瞬(shun)时(shi)(shi)正弦(xian)(xian)半(ban)波输(shu)入电(dian)压 。当(dang)导(dao)通时(shi)(shi)间(jian)国(guo)定(ding)时(shi)(shi)，关断时(shi)(shi)间(jian)与凡(fan) 有(you)关并(bing)按(an)式 C 15...瞬(shun)时(shi)(shi)正弦(xian)(xian)半(ban)波输(shu)入电(dian)压 。当(dang)导(dao)通时(shi)(shi)间(jian)国(guo)定(ding)时(shi)(shi)，关断时(shi)(shi)间(jian)与凡(fan) 有(you)关并(bing)按(an)式 C 15.18)改动(dong)。因而频率 随着正弦(xian)(xian)半(ban)波电(dian)压飞 改动(dong)。电(dian)感(gan)L 的值要(yao)设计得相(xiang)当(dang)小 ，但(dan)要(yao)可(ke)以...
磁(ci)放大器只(zhi)是用(yong)来调理(li)辅输(shu)出(chu)电压(ya) 。它经过控(kong)制初(chu)始磁(ci)通(tong)(tong)密(mi)度(du) Bl 来控(kong)制输(shu) 出(chu)。B...磁(ci)放大器只(zhi)是用(yong)来调理(li)辅输(shu)出(chu)电压(ya) 。它经过控(kong)制初(chu)始磁(ci)通(tong)(tong)密(mi)度(du) Bl 来控(kong)制输(shu) 出(chu)。Bl 越(yue)(yue)低，关断时间(jian) tb 越(yue)(yue)长，即导(dao)通(tong)(tong)时间(jian) tf 越(yue)(yue)短 ，直流输(shu)出(chu)电压(ya)越(yue)(yue)低 。
两个(ge)相同(tong)的单端正激变(bian)换器交替工作(zuo) （ 各占半个(ge)周期） ，其(qi)次级电(dian)流(liu)经过 整(zheng)流(liu)二...两个(ge)相同(tong)的单端正激变(bian)换器交替工作(zuo) （ 各占半个(ge)周期） ，其(qi)次级电(dian)流(liu)经过 整(zheng)流(liu)二极管(guan)相加 其(qi)拓扑。这种拓扑的优点(dian)是每周期有两个(ge)功率脉冲 ，且每个(ge)变(bian)换器只(zhi)提供(gong)总输...
交流(liu)开关 （电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)间(jian)的(de)(de) “堆(dui)叠”） 损(sun)(sun)耗由(you)于在 T=O 后很短(duan)(duan)的(de)(de)时间(jian)内(nei) ，电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)呈...交流(liu)开关 （电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)间(jian)的(de)(de) “堆(dui)叠”） 损(sun)(sun)耗由(you)于在 T=O 后很短(duan)(duan)的(de)(de)时间(jian)内(nei) ，电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)呈现无(wu)量大阻抗 ，所(suo)以变压(ya)器漏感(gan)会使集电(dian)(dian)(dian)(dian)极电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)下 降很快。虽(sui)然(ran)电(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)上的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)不能突变...
在设计电(dian)路时(shi)，首先(xian)要决议为PWM芯片供电(dian)的(de)辅(fu)助电(dian)源(yuan)是接(jie)输(shu)出地还是接(jie)输(shu)入地。在...在设计电(dian)路时(shi)，首先(xian)要决议为PWM芯片供电(dian)的(de)辅(fu)助电(dian)源(yuan)是接(jie)输(shu)出地还是接(jie)输(shu)入地。在大(da)多数场所中，输(shu)入地和输(shu)出地之间都有(you)直流(liu)隔离。带负载(zai)的(de)输(shu)出端接(jie)输(shu)出地。主(zhu)开(kai)关功...
在过(guo)去的(de)十(shi)几(ji)年(nian)中，大(da)功(gong)率(lv)场效(xiao)应管(guan)引发(fa)了电源(yuan)工(gong)(gong)业的(de)反动(dong)，而且(qie)大(da)大(da)地促进(jin)了电子...在过(guo)去的(de)十(shi)几(ji)年(nian)中，大(da)功(gong)率(lv)场效(xiao)应管(guan)引发(fa)了电源(yuan)工(gong)(gong)业的(de)反动(dong)，而且(qie)大(da)大(da)地促进(jin)了电子工(gong)(gong)业的(de)展开。由于MOSFET管(guan)具(ju)有更(geng)快的(de)开关速度，电源(yuan)开关频率(lv)可以做得更(geng)高，可以从5...
