mos管(guan)封(feng)装引(yin)脚(jiao)大全-常(chang)见mos管(guan)封(feng)装引(yin)脚(jiao)图及引(yin)脚(jiao)顺序详解(jie)-KIA MOS管(guan)
信息来源：本(ben)站 日期：2018-11-12
MOS管(guan)的英文(wen)全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体(ti)型场效应(ying)(ying)管(guan),属于(yu)场效应(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)中的绝缘栅型。因此(ci),MOS管(guan)有时(shi)被称为场效应(ying)(ying)管(guan)。在一般电(dian)(dian)子(zi)电(dian)(dian)路中,MOS管(guan)通常(chang)被用(yong)于(yu)放大(da)电(dian)(dian)路或开(kai)关电(dian)(dian)路。而在板(ban)卡上(shang)的电(dian)(dian)源稳(wen)压电(dian)(dian)路中,MOSFET扮演的角(jiao)色主要是判断电(dian)(dian)位。
MOS管(guan)对于整(zheng)个(ge)供电系统而言(yan)起着稳压的作用(yong)。目前(qian)板(ban)卡(ka)上所采(cai)用(yong)的MOS管(guan)并不是太多,一(yi)般(ban)有10个(ge)左右,主要原(yuan)因是大部分(fen)MOS管(guan)被整(zheng)合到IC芯片(pian)中(zhong)去了。由于MOS管(guan)主要作用(yong)是为配件提(ti)供稳定的电压,所以(yi)它一(yi)般(ban)使用(yong)在(zai)CPU、GPU 和插槽等(deng)附近(jin)。MOS管(guan)一(yi)般(ban)是以(yi)上下两个(ge)组(zu)成一(yi)组(zu)的形(xing)式出(chu)现板(ban)卡(ka)上。
MOSFET芯片在制作完(wan)(wan)成之(zhi)后,需要给MOSFET芯片加上(shang)(shang)一个外壳,即(ji)MOS管(guan)(guan)封装(zhuang)。MOSFET芯片的(de)(de)外壳具有支(zhi)撑、保护(hu)、冷却的(de)(de)作用,同(tong)时还为芯片提供电气连接(jie)(jie)和(he)隔离,以便MOSFET器(qi)件(jian)与(yu)其(qi)它元件(jian)构(gou)成完(wan)(wan)整的(de)(de)电路。按照安(an)装(zhuang)在PCB 方式(shi)来(lai)区(qu)分,MOS管(guan)(guan)封装(zhuang)主要有两大类:插入(ru)式(shi)(Through Hole)和(he)表面(mian)贴(tie)装(zhuang)式(shi)(Surface Mount)。插入(ru)式(shi)就是MOSFET的(de)(de)管(guan)(guan)脚穿过PCB的(de)(de)安(an)装(zhuang)孔焊接(jie)(jie)在PCB 上(shang)(shang)。表面(mian)贴(tie)裝则是MOSFET的(de)(de)管(guan)(guan)脚及(ji)散热法兰焊接(jie)(jie)在PCB表面(mian)的(de)(de)焊盘上(shang)(shang)。
TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管(guan)外形”。这是早期的封(feng)(feng)装(zhuang)规格，例(li)如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等(deng)等(deng)都是插入式封(feng)(feng)装(zhuang)设计。近(jin)年(nian)来表面贴装(zhuang)市场(chang)需求(qiu)量增大，TO封(feng)(feng)装(zhuang)也进(jin)展到表面贴装(zhuang)式封(feng)(feng)装(zhuang)。
TO252和TO263就(jiu)是表(biao)面贴(tie)装封装。其(qi)中TO-252又称之(zhi)(zhi)为D-PAK，TO-263又称之(zhi)(zhi)为D2PAK。
D-PAK封装的MOSFET有(you)(you)3个(ge)电(dian)极(ji)(ji)(ji)，栅极(ji)(ji)(ji)（G）、漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)（D）、源极(ji)(ji)(ji)（S）。其(qi)中漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)（D）的引脚被剪断不用(yong)，而(er)是使用(yong)背(bei)面(mian)的散(san)热板作漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)（D），直接焊接在(zai)PCB上，一方(fang)面(mian)用(yong)于(yu)输(shu)出大电(dian)流，一方(fang)面(mian)通过PCB散(san)热。所以(yi)PCB的D-PAK焊盘(pan)有(you)(you)三处，漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)（D）焊盘(pan)较大。
芯片封(feng)(feng)装流行的还是双列直(zhi)(zhi)插封(feng)(feng)装，简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封(feng)(feng)装在当(dang)时(shi)具有适合(he)PCB(印刷(shua)电(dian)路(lu)板)的穿(chuan)孔安装，具有比(bi)TO型封(feng)(feng)装易于对PCB布(bu)线以(yi)及操(cao)作较为方(fang)便(bian)等(deng)(deng)一些特点，其封(feng)(feng)装的结构形式(shi)也很(hen)多(duo)，包括(kuo)多(duo)层陶瓷(ci)双列直(zhi)(zhi)插式(shi)DIP，单层陶瓷(ci)双列直(zhi)(zhi)插式(shi)DIP，引线框架(jia)式(shi)DIP等(deng)(deng)等(deng)(deng)。常(chang)用于功率晶体(ti)管、稳压(ya)芯片的封(feng)(feng)装。
SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体(ti)管(guan)封装(zhuang)(zhuang)。这种封装(zhuang)(zhuang)就是贴片型小功率晶体(ti)管(guan)封装(zhuang)(zhuang)，比TO封装(zhuang)(zhuang)体(ti)积小，一(yi)般(ban)用于小功率MOSFET。常(chang)见(jian)的规格如上。
主板上常用四端引脚(jiao)的SOT-89 MOSFET。
SOP（Small Out-Line Package）的(de)中(zhong)文意思是“小外形(xing)封装”。SOP是表(biao)面贴(tie)装型(xing)封装之(zhi)一，引脚(jiao)从(cong)封装两(liang)侧引出呈海鸥翼状（L 字(zi)形(xing)）。材料(liao)有(you)塑料(liao)和(he)陶瓷两(liang)种。SOP也叫SOL 和(he)DFP。SOP封装标准(zhun)有(you)SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的(de)数(shu)字(zi)表(biao)示引脚(jiao)数(shu)。MOSFET的(de)SOP封装多数(shu)采用SOP-8规(gui)格，业界往(wang)往(wang)把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封装，没有散热(re)底板，散热(re)不良，一般用于小(xiao)功(gong)率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司(si)首先开发的，以后逐渐(jian)派生出(chu)TSOP（薄小(xiao)外形封(feng)(feng)装(zhuang)）、VSOP（甚小(xiao)外形封(feng)(feng)装(zhuang)）、SSOP（缩小(xiao)型SOP）、TSSOP（薄的缩小(xiao)型SOP）等(deng)标准规格。
这(zhei)些派生(sheng)的几(ji)种封装规格中，TSOP和TSSOP常(chang)用于MOSFET封装。
QFN（Quad Flat Non-leaded package）是(shi)(shi)表面(mian)(mian)贴装(zhuang)(zhuang)(zhuang)型封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)之一，中(zhong)文叫做四边无引(yin)线扁平封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)，是(shi)(shi)一种焊盘尺寸小(xiao)、体积(ji)小(xiao)、以塑料作为密封(feng)材料的新兴表面(mian)(mian)贴装(zhuang)(zhuang)(zhuang)芯(xin)片封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)技术。现在(zai)多称(cheng)为LCC。QFN是(shi)(shi)日本电(dian)子机械工(gong)业会规定的名称(cheng)。封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)四边配置(zhi)有电(dian)极(ji)接点，由于无引(yin)线，贴装(zhuang)(zhuang)(zhuang)占有面(mian)(mian)积(ji)比QFP小(xiao)，高度比QFP低(di)。这种封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)也称(cheng)为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来用(yong)于集(ji)成(cheng)电(dian)路的封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)，MOSFET不会采用(yong)的。Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用(yong)QFN-56封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)，56是(shi)(shi)指在(zai)芯(xin)片背面(mian)(mian)有56个连接Pin。
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