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MOSFET：全(quan)称是“”（Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor）

为减损(sun)续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)在(zai)寄生(sheng)二极管上萌(meng)生(sheng)的(de)伤耗(hao)，在(zai)一点应用(yong)中运(yun)用(yong) MOSFET 作为逆(ni)变元件。因(yin)为 MOFSET 具备导通(tong)阻(zu)抗(kang)低、电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)可以双向流(liu)(liu)(liu)(liu)动(dong)的(de)独(du)特的(de)地方，在(zai) M1 关断，进入了续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)阶段时(shi)，疏(shu)导 M 2，使续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)流(liu)(liu)(liu)(liu)经 M2，因(yin)为 MOSFET 的(de)导通(tong)阻(zu)抗(kang)极低，伤耗(hao)细小，例如(ru)当续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)为 10A， MOSFET 导通(tong)电(dian)(dian)阻(zu) 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时(shi)，若续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)流(liu)(liu)(liu)(liu)经 D2 时(shi)萌(meng)生(sheng)伤耗(hao)为 7W， 而流(liu)(liu)(liu)(liu)经MOSFET 时(shi)萌(meng)生(sheng)伤耗(hao)仅为 1W，因(yin)为这个运(yun)用(yong)这种(zhong)扼(e)制形式可以减损(sun)伤耗(hao)，增(zeng)长(zhang)逆(ni)变器(qi)的(de)效率，在(zai)续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)大(da)的(de)事(shi)情(qing)状况下(xia)效果更加表面化。这种(zhong)扼(e)制形式亦称为同(tong)步(bu)整(zheng)流(liu)(liu)(liu)(liu)。

MOSFET管是(shi)FET的(de)一(yi)种(另一(yi)种是(shi)JFET)，可以(yi)被制导致(zhi)加(jia)强型(xing)或耗尽型(xing)，P沟(gou)道(dao)或N沟(gou)道(dao)共4品类型(xing)，但(dan)实际应用的(de)只有加(jia)强型(xing)的(de)N沟(gou)道(dao)MOS管和加(jia)强型(xing)的(de)P沟(gou)道(dao)MOS管，所以(yi)一(yi)般提到(dao)NMOS，还是(shi)PMOS指(zhi)的(de)就是(shi)这两(liang)种。

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