong)，可以称为(wei)(wei)金钢砂或(huo)耐(nai)火砂。 目前中国工业(ye)生(sheng)产的碳(tan)化(hua)(hua)硅分为(wei)(wei)黑(hei)色(se)碳(tan)化(hua)(hua)硅和绿(lv)(lv)色(se)碳(tan)化(hua)(hua)硅两(liang)种(zhong)，均为(wei)(wei)六方晶体，比(bi)重为(wei)(wei)3.20～3.25，显微硬度为(wei)(wei)2840～3320kg/mm2。
碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅有黑碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅和绿(lv)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅两个常用的(de)基(ji)本品种，都属α-SiC。①黑碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅含SiC约95%，其韧性(xing)高于(yu)(yu)绿(lv)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅，大(da)多(duo)(duo)用于(yu)(yu)加工(gong)抗(kang)张强(qiang)度(du)低的(de)材料，如玻璃、陶(tao)瓷、石材、耐火(huo)材料、铸铁(tie)和有色金属等。②绿(lv)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅含SiC约97%以(yi)(yi)上，自锐性(xing)好(hao)，大(da)多(duo)(duo)用于(yu)(yu)加工(gong)硬质合金、钛合金和光学(xue)玻璃，也用于(yu)(yu)珩磨(mo)汽缸套和精(jing)磨(mo)高速钢刀(dao)具(ju)。此(ci)外还有立(li)方碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅，它(ta)是以(yi)(yi)特殊工(gong)艺制取的(de)黄绿(lv)色晶体，用以(yi)(yi)制作的(de)磨(mo)具(ju)适于(yu)(yu)轴(zhou)承的(de)超精(jing)加工(gong)，可使表(biao)面粗(cu)糙度(du)从Ra32～0.16微米(mi)一次加工(gong)到Ra0.04～0.02微米(mi)。
sic，由(you)于天(tian)然含量(liang)甚少，碳化(hua)硅(gui)主要(yao)多为人造。常见的方法是将石英砂与焦(jiao)炭混合，利(li)用其中的二氧化(hua)硅(gui)和(he)石油(you)焦(jiao)，加(jia)(jia)入食盐(yan)和(he)木屑(xie)，置(zhi)入电炉中，加(jia)(jia)热到(dao)2000°C左右(you)高温，经过各(ge)种(zhong)化(hua)学工艺流程后得到(dao)碳化(hua)硅(gui)微粉。
碳化(hua)硅(SiC)因其很大的硬度(du)而成为一(yi)种重要的磨(mo)料(liao)，但其应用范围却超过一(yi)般的磨(mo)料(liao)。例如，它(ta)所具有的耐(nai)高温(wen)性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的首(shou)选(xuan)窑具材料(liao)之一(yi)，它(ta)所具有的导电性使其成为一(yi)种重要的电加热元件等。制(zhi)备SiC制(zhi)品(pin)首(shou)先要制(zhi)备SiC冶炼(lian)块[或称：SiC颗粒料(liao)，因含有C且超硬，因此SiC颗粒料(liao)曾被称为：金刚砂。
但要注意：它(ta)与(yu)天然金刚砂(也称：石榴子石)的(de)(de)成(cheng)(cheng)分(fen)不同。在工业生产中，SiC冶炼块(kuai)通(tong)常以(yi)石英、石油(you)焦等(deng)为(wei)原料(liao)(liao)，辅助回收(shou)料(liao)(liao)、乏料(liao)(liao)，经过粉磨等(deng)工序(xu)调(diao)配成(cheng)(cheng)为(wei)配比(bi)合理与(yu)粒度合适(shi)的(de)(de)炉(lu)(lu)(lu)(lu)料(liao)(liao)(为(wei)了调(diao)节(jie)炉(lu)(lu)(lu)(lu)料(liao)(liao)的(de)(de)透气性需要加(jia)入适(shi)量的(de)(de)木屑，制(zhi)备(bei)(bei)绿碳化硅时还(hai)要添加(jia)适(shi)量食盐)经高(gao)(gao)温制(zhi)备(bei)(bei)而成(cheng)(cheng)。高(gao)(gao)温制(zhi)备(bei)(bei)SiC冶炼块(kuai)的(de)(de)热工设备(bei)(bei)是(shi)专用的(de)(de)碳化硅电(dian)(dian)炉(lu)(lu)(lu)(lu)，其结构由炉(lu)(lu)(lu)(lu)底、内(nei)面镶有(you)电(dian)(dian)极(ji)的(de)(de)端墙(qiang)、可卸式(shi)侧(ce)墙(qiang)、炉(lu)(lu)(lu)(lu)心体(ti)(全称为(wei)：电(dian)(dian)炉(lu)(lu)(lu)(lu)中心的(de)(de)通(tong)电(dian)(dian)发热体(ti)，一般用石墨粉或石油(you)焦炭按一定的(de)(de)形(xing)状与(yu)尺寸(cun)安装在炉(lu)(lu)(lu)(lu)料(liao)(liao)中心，一般为(wei)圆形(xing)或矩形(xing)。其两端与(yu)电(dian)(dian)极(ji)相连)等(deng)组成(cheng)(cheng)。
该电(dian)(dian)(dian)炉(lu)所用的烧成(cheng)方法俗称(cheng)：埋粉烧成(cheng)。它一(yi)(yi)通电(dian)(dian)(dian)即为加(jia)热开始，炉(lu)心体温(wen)度约2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，炉(lu)料达(da)到1450℃时(shi)开始合成(cheng)SiC(但(dan)SiC主要是在≥1800℃时(shi)形成(cheng))，且放出co。然而，≥2600℃时(shi)SiC会(hui)(hui)分(fen)解，但(dan)分(fen)解出的si又(you)会(hui)(hui)与(yu)炉(lu)料中的C生成(cheng)SiC。每组电(dian)(dian)(dian)炉(lu)配备一(yi)(yi)组变压器(qi)，但(dan)生产时(shi)只对单(dan)一(yi)(yi)电(dian)(dian)(dian)炉(lu)供电(dian)(dian)(dian)，以(yi)便根据电(dian)(dian)(dian)负荷特性调节(jie)电(dian)(dian)(dian)压来基本上(shang)保持恒功率，大功率电(dian)(dian)(dian)炉(lu)要加(jia)热约24 h，停(ting)电(dian)(dian)(dian)后生成(cheng)SiC的反应(ying)基本结(jie)束，再经过一(yi)(yi)段时(shi)间的冷却(que)就(jiu)可(ke)以(yi)拆除侧墙(qiang)，然后逐(zhu)步取(qu)出炉(lu)料。
高温煅(duan)烧后(hou)的(de)(de)炉(lu)料(liao)(liao)从外到内分(fen)(fen)(fen)别(bie)是(shi)(shi)：未反应料(liao)(liao)(在炉(lu)中起保(bao)温作用(yong))、氧碳(tan)化硅(gui)羼(半反应料(liao)(liao)，主要(yao)(yao)成(cheng)分(fen)(fen)(fen)是(shi)(shi)C与SiO。)、粘结(jie)(jie)物层(ceng)(是(shi)(shi)粘结(jie)(jie)很(hen)紧(jin)的(de)(de)物料(liao)(liao)层(ceng)，主要(yao)(yao)成(cheng)分(fen)(fen)(fen)是(shi)(shi)C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的(de)(de)碳(tan)酸盐)、无定形物层(ceng)(主要(yao)(yao)成(cheng)分(fen)(fen)(fen)是(shi)(shi)70%～90%SiC，而且是(shi)(shi)立方(fang)SiC即(ji)β-sic，其余是(shi)(shi)C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的(de)(de)碳(tan)酸盐)、二级(ji)品SiC层(ceng)(主要(yao)(yao)成(cheng)分(fen)(fen)(fen)是(shi)(shi)90%～95%SiC，该层(ceng)已生成(cheng)六方(fang)SiC即(ji)口(kou)一(yi)(yi)SiC，但结(jie)(jie)晶(jing)体(ti)(ti)较(jiao)小(xiao)、很(hen)脆弱，不能(neng)作为磨料(liao)(liao))、一(yi)(yi)级(ji)品SiC层(ceng)(SiC含量<96%，而且是(shi)(shi)六方(fang)SiC即(ji)口(kou)一(yi)(yi)SiC的(de)(de)粗大结(jie)(jie)晶(jing)体(ti)(ti))、炉(lu)芯体(ti)(ti)石墨(mo)。
在上述各层料(liao)中，通(tong)常将未反应料(liao)和一部(bu)分(fen)(fen)(fen)氧碳化(hua)硅(gui)(gui)层料(liao)作为(wei)乏料(liao)收集(ji)，将氧碳化(hua)硅(gui)(gui)层的另一部(bu)分(fen)(fen)(fen)料(liao)与无(wu)定形物、二(er)级(ji)品、部(bu)分(fen)(fen)(fen)粘结(jie)物一起收集(ji)为(wei)回炉料(liao)，而一些粘结(jie)很紧、块(kuai)度大、杂质多的粘结(jie)物则(ze)抛弃之。而一级(ji)品则(ze)经(jing)过(guo)分(fen)(fen)(fen)级(ji)、粗碎(sui)、细碎(sui)、化(hua)学处理(li)、干燥与筛分(fen)(fen)(fen)、磁选(xuan)后就(jiu)成为(wei)各种粒(li)度的黑色或绿色的SiC颗粒(li)。要制成碳化(hua)硅(gui)(gui)微粉还(hai)要经(jing)过(guo)水选(xuan)过(guo)程(cheng)；要做成碳化(hua)硅(gui)(gui)制品还(hai)要经(jing)过(guo)成型与结(jie)烧(shao)的过(guo)程(cheng)。
1、导(dao)通电阻(zu)(zu)随温度变化率(lv)较小，高温情况下导(dao)通阻(zu)(zu)抗(kang)很(hen)低，能在恶(e)劣的(de)环(huan)境下很(hen)好的(de)工作。
2、随着(zhe)门(men)极(ji)电压(ya)的升(sheng)高，导通电阻(zu)越小，表现更接近于压(ya)控电阻(zu)。
3、开通需要门极电荷较小，总体(ti)驱动(dong)功率较低，其(qi)体(ti)二(er)极管Vf较高(gao)，但反向恢复性很好，可以降低开通损耗。
4、具有更小的(de)结电容，关(guan)断(duan)速度较快(kuai)，关(guan)断(duan)损(sun)耗更小。
5、开(kai)关损耗小(xiao)(xiao)，可以进行高频(pin)开(kai)关动作(zuo)，使得(de)滤波器(qi)等(deng)无源器(qi)件小(xiao)(xiao)型化，提高功率密度。
6、开(kai)通电(dian)(dian)压(ya)高(gao)于高(gao)于SI器件，推荐使用Vgs为18V或者20V，虽然开(kai)启电(dian)(dian)压(ya)只有2.7V，但只有驱动电(dian)(dian)压(ya)达到18V~20V时才能完(wan)全开(kai)通。
7、误触发耐性稍差，需要有源(yuan)钳位(wei)电(dian)路或(huo)者施加负电(dian)压防止其误触发。
1、触发脉冲有比(bi)较(jiao)快的(de)上升速度(du)(du)和下降速度(du)(du)，脉冲前(qian)沿和后沿要陡。
2、驱动回路的阻抗不能(neng)太大(da)，开通时(shi)快速对栅极电容充电，关断时(shi)栅极电容能(neng)够快速放(fang)电。
3、驱(qu)动电路能够(gou)提供足(zu)够(gou)大的驱(qu)动电流(liu)
4、驱(qu)动电路(lu)能够提(ti)供(gong)足够大的(de)驱(qu)动电压，减小SIC MOSFET的(de)导通(tong)损(sun)耗。
5、驱(qu)动电路采用负压(ya)关断，防止(zhi)误导通，增强其(qi)抗(kang)干扰能(neng)力。
6、驱动电(dian)路(lu)整(zheng)个驱动回路(lu)寄生电(dian)感(gan)要小，驱动电(dian)路(lu)尽量靠近(jin)功率管。
7、驱(qu)动电(dian)路(lu)峰值电(dian)流Imax要更大，减(jian)小(xiao)米(mi)勒平台的持续时间(jian)，提高开关速度。
sic在(zai)电(dian)气工业(ye)中(zhong)，碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)可(ke)用(yong)(yong)做避雷器阀体(ti)、硅(gui)(gui)(gui)(gui)碳电(dian)热元(yuan)件、远红外(wai)线发(fa)生器等。在(zai)电(dian)子(zi)工业(ye)中(zhong)，如在(zai)工业(ye)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)炉内或(huo)在(zai)工业(ye)炉上用(yong)(yong)特别(bie)办法培育出来大片(pian)完好的碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)单晶(jing)体(ti)，可(ke)作为发(fa)光二极管(guan)(guan)(如晶(jing)体(ti)灯、数字管(guan)(guan)灯)的基片(pian);高纯(chun)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)晶(jing)体(ti)是(shi)制(zhi)造耐辐射高温半(ban)导(dao)体(ti)的优质资料(liao)。碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)是(shi)少量禁带(dai)宽度大(2.86eV)且具有(you)P及n两种导(dao)电(dian)类型的半(ban)导(dao)体(ti)资料(liao)之一。
在航天工(gong)业中，用(yong)(yong)(yong)碳化硅制(zhi)造的燃气滤(lv)片、燃烧室喷嘴已用(yong)(yong)(yong)于火(huo)箭技能(neng)中。现已完成工(gong)业化出(chu)产的碳化硅纤维，是一种新式(shi)高(gao)强(qiang)度(du)、高(gao)模量资(zi)料(liao)，具有优异(yi)的耐热(re)性(xing)和(he)耐氧(yang)化性(xing)，与(yu)金属、树(shu)脂(zhi)有杰出(chu)的相容性(xing)。使用(yong)(yong)(yong)温度(du)可达(da)1200℃，高(gao)温下强(qiang)度(du)坚持(chi)率可达(da)80%以(yi)上。可用(yong)(yong)(yong)以(yi)制(zhi)造热(re)屏(ping)蔽资(zi)料(liao)、耐高(gao)温输送带、过(guo)滤(lv)高(gao)温气体或熔融金属的滤(lv)布，也可与(yu)炭(tan)纤维或玻璃纤维复合用(yong)(yong)(yong)做增强(qiang)金属和(he)陶(tao)瓷的增强(qiang)资(zi)料(liao)。
低档(dang)次的碳化(hua)硅(gui)可用(yong)做炼(lian)钢脱氧剂(ji)及铸(zhu)铁添加剂(ji)。
在炭(tan)素工(gong)业中，碳化硅(gui)首要用来(lai)出(chu)产(chan)炼铁高炉用砖，如石墨碳化硅(gui)、氮化硅(gui)结(jie)合(he)的碳化硅(gui)砖等(deng)。
在石墨电极出产中(zhong)，碳化(hua)硅还用做(zuo)耐氧化(hua)涂层电极的涂层耐火烧(shao)结(jie)料的配猜中(zhong)，以添加涂层对(dui)温度(du)急剧改变的承受才能。
在(zai)特种炭素资料——生物炭的(de)(de)制(zhi)造中，常以丙烷(wan)(wan)和三氯甲基(ji)硅烷(wan)(wan)为气体(ti)质料，经(jing)高温热解(jie)反响(xiang)，在(zai)石墨基(ji)体(ti)上堆(dui)积生成含硅热解(jie)炭涂层，以添加(jia)制(zhi)品(pin)的(de)(de)硬度、强度和耐磨性(xing)。涂层中的(de)(de)碳化硅以β-SiC的(de)(de)晶型存在(zai)，晶粒尺寸为1μm左(zuo)右(you)。用(yong)此(ci)法制(zhi)造的(de)(de)生物炭制(zhi)品(pin)如含硅热解(jie)炭人(ren)工心(xin)脏瓣膜等，具(ju)有很好的(de)(de)生物相容性(xing)。
碳化硅一维纳米(mi)资料因为(wei)本身的微(wei)观描摹和晶体(ti)结构(gou)使(shi)其具有更多独特的优异(yi)功用(yong)和愈(yu)加广泛的使(shi)用(yong)远(yuan)景(jing)，被普(pu)遍(bian)认为(wei)有望成(cheng)(cheng)为(wei)第(di)三代宽带隙半(ban)导(dao)体(ti)资料的重要组成(cheng)(cheng)单元(yuan)。
第三代(dai)半(ban)导体(ti)资(zi)料即宽(kuan)禁带半(ban)导体(ti)资(zi)料，又(you)称高(gao)温(wen)半(ban)导体(ti)资(zi)料，首要包含碳化(hua)(hua)硅、氮化(hua)(hua)镓、氮化(hua)(hua)铝、氧化(hua)(hua)锌、金(jin)刚石等。这类资(zi)料具有宽(kuan)的(de)禁带宽(kuan)度（禁带宽(kuan)度大(da)于2.2ev）、高(gao)的(de)热导率(lv)、高(gao)的(de)击穿电(dian)场、高(gao)的(de)抗(kang)辐(fu)(fu)射(she)才能(neng)、高(gao)的(de)电(dian)子饱和速率(lv)等特(te)点，适用(yong)(yong)于高(gao)温(wen)、高(gao)频(pin)、抗(kang)辐(fu)(fu)射(she)及大(da)功率(lv)器(qi)件(jian)的(de)制造。第三代(dai)半(ban)导体(ti)资(zi)料凭借着其优异的(de)特(te)性(xing)，未来使用(yong)(yong)远(yuan)景非(fei)常宽(kuan)广。
光伏逆变器对光伏发(fa)电(dian)效果非常重要，不只具(ju)有(you)直(zhi)沟通(tong)改换(huan)功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)，还具(ju)有(you)最(zui)大限度地(di)发(fa)挥(hui)太阳电(dian)池(chi)功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)的功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)和体(ti)系(xi)(xi)故障维护功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)。归纳起(qi)来有(you)主动运转(zhuan)和停(ting)机功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)、最(zui)大功(gong)(gong)率盯梢操控(kong)功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)、防单独运转(zhuan)功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)（并(bing)(bing)(bing)网(wang)体(ti)系(xi)(xi)用(yong)(yong)(yong)）、主动电(dian)压(ya)调(diao)整功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)（并(bing)(bing)(bing)网(wang)体(ti)系(xi)(xi)用(yong)(yong)(yong)）、直(zhi)流(liu)检测功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)（并(bing)(bing)(bing)网(wang)体(ti)系(xi)(xi)用(yong)(yong)(yong)）、直(zhi)流(liu)接地(di)检测功(gong)(gong)用(yong)(yong)(yong)（并(bing)(bing)(bing)网(wang)体(ti)系(xi)(xi)用(yong)(yong)(yong)）等。
国(guo)内逆(ni)变(bian)器(qi)厂家对新技(ji)能和(he)新器(qi)件(jian)的使用仍是太(tai)少(shao)，以(yi)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)为(wei)功率器(qi)件(jian)的逆(ni)变(bian)器(qi)，而且开端大批量使用，碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)内阻很少(shao)，能够把功率做很高(gao)，开关频率能够达到(dao)10K，也能够节(jie)约LC滤波器(qi)和(he)母线电(dian)容。碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)资料在光伏逆(ni)变(bian)器(qi)使用上(shang)或有打破。
碳(tan)化(hua)硅(gui)制造成碳(tan)化(hua)硅(gui)纤(xian)维，碳(tan)化(hua)硅(gui)纤(xian)维首要(yao)用(yong)(yong)(yong)作耐(nai)高(gao)(gao)温资(zi)料(liao)(liao)和(he)增强资(zi)料(liao)(liao)，耐(nai)高(gao)(gao)温资(zi)料(liao)(liao)包含热屏蔽资(zi)料(liao)(liao)、耐(nai)高(gao)(gao)温输送带、过滤(lv)高(gao)(gao)温气(qi)体或熔融(rong)金(jin)(jin)属的(de)滤(lv)布等(deng)。用(yong)(yong)(yong)做(zuo)增强资(zi)料(liao)(liao)时，常与碳(tan)纤(xian)维或玻璃纤(xian)维合用(yong)(yong)(yong)，以增强金(jin)(jin)属（如(ru)铝）和(he)陶(tao)瓷为主，如(ru)做(zuo)成喷(pen)气(qi)式飞机的(de)刹(cha)车片、发动机叶片、着(zhe)陆(lu)齿轮箱和(he)机身(shen)结构(gou)资(zi)料(liao)(liao)等(deng)，还可(ke)(ke)用(yong)(yong)(yong)做(zuo)体育用(yong)(yong)(yong)品，其短切(qie)纤(xian)维则可(ke)(ke)用(yong)(yong)(yong)做(zuo)高(gao)(gao)温炉材(cai)等(deng)。
碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粗(cu)料(liao)已能(neng)很(hen)多(duo)供(gong)给，但是技能(neng)含(han)量(liang)极高(gao) 的纳米级碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉体的使(shi)用(yong)短(duan)时间不可能(neng)构成(cheng)规模经济。碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)晶(jing)片在(zai)我(wo)国(guo)研制(zhi)尚属(shu)起步阶段(duan)，碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)晶(jing)片在(zai)国(guo)内的使(shi)用(yong)较少，碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)资料(liao)产业(ye)(ye)的展(zhan)开(kai)缺乏下游(you)使(shi)用(yong)企(qi)业(ye)(ye)的支撑。就人才培养和技能(neng)研制(zhi)等(deng)展(zhan)开(kai)密切合作；加强企(qi)业(ye)(ye)间的沟(gou)通，尤其要积极参加国(guo)际沟(gou)通活动，提高(gao)企(qi)业(ye)(ye)展(zhan)开(kai)水平；重视企(qi)业(ye)(ye)品(pin)牌建造(zao)，努力(li)打(da)造(zao)企(qi)业(ye)(ye)的拳(quan)头产品(pin)等(deng)。
联系方式：邹先生(sheng)
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