KIA原厂家mos场效应管 KIA50N03 N沟道 50A /30V PDF文件下载-KIA官网
信息来源：本站(zhan) 日期：2018-03-14
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
先进沟槽加工技术
超低电阻(zu)高密度(du)电池设计
充分(fen)表征雪(xue)崩(beng)电压和(he)电流
产品型(xing)号(hao)：KIA50N03
工作方(fang)式：50A/30V
漏(lou)源电压(ya)：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续(xu)：50A
脉冲漏(lou)极电流：200A
耗散功率(lv)：60W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压(ya)：30V
栅(zha)极阈(yu)值电压：1V
输入电容(rong)：1180PF
输出电容：270PF
上(shang)升时间：6ns
封装形式：TO-251、252/220
 |
KIA50N03 |
| 产品编号 | KIA50N03 50A/30V |
| 产品特征 |
先进沟(gou)槽加(jia)工技术 超(chao)低电(dian)阻高密(mi)度电(dian)池设计(ji) 充分表征雪崩电压(ya)和电流 |
| 封装形式 |
TO-251、252、220 |
| PDF文件 |
 【直接在线(xian)预(yu)览(lan)】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF文件 | 总3页 |
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