电(dian)(dian)(dian)容就是指(zhi)(zhi)在两(liang)个金(jin)属(shu)电(dian)(dian)(dian)极(ji)中(zhong)间夹-层绝(jue)缘(yuan)介质，当两(liang)个电(dian)(dian)(dian)极(ji)间加上电(dian)(dian)(dian)压(ya)时(shi)，电(dian)(dian)(dian)极(ji)上...电(dian)(dian)(dian)容就是指(zhi)(zhi)在两(liang)个金(jin)属(shu)电(dian)(dian)(dian)极(ji)中(zhong)间夹-层绝(jue)缘(yuan)介质，当两(liang)个电(dian)(dian)(dian)极(ji)间加上电(dian)(dian)(dian)压(ya)时(shi)，电(dian)(dian)(dian)极(ji)上贮存的电(dian)(dian)(dian)荷能将(jiang)电(dian)(dian)(dian)能与电(dian)(dian)(dian)场能量互相转(zhuan)化的二(er)端元(yuan)件。因而，能够(gou)说电(dian)(dian)(dian)容是-种储能i亡件...
开关(guan)屯源(yuan)常用(yong)的控制(zhi)方(fang)式有脉(mai)冲(chong)宽度(du)调耐(nai)(PWM、脉(mai)冲(chong)频率调制(zhi)(PFM)和(he)混合调制(zhi)三种...开关(guan)屯源(yuan)常用(yong)的控制(zhi)方(fang)式有脉(mai)冲(chong)宽度(du)调耐(nai)(PWM、脉(mai)冲(chong)频率调制(zhi)(PFM)和(he)混合调制(zhi)三种。目前大多数开关(guan)电源(yuan)都(dou)采用(yong)了(le)PWM控制(zhi)。在髅开关(guan)电源(yuan)中(zhong)．如(ru)开关(guan)MOS管(guan)老(lao)是(shi)周期性地通...
电感(gan)是由(you)导线一圈靠(kao)一阁地绕在绝(jue)缘(yuan)(yuan)管(guan)上(shang)制(zhi)成的(de)(de)，导线彼此互相绝(jue)缘(yuan)(yuan)，而绝(jue)缘(yuan)(yuan)管(guan)既(ji)可...电感(gan)是由(you)导线一圈靠(kao)一阁地绕在绝(jue)缘(yuan)(yuan)管(guan)上(shang)制(zhi)成的(de)(de)，导线彼此互相绝(jue)缘(yuan)(yuan)，而绝(jue)缘(yuan)(yuan)管(guan)既(ji)可以是空心的(de)(de)，也可以包含铁芯(xin)或磁(ci)粉(fen)芯(xin)。广义上(shang)讲，电感(gan)就是能将电能与磁(ci)场能量相互转...
开关(guan)损(sun)耗(hao)与功(gong)率(lv)(lv)管(guan)的(de)cgd和(he)cgs以(yi)(yi)(yi)及芯(xin)片的(de)驱动(dong)能(neng)力(li)(li)和(he)工作频率(lv)(lv)有关(guan)，所以(yi)(yi)(yi)要解(jie)(jie)决功(gong)率(lv)(lv)...开关(guan)损(sun)耗(hao)与功(gong)率(lv)(lv)管(guan)的(de)cgd和(he)cgs以(yi)(yi)(yi)及芯(xin)片的(de)驱动(dong)能(neng)力(li)(li)和(he)工作频率(lv)(lv)有关(guan)，所以(yi)(yi)(yi)要解(jie)(jie)决功(gong)率(lv)(lv)管(guan)的(de)发烧可(ke)以(yi)(yi)(yi)从以(yi)(yi)(yi)下几个方面解(jie)(jie)决：A、不能(neng)片面根据(ju)导通电阻大小来选择MOS功(gong)率(lv)(lv)管(guan)，由...
是基于电(dian)-机-电(dian)的(de)工(gong)作机理，不存(cun)在绕(rao)组和(he)磁芯，可以做的(de)很(hen)薄(bo)，使电(dian)源轻、小、薄(bo)...是基于电(dian)-机-电(dian)的(de)工(gong)作机理，不存(cun)在绕(rao)组和(he)磁芯，可以做的(de)很(hen)薄(bo)，使电(dian)源轻、小、薄(bo)成(cheng)为(wei)可能(neng)。较为(wei)典型的(de)应用是升压(ya)型压(ya)电(dian)陶瓷变压(ya)器(qi)在冷阴极荧(ying)光灯(CCFL)驱动电(dian)源的(de)应...
MOS管(guan)为(wei)三(san)(san)端器(qi)件(jian)，适当连接这三(san)(san)个(ge)端，MOS管(guan)就变成两(liang)真(zhen)个(ge)有(you)源电阻(zu)。实际上所节(jie)省...MOS管(guan)为(wei)三(san)(san)端器(qi)件(jian)，适当连接这三(san)(san)个(ge)端，MOS管(guan)就变成两(liang)真(zhen)个(ge)有(you)源电阻(zu)。实际上所节(jie)省的面(mian)积远不止此，由于(yu)多晶(jing)硅条的电阻(zu)率很难达到(dao)100 Ω/□。这样(yang)可以使W/L接近于(yu)1且...
