KIA原厂家(jia)mos场效应管(guan) KNX8103A N沟道 30A /30V PDF文件下(xia)载-KIA官网(wang)
信息来源：本站(zhan) 日期：2018-03-16
KNX8103A最高(gao)性能(neng)(neng)沟槽N沟道(dao)MOSFET极端高(gao)的密(mi)度，为大多数的同步降压转换器(qi)，优良的导通(tong)电(dian)阻和栅极电(dian)荷应用(yong)，kia30n03b符合ROHS环保(bao)和绿色产品(pin)的要求，保(bao)证100% EAS全功(gong)能(neng)(neng)可靠性认可。
RDS(on) =15m? @ VDS =30V
先进的高密度沟(gou)槽技术
超(chao)级的
低栅极电荷
优(you)良的CDV / dt效应递减(jian)
100% EAS保证
绿色的可(ke)用设(she)备
MB /铌/注(zhu)意/ VGA负载同步(bu)Buck变换(huan)器高频点
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
产品型号：KNX8103A
工作方式：30A/30V
漏源电(dian)压：30V
栅(zha)源电(dian)压(ya)：±20A
漏电流连续(xu)：18A
脉冲(chong)漏极(ji)电流(liu)：60A
雪崩电流(liu)：21A
雪(xue)崩(beng)能量：72mJ
耗散功率：25W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：30V
栅极(ji)阈值电(dian)压：0.023V/℃
温(wen)度系数(shu)：1.0V
输入电(dian)容(rong)：572PF
输出电容：81PF
上升时间：6.0ns
封装形式：TO-251、252
RDS(on) =15m? @ VDS =30V
先进的高密度沟槽技(ji)术
超(chao)级(ji)的
低(di)栅极电荷
优良(liang)的CDV / dt效应递减(jian)
100% EAS保证
绿色的可(ke)用设备
MB /铌(ni)/注意/ VGA负载同步Buck变换(huan)器高频点
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
KNX8103A N沟道MOSFET
产品编号
KNX8103A 30A/30V
产品描述
KNX8103A最高性能沟槽N沟道MOSFET极端高的密度，为大多数的同步降压转换器，优良的导通电阻和栅极电荷应用，kia30n03b符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性认可
产品特征
适用范围
封装形式
TO-251、252
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厂家
KIA原厂家
网址
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