半(ban)导(dao)体二(er)极(ji)管主要是依(yi)靠PN结而(er)工(gong)作的(de)。与(yu)PN结不可(ke)分(fen)割的(de)点接触型(xing)(xing)和肖特基型(xing)(xing)，也(ye)...半(ban)导(dao)体二(er)极(ji)管主要是依(yi)靠PN结而(er)工(gong)作的(de)。与(yu)PN结不可(ke)分(fen)割的(de)点接触型(xing)(xing)和肖特基型(xing)(xing)，也(ye)被列(lie)入一般的(de)二(er)极(ji)管的(de)范(fan)围内(nei)，包括这两种型(xing)(xing)号在内(nei)，根据PN结构造面 的(de)特点
MOSFET 全称(cheng)是“金(jin)属(shu)氧气化物半导(dao)体场效(xiao)(xiao)应管(guan)”（Metal Oxide Semi...MOSFET 全称(cheng)是“金(jin)属(shu)氧气化物半导(dao)体场效(xiao)(xiao)应管(guan)”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减损续(xu)流电流在(zai)寄生二极(ji)管(guan)上萌(meng)生...
TVS是(shi)(shi)(shi)瞬(shun)态制(zhi)约(yue)(yue)(yue)二(er)极管，它(ta)主要是(shi)(shi)(shi)制(zhi)约(yue)(yue)(yue)瞬(shun)时(shi)电压尖峰，减损尖峰电压对元部(bu)件的(de)伤耗...TVS是(shi)(shi)(shi)瞬(shun)态制(zhi)约(yue)(yue)(yue)二(er)极管，它(ta)主要是(shi)(shi)(shi)制(zhi)约(yue)(yue)(yue)瞬(shun)时(shi)电压尖峰，减损尖峰电压对元部(bu)件的(de)伤耗，不过(guo)TVS管超过(guo)它(ta)的(de)耐压值后(hou)，会刹那导通短路，反响速度在ns级，而稳(wen)压管是(shi)(shi)(shi)稳(wen)压效(xiao)用(yong)...
MOS管(guan)也有(you)N沟(gou)道(dao)(dao)(dao)和(he)P沟(gou)道(dao)(dao)(dao)之(zhi)分(fen)(fen)，并且每一类又分(fen)(fen)为加强型和(he)耗(hao)尽(jin)型两种，二者(zhe)的差(cha)别...MOS管(guan)也有(you)N沟(gou)道(dao)(dao)(dao)和(he)P沟(gou)道(dao)(dao)(dao)之(zhi)分(fen)(fen)，并且每一类又分(fen)(fen)为加强型和(he)耗(hao)尽(jin)型两种，二者(zhe)的差(cha)别是加强型MOS管(guan)在栅-源电压vGS=0时，漏(lou)-源极之(zhi)间没(mei)有(you)导(dao)电沟(gou)道(dao)(dao)(dao)存在，纵然加上电压vDS（...
快(kuai)(kuai)恢(hui)复(fu)二极管(guan)(guan)是(shi)近年来问(wen)世(shi)的新型(xing)半导体(ti)(ti)器(qi)件(jian)，具有开关(guan)特(te)性好，反向(xiang)恢(hui)复(fu)时间短、...快(kuai)(kuai)恢(hui)复(fu)二极管(guan)(guan)是(shi)近年来问(wen)世(shi)的新型(xing)半导体(ti)(ti)器(qi)件(jian)，具有开关(guan)特(te)性好，反向(xiang)恢(hui)复(fu)时间短、正向(xiang)电流大、体(ti)(ti)积小、安装简便等长处。超快(kuai)(kuai)恢(hui)复(fu)二极管(guan)(guan)），则是(shi)在（快(kuai)(kuai)恢(hui)复(fu)二极管(guan)(guan)）基...
面板，晶(jing)圆(yuan)，原材料，运脚均上升(sheng)，成本压力传(chuan)导至电子制作业，被迫提高(gao)价格(ge)，而(er)...面板，晶(jing)圆(yuan)，原材料，运脚均上升(sheng)，成本压力传(chuan)导至电子制作业，被迫提高(gao)价格(ge)，而(er)单靠提高(gao)价格(ge)策(ce)略(lve)并不可以绝对对付涨价的(de)危机(ji)，大力提高(gao)国内电子制作业实在的(de)力量(liang)，...
