60V,80V,低压MOS管

低压MOS管

MOS管(guan)(guan)导(dao)(dao)通电(dian)(dian)阻小(xiao)，可以降低导(dao)(dao)通时的功耗。但无论(lun)什么元件器件，追求某(mou)项指标必会影响(xiang)其(qi)它指标。以MOS管(guan)(guan)来说(shuo)，高耐压与低电(dian)(dian)阻是矛盾的，不(bu)可兼(jian)得(de)，所(suo)以不(bu)能说(shuo)导(dao)(dao)通电(dian)(dian)阻越小(xiao)越好，因为(wei)这是牺(xi)牲其(qi)它性能获得(de)的。但是一般mos管(guan)(guan)额定(ding)电(dian)(dian)流越大,额定(ding)导(dao)(dao)通电(dian)(dian)阻也就越小(xiao)。

60V 80V 低压MOS管选型手册

60V 80V 低压MOS管选型表如下：

60V 80V 低压MOS管封装大全

60V 80V 低压MOS管封装是与国内一流封装厂家合作。

低压MOS管的作用

1.可应用(yong)于放大。由(you)于场效应管放大器的(de)输入(ru)阻抗(kang)很高，因此耦合电容可以容量(liang)较(jiao)小，不必使用(yong)电解电容器。

2.很高的输入(ru)阻抗非常(chang)适合作阻抗变(bian)换(huan)。常(chang)用于多(duo)级放大器的输入(ru)级作阻抗变(bian)换(huan)。

3.可(ke)以用作可(ke)变电(dian)阻。

4.可以方便地(di)用(yong)作(zuo)恒流(liu)源。

5.可以用作电子开关。

6.在(zai)电路设(she)计上的(de)灵(ling)活性大。栅偏(pian)压(ya)可正(zheng)可负可零(ling)，三极管(guan)只能在(zai)正(zheng)向(xiang)偏(pian)置下工(gong)(gong)作，电子管(guan)只能在(zai)负偏(pian)压(ya)下工(gong)(gong)作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易(yi)于跟前级匹配。

mos管三个极分别是什么及判定方法

mos管的三(san)个极(ji)分别是：G（栅极(ji)），D（漏极(ji)）s（源(yuan)(yuan)及(ji)），要(yao)求栅极(ji)和源(yuan)(yuan)及(ji)之间电压大于某一特定值，漏极(ji)和源(yuan)(yuan)及(ji)才能导通(tong)。

1.判断栅极(ji)G

MOS驱(qu)(qu)动(dong)器主要(yao)起波(bo)形(xing)整形(xing)和(he)加强驱(qu)(qu)动(dong)的(de)(de)作用：假(jia)如MOS管(guan)(guan)的(de)(de)G信号波(bo)形(xing)不够(gou)陡(dou)峭(qiao)，在点评切换(huan)阶段(duan)会造成大(da)量电(dian)能损耗(hao)其副作用是(shi)降低电(dian)路转换(huan)效(xiao)率，MOS管(guan)(guan)发烧(shao)严(yan)峻，易热损坏MOS管(guan)(guan)GS间存在一定电(dian)容，假(jia)如G信号驱(qu)(qu)动(dong)能力不够(gou)，将(jiang)严(yan)峻影响波(bo)形(xing)跳(tiao)变的(de)(de)时间。

将G-S极(ji)(ji)短路，选择万用表(biao)的(de)R×1档，黑表(biao)笔接S极(ji)(ji)，红(hong)表(biao)笔接D极(ji)(ji)，阻值应为几欧(ou)至十几欧(ou)。若发现某脚与其字两(liang)脚的(de)电阻均(jun)呈无限大，并且(qie)交换表(biao)笔后仍为无限大，则证(zheng)实此脚为G极(ji)(ji)，由于(yu)它和另外两(liang)个管(guan)脚是(shi)绝缘的(de)。

2.判(pan)断源极(ji)S、漏(lou)极(ji)D

将万用表(biao)拨(bo)至R×1k档分(fen)别(bie)丈量三个(ge)管脚之间的电阻。用交(jiao)换表(biao)笔(bi)法测两次(ci)(ci)电阻，其中电阻值(zhi)较低（一般为几千(qian)欧(ou)至十几千(qian)欧(ou)）的一次(ci)(ci)为正向电阻，此时黑表(biao)笔(bi)的是S极，红表(biao)笔(bi)接D极。因为测试前提不同(tong)，测出的RDS（on）值(zhi)比手册(ce)中给出的典型(xing)值(zhi)要高一些。

3.丈量(liang)漏(lou)-源通态电阻RDS（on）

在(zai)源-漏之(zhi)间有一(yi)个PN结，因(yin)此根据PN结正、反(fan)向(xiang)电(dian)阻存在(zai)差异，可识别S极与D极。例如(ru)用500型万用表R×1档实测一(yi)只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

测试步骤：

MOS管的检测主要(yao)是(shi)判断(duan)MOS管漏电、短(duan)路(lu)(lu)、断(duan)路(lu)(lu)、放(fang)大(da)。

其步骤(zhou)如下：

假如有阻值没被测MOS管(guan)有漏电现(xian)象。

1、把连接栅极和(he)源(yuan)极的电阻(zu)移(yi)开，万用表红(hong)黑笔不变(bian)，假如移(yi)开电阻(zu)后表针慢慢逐(zhu)步(bu)退回到高(gao)阻(zu)或无限大(da)，则MOS管漏电，不变(bian)则完好(hao)

2、然后一根(gen)导线把MOS管的栅极和源(yuan)极连接(jie)起来(lai)，假(jia)如指针立(li)刻返回(hui)无限(xian)大，则MOS完好。

3、把(ba)红笔(bi)接到MOS的(de)源极(ji)(ji)S上，黑笔(bi)接到MOS管的(de)漏极(ji)(ji)上，好(hao)的(de)表针指示应该是无限大。

4、用一(yi)只100KΩ－200KΩ的(de)电阻(zu)连在(zai)栅极(ji)和(he)漏(lou)极(ji)上(shang)(shang)(shang)，然后把红笔接到(dao)MOS的(de)源(yuan)极(ji)S上(shang)(shang)(shang)，黑(hei)笔接到(dao)MOS管的(de)漏(lou)极(ji)上(shang)(shang)(shang)，这(zhei)时表针指示的(de)值(zhi)一(yi)般是0，这(zhei)时是下电荷通过这(zhei)个电阻(zu)对MOS管的(de)栅极(ji)充(chong)电，产生栅极(ji)电场，因为电场产生导(dao)(dao)致导(dao)(dao)电沟道致使漏(lou)极(ji)和(he)源(yuan)极(ji)导(dao)(dao)通，故万用表指针偏转(zhuan)，偏转(zhuan)的(de)角度大，放电性(xing)越好。

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