什么是pmos管
PMOS是指n型衬管底(di)、p沟道，靠空(kong)穴的流(liu)动运送电流(liu)的MOS管。
P沟(gou)道(dao)MOS晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)空穴迁移率低，因(yin)而(er)在(zai)MOS晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)几何尺(chi)寸和(he)工(gong)作(zuo)电压绝对(dui)(dui)值(zhi)(zhi)相等的(de)(de)(de)(de)情况下(xia)，PMOS晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)跨导(dao)(dao)小(xiao)于N沟(gou)道(dao)MOS晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)。此外，P沟(gou)道(dao)MOS晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)阈(yu)值(zhi)(zhi)电压的(de)(de)(de)(de)绝对(dui)(dui)值(zhi)(zhi)一般偏(pian)高，要(yao)求有较高的(de)(de)(de)(de)工(gong)作(zuo)电压。它的(de)(de)(de)(de)供电电源(yuan)的(de)(de)(de)(de)电压大小(xiao)和(he)极性(xing)，与双极型(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)——晶(jing)(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)逻(luo)辑电路(lu)不兼容。PMOS因(yin)逻(luo)辑摆幅大，充电放电过程长(zhang)，加之器件(jian)跨导(dao)(dao)小(xiao)，所以工(gong)作(zuo)速度更低，在(zai)NMOS电路(lu)（见N沟(gou)道(dao)金属—氧(yang)化物—半导(dao)(dao)体(ti)(ti)(ti)(ti)集成电路(lu)）出现(xian)之后，多数已为NMOS电路(lu)所取代。只(zhi)是(shi)，因(yin)PMOS电路(lu)工(gong)艺简单，价格便(bian)宜，有些中规模和(he)小(xiao)规模数字控制电路(lu)仍采用PMOS电路(lu)技术。
P沟道MOS管开关电路工作原理
金(jin)属氧(yang)化(hua)物半导体(ti)场效应(ying)(ying)(MOS)晶(jing)体(ti)管(guan)可分为N沟(gou)(gou)道(dao)与P沟(gou)(gou)道(dao)两大类， P沟(gou)(gou)道(dao)硅(gui)MOS场效应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)在N型(xing)硅(gui)衬底(di)上(shang)有两个P+区，分别叫做源(yuan)极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)，两极(ji)(ji)之间不通导，柵极(ji)(ji)上(shang)加有足够的(de)(de)(de)正(zheng)电压(ya)(源(yuan)极(ji)(ji)接地)时，柵极(ji)(ji)下的(de)(de)(de)N型(xing)硅(gui)表(biao)面呈现P型(xing)反型(xing)层，成为衔接源(yuan)极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)的(de)(de)(de)沟(gou)(gou)道(dao)。改动栅压(ya)可以(yi)改动沟(gou)(gou)道(dao)中(zhong)的(de)(de)(de)电子(zi)密度，从而改动沟(gou)(gou)道(dao)的(de)(de)(de)电阻。这种(zhong)MOS场效应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)称(cheng)为P沟(gou)(gou)道(dao)增强型(xing)场效应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)。假设N型(xing)硅(gui)衬底(di)表(biao)面不加栅压(ya)就已存在P型(xing)反型(xing)层沟(gou)(gou)道(dao)，加上(shang)恰当的(de)(de)(de)偏压(ya)，可使沟(gou)(gou)道(dao)的(de)(de)(de)电阻增大或减小(xiao)。这样的(de)(de)(de)MOS场效应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)称(cheng)为P沟(gou)(gou)道(dao)耗(hao)尽型(xing)场效应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)。统称(cheng)为PMOS晶(jing)体(ti)管(guan)。
P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS晶体(ti)(ti)管的(de)(de)(de)(de)空穴迁移率低(di)(di)，因而在(zai)MOS晶体(ti)(ti)管的(de)(de)(de)(de)几何尺寸和工作(zuo)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)绝对(dui)值相等(deng)的(de)(de)(de)(de)情况下，PMOS晶体(ti)(ti)管的(de)(de)(de)(de)跨导小于(yu)N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS晶体(ti)(ti)管。此外，P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS晶体(ti)(ti)管阈值电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)(de)绝对(dui)值普通(tong)(tong)偏高(gao)(gao)，恳求有较高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)工作(zuo)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)。它的(de)(de)(de)(de)供电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)源的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)大(da)小和极性，与双极型晶体(ti)(ti)管——晶体(ti)(ti)管逻辑电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)不兼容。PMOS因逻辑摆幅(fu)大(da)，充电(dian)(dian)(dian)放电(dian)(dian)(dian)过(guo)程长，加之器(qi)件(jian)跨导小，所(suo)以工作(zuo)速度(du)更低(di)(di)，在(zai)P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS管开关电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(见N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)金属—氧化物(wu)—半导体(ti)(ti)集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu))呈现之后，多数已为NMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)所(suo)取代。只(zhi)是，因PMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)工艺简单，价钱低(di)(di)价，有些中范围和小范围数字控制电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)仍(reng)采用PMOS电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)技(ji)术。PMOS的(de)(de)(de)(de)特性，Vgs小于(yu)一定的(de)(de)(de)(de)值就会导通(tong)(tong)，适宜用于(yu)源极接VCC时的(de)(de)(de)(de)情况（高(gao)(gao)端驱动）。但(dan)是，固然PMOS可以很(hen)便(bian)当地用作(zuo)高(gao)(gao)端驱动，但(dan)由(you)于(yu)导通(tong)(tong)电(dian)(dian)(dian)阻大(da)，价钱贵，交流种(zhong)类少等(deng)缘由(you)，在(zai)高(gao)(gao)端驱动中，通(tong)(tong)常还(hai)是运用NMOS。
正常工作时，P沟道(dao)增(zeng)强型MOS管的(de)衬(chen)底(di)(di)必(bi)需与源(yuan)极相连，而漏心极的(de)电(dian)压Vds应(ying)为负(fu)值，以保(bao)证两个P区与衬(chen)底(di)(di)之间的(de)PN结均为反偏，同时为了(le)在衬(chen)底(di)(di)顶表面左近构成导(dao)电(dian)沟道(dao)，栅极对源(yuan)极的(de)电(dian)压Vgs也应(ying)为负(fu)。
1．Ｖds≠Ｏ的情况(kuang)导(dao)电沟道构(gou)成以后，ＤＳ间(jian)加负向电压时(shi)，那么在(zai)源(yuan)极与漏极之间(jian)将有漏极电流Ｉd流通，而(er)(er)且Ｉd随(sui)Vds而(er)(er)增加．Ｉd沿沟道产生(sheng)的压降使(shi)沟道上各(ge)点与栅(zha)极间(jian)的电压不再相等，该电压削(xue)弱了(le)栅(zha)极中负电荷(he)电场的作用(yong)，使(shi)沟道从(cong)漏极到(dao)源(yuan)极逐(zhu)渐变窄．当Ｖds增大到(dao)使(shi)Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在(zai)漏极左近呈现预(yu)夹断．
2．导(dao)电(dian)沟(gou)道(dao)的(de)(de)构成（Ｖds＝0）当Vds=0时，在(zai)(zai)栅源之间(jian)加(jia)负(fu)电(dian)压Vgs，由于绝缘层(ceng)(ceng)的(de)(de)存在(zai)(zai)，故没有电(dian)流，但是金属栅极被补充电(dian)而聚集负(fu)电(dian)荷，Ｎ型(xing)(xing)半导(dao)体(ti)(ti)中的(de)(de)多子(zi)电(dian)子(zi)被负(fu)电(dian)荷排(pai)斥向体(ti)(ti)内运动(dong)，表面(mian)留下带正电(dian)的(de)(de)离子(zi)，构成耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)，随着Ｇ、Ｓ间(jian)负(fu)电(dian)压的(de)(de)增加(jia)，耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)加(jia)宽，当Vgs增大(da)到一定值时，衬底中的(de)(de)空穴（少子(zi)）被栅极中的(de)(de)负(fu)电(dian)荷吸(xi)收到表面(mian)，在(zai)(zai)耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)和(he)绝缘层(ceng)(ceng)之间(jian)构成一个Ｐ型(xing)(xing)薄层(ceng)(ceng)，称(cheng)反(fan)型(xing)(xing)层(ceng)(ceng)，这(zhei)个反(fan)型(xing)(xing)层(ceng)(ceng)就构成漏源之间(jian)的(de)(de)导(dao)电(dian)沟(gou)道(dao)，这(zhei)时的(de)(de)Ｖgs称(cheng)为开启(qi)电(dian)压Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加(jia)，衬底表面(mian)感(gan)应的(de)(de)空穴越(yue)多，反(fan)型(xing)(xing)层(ceng)(ceng)加(jia)宽，而耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)的(de)(de)宽度却不(bu)再变化，这(zhei)样我们(men)可以用Vgs的(de)(de)大(da)小(xiao)控制导(dao)电(dian)沟(gou)道(dao)的(de)(de)宽度。
P沟道MOS管开关电路
下图(tu)是两种(zhong)(zhong)P沟(gou)道MOS管开关电路(lu)(lu)(lu)应用：其中第一种(zhong)(zhong)NMOS管为(wei)高(gao)(gao)电平导通，低电平截(jie)断，Drain端接后面(mian)电路(lu)(lu)(lu)的接地端；第二种(zhong)(zhong)为(wei)P沟(gou)道MOS管开关电路(lu)(lu)(lu)，为(wei)高(gao)(gao)电平断开，低电平导通，Drain端接后面(mian)电路(lu)(lu)(lu)的VCC端。
首先要进(jin)行MOSFET的(de)(de)(de)选择，MOSFET有两大类(lei)型(xing)：N沟(gou)道和P沟(gou)道。在功率系统(tong)中，MOSFET可被看成(cheng)电(dian)(dian)气(qi)开(kai)(kai)(kai)关(guan)。当在N沟(gou)道MOSFET的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)和源极(ji)间加上正电(dian)(dian)压时(shi)(shi)(shi)，其(qi)开(kai)(kai)(kai)关(guan)导通(tong)。导通(tong)时(shi)(shi)(shi)，电(dian)(dian)流(liu)(liu)可经(jing)开(kai)(kai)(kai)关(guan)从漏(lou)极(ji)流(liu)(liu)向(xiang)源极(ji)。漏(lou)极(ji)和源极(ji)之间存在一个(ge)内(nei)阻(zu)，称为导通(tong)电(dian)(dian)阻(zu)RDS(ON)。必须(xu)清楚(chu)MOSFET的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)是个(ge)高阻(zu)抗端，因此，总是要在栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)加上一个(ge)电(dian)(dian)压。这就是后面介绍电(dian)(dian)路图中栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)所接电(dian)(dian)阻(zu)至地。如果栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)为悬空，器件(jian)将不能按设(she)计意图工作(zuo)，并可能在不恰当的(de)(de)(de)时(shi)(shi)(shi)刻(ke)导通(tong)或关(guan)闭，导致系统(tong)产生潜(qian)在的(de)(de)(de)功率损耗。当源极(ji)和栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)间的(de)(de)(de)电(dian)(dian)压为零时(shi)(shi)(shi)，P沟(gou)道MOS管(guan)开(kai)(kai)(kai)关(guan)电(dian)(dian)路关(guan)闭，而(er)电(dian)(dian)流(liu)(liu)停止通(tong)过(guo)器件(jian)。虽(sui)然这时(shi)(shi)(shi)器件(jian)已经(jing)关(guan)闭，但仍然有微小电(dian)(dian)流(liu)(liu)存在，这称之为漏(lou)电(dian)(dian)流(liu)(liu)，即IDSS。
第一步：选用N沟道还是P沟道
为设计选择正确器件(jian)的第(di)一步是(shi)决定采(cai)用N沟(gou)道(dao)(dao)还是(shi)P沟(gou)道(dao)(dao)MOSFET。在典型的功(gong)率应用中(zhong)，当(dang)一个(ge)MOSFET接(jie)(jie)地(di)(di)，而(er)负(fu)载(zai)连接(jie)(jie)到干线电(dian)(dian)压(ya)(ya)上时，该MOSFET就(jiu)构成(cheng)了低(di)压(ya)(ya)侧(ce)(ce)开关(guan)。在低(di)压(ya)(ya)侧(ce)(ce)开关(guan)中(zhong)，应采(cai)用N沟(gou)道(dao)(dao)MOSFET，这(zhei)是(shi)出(chu)于(yu)对(dui)(dui)关(guan)闭或导通器件(jian)所需电(dian)(dian)压(ya)(ya)的考虑。当(dang)MOSFET连接(jie)(jie)到总线及负(fu)载(zai)接(jie)(jie)地(di)(di)时，就(jiu)要(yao)用高压(ya)(ya)侧(ce)(ce)开关(guan)。通常(chang)会在这(zhei)个(ge)拓扑中(zhong)采(cai)用P沟(gou)道(dao)(dao)MOS管(guan)开关(guan)电(dian)(dian)路(lu)，这(zhei)也(ye)是(shi)出(chu)于(yu)对(dui)(dui)电(dian)(dian)压(ya)(ya)驱动的考虑。
第二步：确定额定电流
第(di)二步是(shi)(shi)选择MOSFET的(de)(de)额定(ding)电流(liu)(liu)。视电路结(jie)构(gou)而定(ding)，该(gai)额定(ding)电流(liu)(liu)应是(shi)(shi)负载在所(suo)有情况下能(neng)够(gou)承(cheng)受(shou)的(de)(de)最大(da)电流(liu)(liu)。与电压的(de)(de)情况相似，设计(ji)人员必须确保所(suo)选的(de)(de)MOSFET能(neng)承(cheng)受(shou)这个额定(ding)电流(liu)(liu)，即使在系统产生尖(jian)峰电流(liu)(liu)时。两个考虑的(de)(de)电流(liu)(liu)情况是(shi)(shi)连续模式和(he)脉冲尖(jian)峰。该(gai)参数以(yi)FDN304P管DATASHEET为参考，参数如图所(suo)示：
在连续(xu)导通(tong)模式下(xia)，MOSFET处(chu)于(yu)稳态，此时电(dian)流(liu)连续(xu)通(tong)过(guo)器件。脉冲尖峰是指有大量电(dian)涌(或(huo)尖峰电(dian)流(liu))流(liu)过(guo)器件。一旦确定了这(zhei)些条(tiao)件下(xia)的(de)最大电(dian)流(liu)，只(zhi)需直接选择能承受这(zhei)个最大电(dian)流(liu)的(de)器件便可。
选(xuan)好额定电(dian)(dian)(dian)流后(hou)，还必须计(ji)算导(dao)(dao)通(tong)损耗(hao)。在(zai)实际情况下，MOSFET并不是(shi)理想的(de)(de)器(qi)(qi)件，因(yin)为(wei)在(zai)导(dao)(dao)电(dian)(dian)(dian)过程(cheng)中会有电(dian)(dian)(dian)能损耗(hao)，这称之为(wei)导(dao)(dao)通(tong)损耗(hao)。MOSFET在(zai)“导(dao)(dao)通(tong)”时就(jiu)(jiu)像一个(ge)可变(bian)电(dian)(dian)(dian)阻，由器(qi)(qi)件的(de)(de)RDS(ON)所确定，并随温度(du)而显著变(bian)化(hua)。器(qi)(qi)件的(de)(de)功(gong)率(lv)耗(hao)损可由Iload2×RDS(ON)计(ji)算，由于(yu)(yu)导(dao)(dao)通(tong)电(dian)(dian)(dian)阻随温度(du)变(bian)化(hua)，因(yin)此功(gong)率(lv)耗(hao)损也会随之按比例变(bian)化(hua)。对(dui)MOSFET施加的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)VGS越高，RDS(ON)就(jiu)(jiu)会越小；反之RDS(ON)就(jiu)(jiu)会越高。对(dui)系统设计(ji)人员来说(shuo)，这就(jiu)(jiu)是(shi)取决于(yu)(yu)系统电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)而需要折(zhe)中权衡的(de)(de)地方(fang)。对(dui)便携(xie)式(shi)设计(ji)来说(shuo)，采用较(jiao)低的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)比较(jiao)容易(较(jiao)为(wei)普遍)，而对(dui)于(yu)(yu)工业设计(ji)，可采用较(jiao)高的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)。注意RDS(ON)电(dian)(dian)(dian)阻会随着电(dian)(dian)(dian)流轻微上(shang)升。关于(yu)(yu)RDS(ON)电(dian)(dian)(dian)阻的(de)(de)各(ge)种电(dian)(dian)(dian)气(qi)参数变(bian)化(hua)可在(zai)制(zhi)造商提供(gong)的(de)(de)技术资料(liao)表中查到。
第三步：确定热要求
选择MOSFET的(de)(de)下一步是计算(suan)系统(tong)的(de)(de)散(san)热(re)要求。设计人(ren)员必须考虑两种不同的(de)(de)情(qing)况，即最坏情(qing)况和真实情(qing)况。建议采用针对最坏情(qing)况的(de)(de)计算(suan)结(jie)果，因为这个结(jie)果提供更大(da)的(de)(de)安全余量，能确保系统(tong)不会失效。在MOSFET的(de)(de)资料表(biao)上还(hai)有一些需(xu)要注意的(de)(de)测量数(shu)据；比如封装器(qi)件(jian)的(de)(de)半导体结(jie)与环境之间的(de)(de)热(re)阻(zu)，以及(ji)最大(da)的(de)(de)结(jie)温。
器件的(de)结温(wen)等于最(zui)大(da)(da)环(huan)(huan)境温(wen)度(du)(du)加上热阻与功率耗散的(de)乘积(结温(wen)=最(zui)大(da)(da)环(huan)(huan)境温(wen)度(du)(du)+[热阻×功率耗散])。根据这(zhei)个方程(cheng)可解出(chu)系统(tong)的(de)最(zui)大(da)(da)功率耗散，即(ji)按(an)定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将(jiang)要(yao)(yao)通过器件的(de)最(zui)大(da)(da)电流，因此可以计算出(chu)不同温(wen)度(du)(du)下的(de)RDS(ON)。值(zhi)得注意的(de)是，在(zai)处(chu)理简单热模型时，设计人员还(hai)必须考虑半(ban)导体结/器件外壳(qiao)及外壳(qiao)/环(huan)(huan)境的(de)热容量；即(ji)要(yao)(yao)求(qiu)印(yin)刷(shua)电路板和封装不会(hui)立即(ji)升(sheng)温(wen)。
通常(chang)，一(yi)个(ge)P沟道MOS管(guan)开关电路PMOS管(guan)，会有寄生的(de)(de)二极(ji)管(guan)存在，该二极(ji)管(guan)的(de)(de)作用是防(fang)止源漏端反接，对(dui)于PMOS而(er)(er)言，比起NMOS的(de)(de)优势(shi)在于它的(de)(de)开启电压(ya)可以为(wei)0，而(er)(er)DS电压(ya)之间(jian)电压(ya)相(xiang)差不(bu)(bu)大(da)，而(er)(er)NMOS的(de)(de)导通条件要(yao)求VGS要(yao)大(da)于阈(yu)值，这将导致(zhi)控制电压(ya)必然大(da)于所需的(de)(de)电压(ya)，会出(chu)现不(bu)(bu)必要(yao)的(de)(de)麻烦。选用PMOS作为(wei)控制开关，有下面两种应(ying)用：
第一种(zhong)应用，P沟道MOS管(guan)(guan)开(kai)关电(dian)路由PMOS来进(jin)行电(dian)压(ya)的(de)选(xuan)择，当V8V存(cun)在时(shi)(shi)，此时(shi)(shi)电(dian)压(ya)全部由V8V提供，将PMOS关闭，VBAT不(bu)提供电(dian)压(ya)给VSIN，而(er)当V8V为低(di)时(shi)(shi)，VSIN由8V供电(dian)。注意(yi)(yi)R120的(de)接(jie)地(di)，该(gai)电(dian)阻(zu)能(neng)将栅极电(dian)压(ya)稳(wen)定(ding)地(di)拉(la)低(di)，PMOS管(guan)(guan)经典开(kai)关电(dian)路确(que)保PMOS的(de)正常开(kai)启，这(zhei)也是前文所描述的(de)栅极高阻(zu)抗所带(dai)来的(de)状(zhuang)态隐患。D9和D10的(de)作用在于防止电(dian)压(ya)的(de)倒灌。D9可以省略。这(zhei)里要注意(yi)(yi)到实(shi)际上该(gai)电(dian)路的(de)DS接(jie)反，这(zhei)样(yang)由附生二极管(guan)(guan)导通导致了开(kai)关管(guan)(guan)的(de)功能(neng)不(bu)能(neng)达到，实(shi)际应用要注意(yi)(yi)。
来看这(zhei)个(ge)电(dian)(dian)路，控(kong)制信号(hao)PGC控(kong)制V4.2是否(fou)给P_GPRS供电(dian)(dian)。此电(dian)(dian)路中(zhong)，源漏两(liang)端没有(you)接反，R110与R113存(cun)在的(de)(de)意义在于R110控(kong)制栅(zha)极电(dian)(dian)流不至于过大，R113控(kong)制栅(zha)极的(de)(de)常态，将(jiang)R113上(shang)(shang)拉(la)为(wei)(wei)高，截(jie)至PMOS，同(tong)时也(ye)可以(yi)看作是对控(kong)制信号(hao)的(de)(de)上(shang)(shang)拉(la)，当MCU内部(bu)管脚并没有(you)上(shang)(shang)拉(la)时，即输出为(wei)(wei)开(kai)漏时，并不能驱动PMOS关(guan)闭，此时，就需要外(wai)部(bu)电(dian)(dian)压给予的(de)(de)上(shang)(shang)拉(la)，所以(yi)电(dian)(dian)阻R113起到了两(liang)个(ge)作用。R110可以(yi)更小，到100欧(ou)姆也(ye)可。
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