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KPX8610A厂(chang)家直销 8610A -35A/-100V PDF中文资料(liao)文件-KIA MOS管

信息来(lai)源:本站 日(ri)期:2018-06-01 

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1.KPX8610Cmos管特征

RDS (on) = 42m VGS=10V

100%EAS保证

兼(jian)容(rong)RoHS

超低门电荷(he)

Cdv/dt效应下降

先(xian)进(jin)的(de)高(gao)密度槽(cao)道技术(shu)

KPX8610A

2.KPX8610Cmos管描述

该KPX8610C采用(yong)先进的沟(gou)道MOSFET技术,提供优良的R DS(ON)和其他(ta)应用(yong)范(fan)围

KPX8610C可满足RoHS和Green的需求,适用于许(xu)多其它应用。

KPX8610C产品(pin)要(yao)求:100%EAS保(bao)证,功(gong)能可靠(kao)。


3.KPX8610C参数范围

产品型号(hao):KPX8610C

工(gong)作(zuo)方式(shi):-35A/-100V

漏源电压:-1000V

栅源电压:±20A

漏电流连续:-35A

脉冲漏极(ji)电流:100A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

热(re)电阻:62℃/V

漏源击(ji)穿(chuan)电压(ya):-1μA

栅(zha)极阈值电(dian)压:-1.0V

输(shu)入电(dian)容:4060PF

输出(chu)电(dian)容:120PF

上升时间:50ns

封装形式:TO-251、252


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系(xi)地址:深圳市福田区车公庙(miao)天安数码城天吉(ji)大(da)厦(sha)CD座5C1


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KPX8610A

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