mos管(guan)(guan)(guan)引(yin)脚区分-mos管(guan)(guan)(guan)三个引(yin)脚性(xing)能(neng)好坏如何快速判断解析-KIA MOS管(guan)(guan)(guan)
信息来源：本站 日期：2018-11-07
mos管(guan)引(yin)脚区分，首先(xian)我们了(le)解(jie)一下是(shi)(shi)什(shen)么及(ji)它的(de)(de)工作原(yuan)理这些基础知识。MOS管(guan)，即(ji)在(zai)(zai)集(ji)成(cheng)电路中绝缘性场效(xiao)应管(guan)。MOS英文全称(cheng)为金(jin)(jin)属(shu)-氧(yang)化物-半导体，描述了(le)集(ji)成(cheng)电路中的(de)(de)结构，即(ji)：在(zai)(zai)一定结构的(de)(de)半导体器件上，加上二氧(yang)化硅和金(jin)(jin)属(shu)，形(xing)(xing)成(cheng)栅极。MOS管(guan)的(de)(de)source和drain是(shi)(shi)可以对调的(de)(de)，都是(shi)(shi)在(zai)(zai)P型backgate中形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)N型区。
MOS管的(de)(de)(de)工作原(yuan)理（以N沟道(dao)增(zeng)强型MOS场效(xiao)应(ying)管）它是利用VGS来控(kong)(kong)制(zhi)“感(gan)应(ying)电(dian)(dian)荷”的(de)(de)(de)多少，以改(gai)变(bian)(bian)(bian)(bian)由这(zhei)(zhei)些(xie)“感(gan)应(ying)电(dian)(dian)荷”形成(cheng)的(de)(de)(de)导电(dian)(dian)沟道(dao)的(de)(de)(de)状况，然后达到(dao)控(kong)(kong)制(zhi)漏极电(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。在(zai)(zai)制(zhi)造管子时(shi)，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在(zai)(zai)交界面的(de)(de)(de)另一侧能感(gan)应(ying)出较多的(de)(de)(de)负电(dian)(dian)荷，这(zhei)(zhei)些(xie)负电(dian)(dian)荷把高(gao)渗杂质(zhi)的(de)(de)(de)N区接(jie)通，形成(cheng)了导电(dian)(dian)沟道(dao)，即使在(zai)(zai)VGS=0时(shi)也有较大的(de)(de)(de)漏极电(dian)(dian)流(liu)(liu)ID。当栅极电(dian)(dian)压改(gai)变(bian)(bian)(bian)(bian)时(shi)，沟道(dao)内(nei)被感(gan)应(ying)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)荷量也改(gai)变(bian)(bian)(bian)(bian)，导电(dian)(dian)沟道(dao)的(de)(de)(de)宽窄(zhai)也随之而变(bian)(bian)(bian)(bian)，因(yin)而漏极电(dian)(dian)流(liu)(liu)ID随着(zhe)栅极电(dian)(dian)压的(de)(de)(de)变(bian)(bian)(bian)(bian)化而变(bian)(bian)(bian)(bian)化。
1、MOS管符号上的三个脚的辨认要(yao)抓住关键地方(fang) 。G极(ji)，不用说比较好认。S极(ji)，不论(lun)是(shi)P沟(gou)(gou)道还是(shi)N沟(gou)(gou)道，两根(gen)线相交的就是(shi)；D极(ji)，不论(lun)是(shi)P沟(gou)(gou)道还是(shi)N沟(gou)(gou)道，是(shi)单(dan)独引线的那边。
2、他们(men)是N沟(gou)道还是P沟(gou)道？
三个(ge)脚的极(ji)性(xing)判断(duan)(duan)完后，接下就该判断(duan)(duan)是P沟道还是N沟道了：当然(ran)也可以先(xian)判断(duan)(duan)沟道类(lei)型(xing)，再判断(duan)(duan)三个(ge)脚极(ji)性(xing)。先(xian)判断(duan)(duan)是什么沟道，再判断(duan)(duan)三个(ge)脚极(ji)性(xing)。
3、寄生二极管(guan)的方向如何判定(ding)？
接(jie)下(xia)来，是寄生二极(ji)管(guan)的方向判(pan)断(duan)(duan)：它的判(pan)断(duan)(duan)规则就是：N沟道，由S极(ji)指(zhi)向D极(ji)；P沟道，由D极(ji)指(zhi)向S极(ji)。
4、简(jian)单(dan)的(de)(de)判断方(fang)(fang)法，上面方(fang)(fang)法不(bu)太好记，一(yi)个简(jian)单(dan)的(de)(de)识别方(fang)(fang)法是(shi)(shi)：想像DS边的(de)(de)三节断续线是(shi)(shi)连通的(de)(de)）不(bu)论(lun)N沟道(dao)还(hai)是(shi)(shi)P沟道(dao)MOS管(guan)，中间衬底(di)箭头方(fang)(fang)向和寄(ji)生二极管(guan)的(de)(de)箭头方(fang)(fang)向总是(shi)(shi)一(yi)致的(de)(de)：要么都由S指向D，要么都由D指向S。
1、用10K档，内有(you)15伏电(dian)池。可提供导通(tong)电(dian)压。
2、因为栅极等(deng)效于电容(rong)，与任何脚(jiao)不通，不论N管(guan)或P管(guan)都很容(rong)易找出(chu)栅极来，否则是坏管(guan)。
3、利用表(biao)笔对栅(zha)源间正(zheng)向或反向充电(dian)，可使漏源通或断(duan)，且由于栅(zha)极上电(dian)荷(he)能保(bao)持，上述(shu)两(liang)步可分先后，不必同步，方便(bian)。但要放电(dian)时(shi)需(xu)短路管脚或反充。
4、大(da)都源漏间有(you)反并二极管，应注意(yi)，及帮助判断。
5、大都封庄为字面对(dui)自已时，左栅中漏右源。以上前(qian)三(san)点(dian)必需掌(zhang)握，后两点(dian)灵活(huo)运用，很快就能判管(guan)脚(jiao)，分(fen)好(hao)坏。
如果(guo)对新拿到的不明MOS管(guan)，可以通(tong)过测定(ding)来判断脚(jiao)极，只有准确判定(ding)脚(jiao)的排列，才能(neng)正确使(shi)用(yong)。
①栅极G的测定：用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表R&TImes;100档，测任意两脚(jiao)之间正反向(xiang)电(dian)阻(zu)，若(ruo)其中(zhong)某次测得电(dian)阻(zu)为数百(bai)Ω），该两脚(jiao)是D、S，第三脚(jiao)为G。
②漏极D、源极S及类(lei)型判定(ding)：用(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)表(biao)R&TImes;10kΩ档测(ce)D、S问(wen)正反向电(dian)阻(zu)，正向电(dian)阻(zu)约为0.2&TImes;10kΩ，反向电(dian)阻(zu)（5一∞）X100kΩ。在测(ce)反向电(dian)阻(zu)时，红(hong)表(biao)笔不(bu)动，黑表(biao)笔脱离(li)引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两(liang)种情况：
a．若读数由原来较大值变为(wei)(wei)0（0×10kΩ），则红表(biao)笔(bi)所(suo)接为(wei)(wei)S，黑表(biao)笔(bi)为(wei)(wei)D。用黑表(biao)笔(bi)接触G有(you)效(xiao)，使MOS管(guan)D、S间正反向电阻值均为(wei)(wei)0Ω，还(hai)可证明该管(guan)为(wei)(wei)N沟(gou)道。
b．若读(du)数(shu)仍为(wei)较大值，黑(hei)表(biao)笔(bi)不动，改用红表(biao)笔(bi)接(jie)触G，碰一(yi)下之后立(li)即回(hui)到原(yuan)脚(jiao)，此时若读(du)数(shu)为(wei)0Ω，则黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)的是S极、红表(biao)笔(bi)为(wei)D极，用红表(biao)笔(bi)接(jie)触G极有效，该MOS管为(wei)P沟道(dao)。
MOS管，即在(zai)集成(cheng)电路中绝缘性场效应管。MOS英(ying)文全称为金(jin)属-氧化物-半导(dao)体(ti)，描述了集成(cheng)电路中的(de)(de)结(jie)构(gou)(gou)，即：在(zai)一定结(jie)构(gou)(gou)的(de)(de)半导(dao)体(ti)器(qi)件上(shang)，加上(shang)二氧化硅和金(jin)属，形成(cheng)栅极。MOS管的(de)(de)source和drain是可以(yi)对调的(de)(de)，都是在(zai)P型backgate中形成(cheng)的(de)(de)N型区。
MOS管(guan)可(ke)(ke)以(yi)(yi)用(yong)作(zuo)可(ke)(ke)变(bian)(bian)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)也(ye)可(ke)(ke)应(ying)(ying)(ying)用(yong)于(yu)放大(da)(da)。由于(yu)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)放大(da)(da)器的输(shu)入阻(zu)(zu)(zu)抗(kang)(kang)很(hen)(hen)高(gao)(gao)，因此耦合电(dian)容可(ke)(ke)以(yi)(yi)容量较小(xiao)，不(bu)必使用(yong)电(dian)解电(dian)容器。且场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)很(hen)(hen)高(gao)(gao)的输(shu)入阻(zu)(zu)(zu)抗(kang)(kang)非常适合作(zuo)阻(zu)(zu)(zu)抗(kang)(kang)变(bian)(bian)换。常用(yong)于(yu)多级放大(da)(da)器的输(shu)入级作(zuo)阻(zu)(zu)(zu)抗(kang)(kang)变(bian)(bian)换。场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)可(ke)(ke)以(yi)(yi)方便(bian)地用(yong)作(zuo)恒(heng)流(liu)源(yuan)也(ye)可(ke)(ke)以(yi)(yi)用(yong)作(zuo)电(dian)子开(kai)关。
有些(xie)场(chang)效(xiao)应管(guan)的源极(ji)(ji)和漏(lou)极(ji)(ji)可(ke)以(yi)互换使用，栅(zha)压也(ye)可(ke)正可(ke)负(fu)，灵(ling)活性比晶体管(guan)好(hao)。场(chang)效(xiao)应管(guan)能在很(hen)小电(dian)流(liu)和很(hen)低(di)电(dian)压的条件下工作，而且它的制造工艺可(ke)以(yi)很(hen)方便地把很(hen)多(duo)场(chang)效(xiao)应管(guan)集(ji)成在一块硅片上(shang)，因此场(chang)效(xiao)应管(guan)在大规模(mo)集(ji)成电(dian)路中得到了(le)广泛(fan)的应用。
在一般电子电路(lu)中，通常被用于放大(da)电路(lu)或开(kai)关电路(lu)。而(er)在主(zhu)板上的电源(yuan)稳压(ya)电路(lu)中，MOSFET扮演(yan)的角色主(zhu)要是(shi)判断电位(wei)，它在主(zhu)板上常用“Q”加数字表(biao)示。
目前在(zai)主(zhu)板或显卡上所采用的并不是(shi)(shi)太多(duo)，一(yi)般(ban)有10个(ge)左右(you)，主(zhu)要原(yuan)因是(shi)(shi)大(da)部(bu)分被整(zheng)合到IC芯片中去了。由于主(zhu)要是(shi)(shi)为配件提供稳定的电压，所以(yi)它(ta)一(yi)般(ban)使用在(zai)CPU、AGP插槽(cao)和内存(cun)插槽(cao)附近。其中在(zai)CPU与AGP插槽(cao)附近各安(an)排(pai)一(yi)组MOS管，而内存(cun)插槽(cao)则共用了一(yi)组MOS管，一(yi)般(ban)是(shi)(shi)以(yi)两(liang)个(ge)组成一(yi)组的形式出现主(zhu)板上的。
还(hai)有(you)一个非常重要(yao)(yao)的性能参(can)数。主要(yao)(yao)包括环境温(wen)(wen)度、管壳(qiao)温(wen)(wen)度、贮成(cheng)温(wen)(wen)度等。由于CPU频(pin)率的提高，MOS管需要(yao)(yao)承受的电流(liu)也随着增(zeng)强，提供近百A的电流(liu)已经很常见了。
优(you)质的(de)(de)MOS管(guan)(guan)可以(yi)接受(shou)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)峰值(zhi)更高。普通状况下(xia)(xia)我(wo)们要(yao)(yao)判别主(zhu)板上MOS管(guan)(guan)的(de)(de)质量上下(xia)(xia)，能(neng)(neng)够(gou)看它能(neng)(neng)接受(shou)的(de)(de)最(zui)大电(dian)(dian)(dian)流(liu)值(zhi)。影响MOS管(guan)(guan)质量上下(xia)(xia)的(de)(de)参(can)(can)数十分多(duo)，像(xiang)极(ji)端(duan)电(dian)(dian)(dian)流(liu)、极(ji)端(duan)电(dian)(dian)(dian)压(ya)等(deng)(deng)。但在(zai)MOS管(guan)(guan)上无法标(biao)注(zhu)这么(me)多(duo)参(can)(can)数，所(suo)以(yi)在(zai)MOS管(guan)(guan)外表普通只标(biao)注(zhu)了(le)(le)产(chan)品的(de)(de)型号，我(wo)们能(neng)(neng)够(gou)依(yi)据该型号上网查找详细的(de)(de)性能(neng)(neng)参(can)(can)数。 还(hai)要(yao)(yao)阐明的(de)(de)是(shi)，温度(du)(du)也(ye)是(shi)MOS管(guan)(guan)一个十分重要(yao)(yao)的(de)(de)性能(neng)(neng)参(can)(can)数。主(zhu)要(yao)(yao)包括环(huan)境温度(du)(du)、管(guan)(guan)壳温度(du)(du)、贮成温度(du)(du)等(deng)(deng)。由(you)于CPU频率(lv)的(de)(de)进步，MOS管(guan)(guan)需求接受(shou)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)也(ye)随着(zhe)加强(qiang)，提供(gong)近(jin)百A的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)曾经很(hen)常(chang)见了(le)(le)。如此宏大的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)经过时产(chan)生(sheng)的(de)(de)热(re)量当(dang)然使MOS管(guan)(guan)“发烧(shao)”了(le)(le)。为(wei)了(le)(le)MOS管(guan)(guan)的(de)(de)平(ping)安，高质量主(zhu)板也(ye)开端(duan)为(wei)MOS管(guan)(guan)加装散热(re)片了(le)(le)。
经(jing)(jing)过(guo)上面的(de)(de)引见，我们知道(dao)MOS管(guan)关(guan)于(yu)整个供(gong)电(dian)(dian)(dian)(dian)系统起着稳(wen)(wen)压(ya)的(de)(de)作(zuo)用，但(dan)是MOS管(guan)不(bu)能(neng)单(dan)独运(yun)用，它(ta)(ta)必需(xu)和(he)电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)线圈(quan)、电(dian)(dian)(dian)(dian)容等共(gong)同组成的(de)(de)滤波稳(wen)(wen)压(ya)电(dian)(dian)(dian)(dian)路，才干发挥充(chong)沛它(ta)(ta)的(de)(de)优(you)势。 主(zhu)板(ban)上的(de)(de)PWM(PlusWidthModulator，脉冲(chong)(chong)宽度(du)调(diao)制(zhi)器)芯(xin)片产生一个宽度(du)可调(diao)的(de)(de)脉冲(chong)(chong)波形，这(zhei)(zhei)样能(neng)够使(shi)两只MOS管(guan)轮(lun)番导通。当负(fu)载(zai)(zai)两端(duan)(duan)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(如CPU需(xu)求的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya))要(yao)降低时(shi)，这(zhei)(zhei)时(shi)MOS管(guan)的(de)(de)开(kai)(kai)(kai)关(guan)作(zuo)用开(kai)(kai)(kai)端(duan)(duan)生效，外部(bu)(bu)电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)对电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)停止充(chong)电(dian)(dian)(dian)(dian)并(bing)到达所(suo)需(xu)的(de)(de)额定(ding)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)。当负(fu)载(zai)(zai)两端(duan)(duan)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)升高时(shi)，经(jing)(jing)过(guo)MOS管(guan)的(de)(de)开(kai)(kai)(kai)关(guan)作(zuo)用，外部(bu)(bu)电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)供(gong)电(dian)(dian)(dian)(dian)断开(kai)(kai)(kai)，电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)释放出方才充(chong)入(ru)的(de)(de)能(neng)量(liang)，这(zhei)(zhei)时(shi)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)就变成了“电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)”，继续对负(fu)载(zai)(zai)供(gong)电(dian)(dian)(dian)(dian)。随着电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)上存(cun)储(chu)能(neng)量(liang)的(de)(de)不(bu)时(shi)耗费，负(fu)载(zai)(zai)两端(duan)(duan)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)又开(kai)(kai)(kai)端(duan)(duan)逐步降低，外部(bu)(bu)电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)经(jing)(jing)过(guo)MOS管(guan)的(de)(de)开(kai)(kai)(kai)关(guan)作(zuo)用又要(yao)充(chong)电(dian)(dian)(dian)(dian)。这(zhei)(zhei)样循环不(bu)时(shi)地停止充(chong)电(dian)(dian)(dian)(dian)和(he)放电(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)过(guo)程，从而(er)构成一种(zhong)稳(wen)(wen)定(ding)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，永远使(shi)负(fu)载(zai)(zai)两端(duan)(duan)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)不(bu)会升高也不(bu)会降低。
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