MOSFET的封装(zhuang)形(xing)式(shi)(shi)技术也直接(jie)影响到(dao)芯片(pian)的性能和(he)品(pin)质，对同样(yang)的芯片(pian)以不同形(xing)式(shi)(shi)的...MOSFET的封装(zhuang)形(xing)式(shi)(shi)技术也直接(jie)影响到(dao)芯片(pian)的性能和(he)品(pin)质，对同样(yang)的芯片(pian)以不同形(xing)式(shi)(shi)的封装(zhuang)，也能提高芯片(pian)的性能。所以芯片(pian)的封装(zhuang)技术是非常重(zhong)要的。以安装(zhuang)在PCB的方式(shi)(shi)区...
双极(ji)型(xing)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管把(ba)输(shu)入端(duan)(duan)电流(liu)的微(wei)小变(bian)化(hua)放大后，在输(shu)出(chu)端(duan)(duan)输(shu)出(chu)一个大的电流(liu)变(bian)化(hua)。双...双极(ji)型(xing)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管把(ba)输(shu)入端(duan)(duan)电流(liu)的微(wei)小变(bian)化(hua)放大后，在输(shu)出(chu)端(duan)(duan)输(shu)出(chu)一个大的电流(liu)变(bian)化(hua)。双极(ji)型(xing)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管的增益就定义为输(shu)出(chu)输(shu)入电流(liu)之比（beta）。另一种晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管，叫做(zuo)场效应管（...
MOS驱(qu)(qu)动(dong)(dong)(dong)器主要起波(bo)形(xing)整形(xing)和(he)加强驱(qu)(qu)动(dong)(dong)(dong)的(de)(de)(de)作用(yong):如果MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)G信号(hao)波(bo)形(xing)不够陡(dou)峭，在(zai)点...MOS驱(qu)(qu)动(dong)(dong)(dong)器主要起波(bo)形(xing)整形(xing)和(he)加强驱(qu)(qu)动(dong)(dong)(dong)的(de)(de)(de)作用(yong):如果MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)G信号(hao)波(bo)形(xing)不够陡(dou)峭，在(zai)点评切换阶段(duan)会造成大量(liang)电能损耗(hao)其副作用(yong)是降(jiang)低(di)电路转(zhuan)换效率(lv)，MOS管(guan)(guan)发热严重，易热损...
现(xian)有的(de)(de)(de)很(hen)多小信号放大(da)(da)电(dian)路(lu)都是由(you)晶体管(guan)或(huo)MOS管(guan)的(de)(de)(de)放大(da)(da)电(dian)路(lu)构成，其(qi)(qi)(qi)功率有限，不(bu)...现(xian)有的(de)(de)(de)很(hen)多小信号放大(da)(da)电(dian)路(lu)都是由(you)晶体管(guan)或(huo)MOS管(guan)的(de)(de)(de)放大(da)(da)电(dian)路(lu)构成，其(qi)(qi)(qi)功率有限，不(bu)能把电(dian)路(lu)的(de)(de)(de)功率做得很(hen)大(da)(da)。随着现(xian)代逆变技术(shu)的(de)(de)(de)逐步(bu)成熟，尤其(qi)(qi)(qi)是SPWM逆变技术(shu)，使信号...
MOS管是金属(Metal)—氧化物(wu)(Oxid)—半导(dao)体(Semiconductor)场(chang)效(xiao)应晶体管。市面...MOS管是金属(Metal)—氧化物(wu)(Oxid)—半导(dao)体(Semiconductor)场(chang)效(xiao)应晶体管。市面上常(chang)有的一(yi)般为N沟(gou)道和(he)P沟(gou)道。N沟(gou)道的电源(yuan)一(yi)般接(jie)在D，输(shu)出(chu)S，P沟(gou)道的电源(yuan)一(yi)般接(jie)在S，...
MOS管(guan)检测仪，包括(kuo)电(dian)(dian)(dian)源、中(zhong)间继电(dian)(dian)(dian)器、三(san)个按(an)键(jian)(jian)开(kai)关(guan)(guan)、MOS管(guan)固(gu)定支架、N沟(gou)道发(fa)光(guang)...MOS管(guan)检测仪，包括(kuo)电(dian)(dian)(dian)源、中(zhong)间继电(dian)(dian)(dian)器、三(san)个按(an)键(jian)(jian)开(kai)关(guan)(guan)、MOS管(guan)固(gu)定支架、N沟(gou)道发(fa)光(guang)二极(ji)管(guan)、P沟(gou)道发(fa)光(guang)二极(ji)管(guan)和小灯(deng)负载，其中(zhong)一(yi)个按(an)键(jian)(jian)开(kai)关(guan)(guan)为金属材料，与MOS管(guan)栅极(ji)相(xiang)连...
