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一、判断结型场效应管的电极

将万用(yong)表拨至R×100档，红(hong)表笔任(ren)意接一个脚(jiao)管，黑(hei)表笔则(ze)接另一个脚(jiao)管，使第三(san)(san)脚(jiao)悬空(kong)。若发现(xian)表针有(you)轻微(wei)摆动，就证明第三(san)(san)脚(jiao)为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用(yong)人体靠近(jin)或者(zhe)用(yong)手指触(chu)摸(mo)悬空(kong)脚(jiao)，只要看到表针作大幅度(du)偏转，即说明悬空(kong)脚(jiao)是栅极，其余二脚(jiao)分别是源极和漏极。

判断理(li)由：JFET的(de)输入电(dian)(dian)阻(zu)(zu)大(da)于(yu)(yu)100MΩ，并且跨(kua)导很高，当栅(zha)极(ji)(ji)开路时空间电(dian)(dian)磁场很容(rong)易(yi)在栅(zha)极(ji)(ji)上感(gan)(gan)应出(chu)电(dian)(dian)压信号，使(shi)管子趋于(yu)(yu)截(jie)止，或趋于(yu)(yu)导通。若将(jiang)人体感(gan)(gan)应电(dian)(dian)压直接加在栅(zha)极(ji)(ji)上，由于(yu)(yu)输入干扰信号较强(qiang)，上述现象会(hui)更加明显。如(ru)表(biao)针向(xiang)(xiang)左(zuo)侧大(da)幅(fu)度(du)(du)偏(pian)转(zhuan)，就意味(wei)着管子趋于(yu)(yu)截(jie)止，漏-源极(ji)(ji)间电(dian)(dian)阻(zu)(zu)RDS增大(da)，漏-源极(ji)(ji)间电(dian)(dian)流减小IDS。反之，表(biao)针向(xiang)(xiang)右侧大(da)幅(fu)度(du)(du)偏(pian)转(zhuan)，说明管子趋向(xiang)(xiang)导通，RDS↓，IDS↑。但表(biao)针究竟向(xiang)(xiang)哪个方向(xiang)(xiang)偏(pian)转(zhuan)，应视感(gan)(gan)应电(dian)(dian)压的(de)极(ji)(ji)性（正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压或反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压）及管子的(de)工作(zuo)点而定(ding)。

注意事项：

（1）试验表明，当两手(shou)(shou)与D、S极绝缘(yuan)，只摸(mo)栅极时，表针一般向左偏(pian)转。但(dan)是，如果两手(shou)(shou)分别接触D、S极，并且用手(shou)(shou)指摸(mo)住栅极时，有可能观察(cha)到表针向右偏(pian)转的情形。其原因(yin)是人体(ti)几(ji)个部位和(he)电阻对场效应(ying)管(guan)起到偏(pian)置作用，使之进(jin)入饱和(he)区。

（2）也可以用舌(she)尖舔住栅极，现象同上。

二、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体方法：用万(wan)用表(biao)电(dian)(dian)阻(zu)的(de)R×100档(dang)，红表(biao)笔(bi)接(jie)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)S，黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)漏(lou)极(ji)(ji)D，给场(chang)效应(ying)管(guan)加(jia)(jia)上1.5V的(de)电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)电(dian)(dian)压(ya)(ya)，此时表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)指示(shi)出的(de)漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)间的(de)电(dian)(dian)阻(zu)值。然(ran)后(hou)用手捏住结型场(chang)效应(ying)管(guan)的(de)栅(zha)极(ji)(ji)G，将人(ren)体的(de)感应(ying)电(dian)(dian)压(ya)(ya)信号(hao)加(jia)(jia)到栅(zha)极(ji)(ji)上。这样(yang)，由于(yu)管(guan)的(de)放(fang)大(da)作用，漏(lou)源(yuan)(yuan)电(dian)(dian)压(ya)(ya)VDS和漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流Ib都要发(fa)生变化，也就是漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)间电(dian)(dian)阻(zu)发(fa)生了(le)变化，由此可以观察到表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)有较大(da)幅度的(de)摆动(dong)。如果(guo)手捏栅(zha)极(ji)(ji)表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)摆动(dong)较小，说明(ming)(ming)管(guan)的(de)放(fang)大(da)能(neng)力(li)较差(cha);表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)摆动(dong)较大(da)，表(biao)明(ming)(ming)管(guan)的(de)放(fang)大(da)能(neng)力(li)大(da);若(ruo)表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)不(bu)动(dong)，说明(ming)(ming)管(guan)是坏的(de)。

根据上述方法，我们(men)用万用表(biao)的(de)R×100档，测(ce)结(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)管3DJ2F。先将管的(de)G极开(kai)路(lu)，测(ce)得漏源电(dian)阻RDS为(wei)600Ω，用手捏住G极后，表(biao)针向(xiang)左摆(bai)动，指示(shi)的(de)电(dian)阻RDS为(wei)12kΩ，表(biao)针摆(bai)动的(de)幅度较大，说(shuo)明该管是好的(de)，并有(you)较大的(de)放大能力。

运用(yong)(yong)这(zhei)(zhei)种方(fang)法时要(yao)说明几点：首先，在测试场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)用(yong)(yong)手(shou)捏(nie)住栅(zha)(zha)极(ji)时，万用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)可(ke)能(neng)向(xiang)右摆(bai)(bai)动(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值减小)，也可(ke)能(neng)向(xiang)左摆(bai)(bai)动(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值增加)。这(zhei)(zhei)是(shi)由于(yu)人体感应(ying)(ying)(ying)的(de)交流电(dian)(dian)(dian)压较(jiao)高，而不(bu)同的(de)场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)用(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)档测量时的(de)工作点可(ke)能(neng)不(bu)同(或(huo)者工作在饱(bao)和区或(huo)者在不(bu)饱(bao)和区)所(suo)致，试验表(biao)(biao)(biao)明，多数管(guan)(guan)(guan)的(de)RDS增大(da)，即表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)左摆(bai)(bai)动;少数管(guan)(guan)(guan)的(de)RDS减小，使表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)右摆(bai)(bai)动。但无论表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)(bai)动方(fang)向(xiang)如何，只(zhi)要(yao)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)(bai)动幅度(du)较(jiao)大(da)，就说明管(guan)(guan)(guan)有(you)较(jiao)大(da)的(de)放大(da)能(neng)力。第(di)二，此方(fang)法对(dui)MOS场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)也适用(yong)(yong)。但要(yao)注意(yi)，MOS场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)输人电(dian)(dian)(dian)阻(zu)高，栅(zha)(zha)极(ji)G允许的(de)感应(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)压不(bu)应(ying)(ying)(ying)过高，所(suo)以(yi)不(bu)要(yao)直接用(yong)(yong)手(shou)去(qu)捏(nie)栅(zha)(zha)极(ji)，必须用(yong)(yong)于(yu)握螺丝刀的(de)绝(jue)缘柄(bing)，用(yong)(yong)金(jin)属杆去(qu)碰触栅(zha)(zha)极(ji)，以(yi)防止人体感应(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)荷直接加到栅(zha)(zha)极(ji)，引起栅(zha)(zha)极(ji)击穿(chuan)。第(di)三，每次测量完毕，应(ying)(ying)(ying)当(dang)G-S极(ji)间短(duan)路一下。这(zhei)(zhei)是(shi)因为G-S结电(dian)(dian)(dian)容上(shang)会充(chong)有(you)少量电(dian)(dian)(dian)荷，建立起VGS电(dian)(dian)(dian)压，造成再进行(xing)测量时表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)可(ke)能(neng)不(bu)动，只(zhi)有(you)将(jiang)G-S极(ji)间电(dian)(dian)(dian)荷短(duan)路放掉才行(xing)。

三、用测电阻法判别无标志的场效应管

首先(xian)用测(ce)(ce)量电(dian)阻(zu)(zu)的(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)找出(chu)两(liang)(liang)(liang)个有电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)的(de)(de)管(guan)脚，也就(jiu)是源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S和漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D，余下(xia)两(liang)(liang)(liang)个脚为(wei)第一栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1和第二栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G2。把先(xian)用两(liang)(liang)(liang)表(biao)笔(bi)测(ce)(ce)的(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S与漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D之间的(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)记下(xia)来(lai)(lai)，对调表(biao)笔(bi)再(zai)测(ce)(ce)量一次，把其测(ce)(ce)得(de)电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)记下(xia)来(lai)(lai)，两(liang)(liang)(liang)次测(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)较大的(de)(de)一次，黑表(biao)笔(bi)所(suo)接的(de)(de)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D;红表(biao)笔(bi)所(suo)接的(de)(de)为(wei)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。用这种(zhong)方(fang)(fang)法(fa)判别出(chu)来(lai)(lai)的(de)(de)S、D极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，还(hai)可(ke)以用估测(ce)(ce)其管(guan)的(de)(de)放(fang)大能(neng)(neng)力(li)的(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)进(jin)行验证，即放(fang)大能(neng)(neng)力(li)大的(de)(de)黑表(biao)笔(bi)所(suo)接的(de)(de)是D极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji);红表(biao)笔(bi)所(suo)接地是8极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，两(liang)(liang)(liang)种(zhong)方(fang)(fang)法(fa)检测(ce)(ce)结果均(jun)应一样。当确(que)定了(le)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D、源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S的(de)(de)位(wei)置后，按D、S的(de)(de)对应位(wei)置装(zhuang)人电(dian)路，一般G1、G2也会依次对准(zhun)位(wei)置，这就(jiu)确(que)定了(le)两(liang)(liang)(liang)个栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)位(wei)置，从而就(jiu)确(que)定了(le)D、S、G1、G2管(guan)脚的(de)(de)顺序。

四、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOSN沟(gou)道增(zeng)强(qiang)型场效应管(guan)测(ce)量跨(kua)导(dao)(dao)性(xing)能时，可用(yong)红(hong)表(biao)笔接源(yuan)极(ji)S、黑(hei)表(biao)笔接漏极(ji)D，这就相(xiang)当于(yu)在源(yuan)、漏极(ji)之间加了一个反(fan)(fan)向电压(ya)。此(ci)时栅极(ji)是开路的(de)，管(guan)的(de)反(fan)(fan)向电阻值是很不稳定(ding)的(de)。将万用(yong)表(biao)的(de)欧姆档(dang)选在R×10kΩ的(de)高阻档(dang)，此(ci)时表(biao)内电压(ya)较高。当用(yong)手接触栅极(ji)G时，会发现管(guan)的(de)反(fan)(fan)向电阻值有明显地变化(hua)，其变化(hua)越大，说明管(guan)的(de)跨(kua)导(dao)(dao)值越高;如(ru)果被测(ce)管(guan)的(de)跨(kua)导(dao)(dao)很小，用(yong)此(ci)法测(ce)时，反(fan)(fan)向阻值变化(hua)不大。

五、场效应管的使用注意事项

1)为了(le)安(an)全使用场(chang)效应管，在线路(lu)的设计中(zhong)不能超过管的耗散功率，最大漏源电(dian)压、最大栅(zha)源电(dian)压和最大电(dian)流等参数的极(ji)限值。

2)各类(lei)型场(chang)效应管在使用时，都要严格按要求的偏置(zhi)接人电路中，要遵守场(chang)效应管偏置(zhi)的极性。如(ru)结型场(chang)效应管栅源漏之间是PN结，N沟(gou)道管栅极不(bu)能(neng)加(jia)正(zheng)偏压;P沟(gou)道管栅极不(bu)能(neng)加(jia)负偏压，等(deng)等(deng)。

3)MOS场效应(ying)(ying)管(guan)由于输(shu)人(ren)阻抗极(ji)(ji)高，所以在(zai)运输(shu)、贮藏中必须(xu)将引出脚短路，要(yao)用金(jin)属屏蔽包装，以防(fang)止(zhi)外来感应(ying)(ying)电势将栅极(ji)(ji)击穿。尤其要(yao)注(zhu)意，不能将MOS场效应(ying)(ying)管(guan)放人(ren)塑料盒子(zi)内，保存时(shi)最好放在(zai)金(jin)属盒内，同时(shi)也要(yao)注(zhu)意管(guan)的防(fang)潮(chao)。

4)为(wei)了防止场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)栅极感(gan)应击(ji)穿，要求(qiu)一切测试仪器、工作台、电烙铁(tie)、线路(lu)本身(shen)都必须(xu)有良(liang)好的(de)(de)接(jie)地(di);管(guan)(guan)(guan)(guan)脚在焊接(jie)时(shi)(shi)，先焊源极;在连入电路(lu)之(zhi)前(qian)，管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)全部引线端(duan)保(bao)持互相(xiang)短(duan)接(jie)状态，焊接(jie)完后才把(ba)短(duan)接(jie)材料去掉;从(cong)元器件架上(shang)取(qu)下管(guan)(guan)(guan)(guan)时(shi)(shi)，应以适当的(de)(de)方式确(que)保(bao)人体接(jie)地(di)如采用接(jie)地(di)环等(deng);当然，如果能(neng)采用先进的(de)(de)气热型电烙铁(tie)，焊接(jie)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)是(shi)比较方便的(de)(de)，并(bing)且确(que)保(bao)安(an)(an)全;在未关断电源时(shi)(shi)，绝(jue)对不可以把(ba)管(guan)(guan)(guan)(guan)插人电路(lu)或从(cong)电路(lu)中拔出(chu)。以上(shang)安(an)(an)全措施在使(shi)用场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)时(shi)(shi)必须(xu)注意。

5)在安(an)装(zhuang)场(chang)效应管(guan)(guan)(guan)时(shi)，注(zhu)意安(an)装(zhuang)的位(wei)置要尽量避免靠近发(fa)热(re)元件;为了(le)防管(guan)(guan)(guan)件振(zhen)动，有必要将管(guan)(guan)(guan)壳体紧固起来;管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)引线在弯(wan)曲时(shi)，应当大于根部尺寸5毫米处进(jin)行，以防止弯(wan)断(duan)管(guan)(guan)(guan)脚(jiao)和引起漏气(qi)等(deng)。

对(dui)于功率(lv)型场(chang)(chang)效应管，要有良好的散热条件。因(yin)为功率(lv)型场(chang)(chang)效应管在(zai)高负荷条件下运用，必须(xu)设计足(zu)够的散热器，确保壳体温度(du)不超过额定(ding)值，使(shi)器件长期稳(wen)定(ding)可(ke)靠地(di)工作。

总之，确保场(chang)效(xiao)(xiao)应管安全(quan)使用，要注意(yi)的(de)(de)事(shi)项是多种多样(yang)，采取的(de)(de)安全(quan)措施也是各种各样(yang)，广大(da)的(de)(de)专业(ye)技术人员，特别(bie)是广大(da)的(de)(de)电子爱好者，都要根据自己的(de)(de)实(shi)际情况出发，采取切实(shi)可(ke)行的(de)(de)办法，安全(quan)有效(xiao)(xiao)地(di)用好场(chang)效(xiao)(xiao)应管。

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