图(tu)中有(you)两个(ge)型号(hao)的(de)MOS管(guan)，Q1是(shi)(shi)(shi)N沟(gou)道MOS管(guan)（型号(hao)是(shi)(shi)(shi)FDN335N），Q2是(shi)(shi)(shi)P沟(gou)道MOS管(guan)（型...图(tu)中有(you)两个(ge)型号(hao)的(de)MOS管(guan)，Q1是(shi)(shi)(shi)N沟(gou)道MOS管(guan)（型号(hao)是(shi)(shi)(shi)FDN335N），Q2是(shi)(shi)(shi)P沟(gou)道MOS管(guan)（型号(hao)是(shi)(shi)(shi)AO3401）。MOS是(shi)(shi)(shi)通过控(kong)制栅极和源极之间(jian)的(de)电压差（Vgs）来(lai)实现(xian)导通和截(jie)止的(de)。
如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通...如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS
在PFC电路(lu)中，常用的(de)结(jie)(jie)构(gou)是(shi)BOOST电路(lu)，功率MOSFET工作在开(kai)关(guan)(guan)状(zhuang)(zhuang)态(tai)，将输(shu)(shu)入的(de)电流...在PFC电路(lu)中，常用的(de)结(jie)(jie)构(gou)是(shi)BOOST电路(lu)，功率MOSFET工作在开(kai)关(guan)(guan)状(zhuang)(zhuang)态(tai)，将输(shu)(shu)入的(de)电流斩波(bo)为(wei)和(he)输(shu)(shu)入正(zheng)弦波(bo)电压同相位的(de)、具有正(zheng)弦波(bo)包(bao)络线(xian)的(de)开(kai)关(guan)(guan)电流波(bo)形，从而提高输(shu)(shu)入的(de)...
MOS管(guan)3203 30V100A参(can)数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采(cai)用(yong)CRM(CQ)先(xian)进沟(gou)槽(cao)MO...MOS管(guan)3203 30V100A参(can)数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采(cai)用(yong)CRM(CQ)先(xian)进沟(gou)槽(cao)MOS技术 极低通阻RDS(通) 符合JEDEC标准
MOS管有(you)如下参(can)数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有(you)如下参(can)数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
1、跟双极性晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)(guan)相比,一般认为使MOS管(guan)(guan)(guan)导通不需要电流(liu),只要GS电压(Vbe类似)高(gao)...1、跟双极性晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)(guan)相比,一般认为使MOS管(guan)(guan)(guan)导通不需要电流(liu),只要GS电压(Vbe类似)高(gao)于一定(ding)的值,就可(ke)以了。 MOS管(guan)(guan)(guan)和晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)(guan)向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s...
