N沟(gou)(gou)道(dao)耗(hao)(hao)(hao)尽(jin)(jin)型(xing)MOS管和(he)N沟(gou)(gou)道(dao)增强型(xing)MOS管的(de)(de)结构基(ji)本相同(tong)。差别在(zai)于(yu)(yu)耗(hao)(hao)(hao)尽(jin)(jin)型(xing)MOS管的(de)(de)Si...N沟(gou)(gou)道(dao)耗(hao)(hao)(hao)尽(jin)(jin)型(xing)MOS管和(he)N沟(gou)(gou)道(dao)增强型(xing)MOS管的(de)(de)结构基(ji)本相同(tong)。差别在(zai)于(yu)(yu)耗(hao)(hao)(hao)尽(jin)(jin)型(xing)MOS管的(de)(de)Si02绝(jue)缘层中掺有(you)大量的(de)(de)正(zheng)离子Na+或K+（制造P沟(gou)(gou)道(dao)耗(hao)(hao)(hao)尽(jin)(jin)型(xing)MOS管时掺人(ren)负离子），故在(zai)UCs...
用(yong)测电阻法(fa)区分(fen)结(jie)型场(chang)效应(ying)管的电极对(dui)VMOSV沟道增强型场(chang)效应(ying)管丈量(liang)跨(kua)导性能时，...用(yong)测电阻法(fa)区分(fen)结(jie)型场(chang)效应(ying)管的电极对(dui)VMOSV沟道增强型场(chang)效应(ying)管丈量(liang)跨(kua)导性能时，可用(yong)红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就(jiu)持平于(yu)在源、漏极之间加了一个反(fan)向电压(ya)。此(ci)...
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找(zhao)到(dao)） Tr：上升时刻(ke)。输(shu)...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找(zhao)到(dao)） Tr：上升时刻(ke)。输(shu)出电压VDS从90%下降到(dao)其幅值10%的时刻(ke) td(on)：MOS导通延迟时刻(ke)，从有驶入(ru)电压上升...
向传(chuan)输(shu)(shu)电(dian)容(rong)(rong) Crss = CGD . Coss:输(shu)(shu)出(chu)电(dian)容(rong)(rong) Coss = CDS +CGD . Ciss:输(shu)(shu)入电(dian)容(rong)(rong)...向传(chuan)输(shu)(shu)电(dian)容(rong)(rong) Crss = CGD . Coss:输(shu)(shu)出(chu)电(dian)容(rong)(rong) Coss = CDS +CGD . Ciss:输(shu)(shu)入电(dian)容(rong)(rong) Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降(jiang)时(shi)刻.输(shu)(shu)出(chu)电(dian)压 VDS 从 10% 上升到其幅值 9...
Mosfet参数(shu)(shu)意义阐(chan)明 Features: Vds： DS击穿电压.当(dang)Vgs=0V时(shi)，MOS的(de)(de)DS所...Mosfet参数(shu)(shu)意义阐(chan)明 Features: Vds： DS击穿电压.当(dang)Vgs=0V时(shi)，MOS的(de)(de)DS所能承受的(de)(de)最大电压 Rds(on)：DS的(de)(de)导通(tong)电阻(zu).当(dang)Vgs=10V时(shi)，MOS的(de)(de)DS之间的(de)(de)电阻(zu) Id：...
P沟道(dao)(dao)(dao)MOS管(guan)工(gong)作(zuo)原理(li)金属氧化物半导体场效应(ying)(MOS)晶(jing)体管(guan)可分为N沟道(dao)(dao)(dao)与P沟道(dao)(dao)(dao)两(liang)(liang)大(da)...P沟道(dao)(dao)(dao)MOS管(guan)工(gong)作(zuo)原理(li)金属氧化物半导体场效应(ying)(MOS)晶(jing)体管(guan)可分为N沟道(dao)(dao)(dao)与P沟道(dao)(dao)(dao)两(liang)(liang)大(da)类(lei)， P沟道(dao)(dao)(dao)硅MOS场效应(ying)晶(jing)体管(guan)在N型硅衬底(di)上(shang)有两(liang)(liang)个P+区(qu)，分别(bie)叫做源极(ji)和漏极(ji)，两(liang)(liang)极(ji)之(zhi)...
