KIA原厂家mos场效应管 KNX8103A N沟道 30A /30V PDF文件下载(zai)-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-03-16
KNX8103A最(zui)高(gao)性(xing)能沟(gou)槽N沟(gou)道(dao)MOSFET极端高(gao)的(de)(de)密度(du)，为大(da)多(duo)数(shu)的(de)(de)同步降压转(zhuan)换器(qi)，优良的(de)(de)导通电(dian)阻和(he)栅极电(dian)荷(he)应用，kia30n03b符合ROHS环保和(he)绿色产品的(de)(de)要求，保证100% EAS全功能可(ke)靠(kao)性(xing)认可(ke)。
RDS(on) =15m? @ VDS =30V
先进的高(gao)密度沟槽技术
超级的
低栅极电(dian)荷(he)
优良的CDV / dt效(xiao)应递减
100% EAS保证
绿色的可(ke)用设备
MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换(huan)器高(gao)频点
网络(luo)化DC-DC电源系统(tong)
负荷开关(guan)
产品型号：KNX8103A
工作方式：30A/30V
漏源电压(ya)：30V
栅源电压：±20A
漏电流(liu)连续：18A
脉冲漏极电(dian)流(liu)：60A
雪崩电流：21A
雪崩能(neng)量：72mJ
耗散功率：25W
热电(dian)阻：62℃/W
漏源击穿电压(ya)：30V
栅极阈(yu)值电压：0.023V/℃
温度系数：1.0V
输入(ru)电容：572PF
输(shu)出电容：81PF
上升时间：6.0ns
封装形式：TO-251、252
RDS(on) =15m? @ VDS =30V
先进的高密度(du)沟槽(cao)技术
超级的
低栅(zha)极电荷
优良的CDV / dt效应递(di)减
100% EAS保证
绿色的可(ke)用设(she)备
MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换(huan)器(qi)高(gao)频点
网(wang)络化DC-DC电源系统
负荷开关(guan)
KNX8103A N沟道MOSFET
产品编号
KNX8103A 30A/30V
产品描述
KNX8103A最高性能沟槽N沟道MOSFET极端高的密度，为大多数的同步降压转换器，优良的导通电阻和栅极电荷应用，kia30n03b符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性认可
产品特征
适用范围
封装形式
TO-251、252
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厂家
KIA原厂家
网址
shkegan.com
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联(lian)系方式(shi)：邹(zou)先生(sheng)
联(lian)系电话(hua)：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
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