4660A mos管现货供(gong)应商(shang) KIA4660A 7.5A/600V PDF文件下载(zai)-KIA 官网
信息(xi)来源：本站 日期：2018-03-16
KIA4660A是(shi)功率MOSFET采用(yong)起亚`平面条形(xing)DMOS工艺生产的(de)先进。这先进的(de)技术已特别定制(zhi)，以(yi)尽量减少对国家的(de)阻力，提(ti)供优越的(de)。开关(guan)性能，在雪崩和换(huan)相(xiang)模(mo)式下承受高(gao)能量脉冲。这些器件(jian)非常(chang)适用(yong)于高(gao)效率(lv)开关电源(yuan)(yuan)，有源(yuan)(yuan)功率(lv)因数校(xiao)正。基于半桥(qiao)拓扑。
RDS(on) =1.0?(典型(xing)值) @ VGS =10V
超低栅极电荷（典型的27nc）
低反(fan)向转移电容
快(kuai)速切换的(de)能力
雪崩能量测试
改(gai)进的dv / dt的能力，高耐用性
产品(pin)型号：KIA4660A
工作(zuo)方式：7.5A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：7.5A
脉(mai)冲漏极电(dian)流：28A
雪(xue)崩能量：215mJ
耗散功率：1.1W/℃
热(re)电(dian)阻(zu)：62.5℃/W
漏源击(ji)穿电压：600V
温(wen)度系数：0.6V/℃
栅极(ji)阈值电压(ya)：2.0V
输入(ru)电容：900PF
输出电容：100PF
上升时间(jian)：45ns
封装形式：TO-263
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KIA4660A |
| 产品编号 | KIA4660A 7.5A/600V |
| 产品(pin)描述 |
KIA4660A是功率(lv)(lv)(lv)MOSFET采(cai)用起亚`平(ping)面条形DMOS工艺生产的先进。这(zhei)先进的技术(shu)已特别(bie)定(ding)制，以(yi)尽量减(jian)少(shao)对国家的阻力，提供优越的。开(kai)关(guan)性能(neng)，在雪崩(beng)和(he)换相(xiang)模式下承(cheng)受高能(neng)量脉冲。这(zhei)些(xie)器件(jian)非常适用于高效率(lv)(lv)(lv)开(kai)关(guan)电源，有源功率(lv)(lv)(lv)因数校(xiao)正。基(ji)于半桥拓扑(pu)。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V 超低(di)栅极电荷（典型的27nc） 低反向(xiang)转(zhuan)移电容 快速(su)切换的能力 雪(xue)崩能(neng)量测试 改进的dv / dt的能力，高(gao)耐用性 |
| 封(feng)装形式 | TO-263 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家(jia) |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总6页 |
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