KNB3208A场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管漏(lou)源击(ji)穿电(dian)压85V，漏(lou)极电(dian)流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNB3208A场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管漏(lou)源击(ji)穿电(dian)压85V，漏(lou)极电(dian)流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采(cai)用专(zhuan)有新(xin)沟槽(cao)技术，超低电(dian)阻减少导电(dian)损(sun)耗，最小化开关损(sun)耗；低门电(dian)荷、快...
KNB3306B场效应管(guan)(guan)漏(lou)源(yuan)击穿(chuan)电(dian)压68V，漏(lou)极电(dian)流(liu)(liu)80A，是一(yi)款7-10串保护板专(zhuan)(zhuan)用(yong)(yong)MOS管(guan)(guan)...KNB3306B场效应管(guan)(guan)漏(lou)源(yuan)击穿(chuan)电(dian)压68V，漏(lou)极电(dian)流(liu)(liu)80A，是一(yi)款7-10串保护板专(zhuan)(zhuan)用(yong)(yong)MOS管(guan)(guan)，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电(dian)阻，最大限度地(di)减少导电(dian)损(sun)耗(hao)，最小化开(kai)关损(sun)耗(hao)；开(kai)...
KND3204A场效应管(guan)采用(yong)专有新型沟(gou)槽技术，漏源电压40V，漏极(ji)电流100A，是锂(li)(li)电池...KND3204A场效应管(guan)采用(yong)专有新型沟(gou)槽技术，漏源电压40V，漏极(ji)电流100A，是锂(li)(li)电池保护板专用(yong)MOS管(guan)，RDS（ON），典型值=VGS=10V时为4mΩ（典型值），极(ji)低导通电阻减(jian)少...
KND3502A场效(xiao)(xiao)应(ying)管采(cai)(cai)用先进的沟(gou)槽(cao)技术，漏(lou)源击穿电压(ya)20V，漏(lou)极电流(liu)70A，RDS(on)...KND3502A场效(xiao)(xiao)应(ying)管采(cai)(cai)用先进的沟(gou)槽(cao)技术，漏(lou)源击穿电压(ya)20V，漏(lou)极电流(liu)70A，RDS(on)=7mΩ(typ.) @ VDS=4.5V，提供(gong)卓越的RDS(ON)、低(di)栅(zha)极电荷(he)和栅(zha)极电压(ya)低(di)至2.5V，具有...
KNB2710A场效应(ying)管采用(yong)专有(you)的(de)新(xin)型(xing)沟(gou)槽(cao)技术，可以(yi)替代(dai)(dai)HY3610型(xing)号(hao)应(ying)用(yong)在(zai)锂电(dian)(dian)池保护...KNB2710A场效应(ying)管采用(yong)专有(you)的(de)新(xin)型(xing)沟(gou)槽(cao)技术，可以(yi)替代(dai)(dai)HY3610型(xing)号(hao)应(ying)用(yong)在(zai)锂电(dian)(dian)池保护板、电(dian)(dian)动(dong)车中；漏源击穿电(dian)(dian)压100V，漏极电(dian)(dian)流(liu)160A，RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V ，...
KNB2810A可(ke)以代换3210场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)应(ying)用于电池保护(hu)板、电动(dong)车(che)控(kong)制器、逆变器中，漏(lou)源(yuan)...KNB2810A可(ke)以代换3210场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)应(ying)用于电池保护(hu)板、电动(dong)车(che)控(kong)制器、逆变器中，漏(lou)源(yuan)击穿电压100V，漏(lou)极(ji)电流150A，RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V ，低导通电阻RDS（On）...
