4N60mos管现货供应(ying)商 KIA4N60 4A/600V参数 PDF文件下载(zai)-KIA 官网
信息来源:本(ben)站 日(ri)期:2018-03-21
KIA4N60HN沟(gou)道增强型硅栅(zha)功率MOSFET是(shi)专为高电压,高速功率开(kai)关(guan)应用(yong),如开(kai)关(guan)稳(wen)压器(qi),开(kai)关(guan)变(bian)换器(qi),螺线管,电机驱动(dong)器(qi),继电器(qi)驱动(dong)程序
RDS(ON)= 2.3Ω@ VGS = 10v
低(di)栅极电荷(典(dian)型的13.5nc)
高耐用性
快速切(qie)换(huan)的(de)能(neng)力
雪崩能量
改(gai)进的dt/dt能力
产品型号:KIA4N60
工作方(fang)式(shi):4A/600V
漏源电压:600V
栅源电压:±30A
漏电流(liu)连续:4.0A
脉冲漏极(ji)电(dian)流:16A
雪崩(beng)电流(liu):9.3mJ
雪崩(beng)能量(liang):180mJ
耗(hao)散功率:93W
热电(dian)阻:62.5℃/W
漏源击穿电压:600V
温度系数(shu):0.6V/℃
栅(zha)极阈值(zhi)电压:2.0V
输入(ru)电容(rong):500PF
输出电容:45PF
上升时间:32ns
封(feng)装(zhuang)形(xing)式:TO-251、252、220、220F、262
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KIA4N60 |
产品编号 | KIA4N60 4A/600V |
产品特征 |
RDS(ON)= 2.3Ω@ VGS = 10v 低栅极(ji)电荷(典型的13.5nc) 高耐用(yong)性 快速(su)切换的能(neng)力(li) 雪崩能量 改进的dt/dt能力 |
适用范围 |
适用功率开关应用,如开关稳压器,开关变换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序等 |
封装形式 | TO-251、252、220、220F、262 |
PDF文件 |
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LOGO |
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厂家 | KIA原厂家 |
网址 | www.kiaic.com |
PDF页总数 | 总6页 |
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联系电话:0755-83888366-8022
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