6650A现货供应商mos管 KIA6650A 15A/500V PDF文(wen)件下载(zai)-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-03-15
KNX6650A通道增强型硅栅(zha)功率MOSFET的(de)高电压(ya)设计，高速(su)功率开(kai)关应用，如高效率开(kai)关电源，有源基于半桥拓(tuo)扑结构的(de)功率因数校正电子镇流器
专有的新(xin)平面(mian)技术
RDS(ON),typ. =0.33 Ω@VGS =10V
低门电(dian)荷最小(xiao)化开(kai)关损耗(hao)
快速恢复体二极管
产品型(xing)号：KNX6650A
工作方式：15A/500V
漏源电压(ya)：500V
栅(zha)源电压：±30A
漏(lou)电流连续：15A
脉冲漏极(ji)电(dian)流：6A
雪崩能量：1000mJ
耗(hao)散(san)功率(lv)：60W
热电阻：62℃/W
漏源(yuan)击(ji)穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2148PF
输出电容：208PF
上升时间：28ns
封装(zhuang)形式：TO-220、TO-220F
 |
KNX6650A |
| 产品编(bian)号(hao) | KNX6650A 15A/500V |
| 产品特征 |
专(zhuan)有的新平面技术(shu) RDS(ON),typ. =0.33 Ω@VGS =10V 低门电荷最(zui)小化开关损耗 快速恢复体二极管 |
| 产品(pin)工艺 |
增强型硅栅功率MOSFET的(de)高电(dian)(dian)压(ya)设计(ji)，高速功率开关(guan)应用，如(ru)高效率开关(guan)电(dian)(dian)源，有源基(ji)于半桥拓扑结(jie)构的(de)功率因数校正电(dian)(dian)子镇流器(qi) |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF文件 | 总7页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
关注「KIA半导体」，做优秀工程师！
长按二维码识别关注
阅读原文可一键关注+技术总汇
