login_百事娱乐「一家专注的游戏平台」KIA原厂家 KIA23P10A P沟道 -23A /-100V PDF文件下载-KIA官网

KIA原厂(chang)家(jia) KIA23P10A P沟道 -23A /-100V PDF文(wen)件下载(zai)-KIA官网(wang)

信息来源：本站　日(ri)期：2018-03-12　

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KIA23P10A采用先进的(de)沟槽MOSFET技术，提供优良的(de)R DS（上）和门在各种其他应用中使用的(de)电荷。的(de)kia23p10a符(fu)合ROHS和格林100% EAS产品的(de)要求，保(bao)证全功能可靠性的(de)批(pi)准

RDS（ON）= 78m?（典(dian)型值）@ V GS = 10v

100% EAS保(bao)障

绿色的可用设备

超低栅(zha)电荷

优良的CDV / dt效应递减

先进的高(gao)密度(du)沟槽技术

产(chan)品型号：KIA23P10A

工作方式：-23A/-100V

漏源电压：-100V

栅(zha)源电压：±20V

漏电(dian)流连续：-23A

脉冲漏(lou)极电流(liu)：-75A

雪崩电流：18.9A

雪崩能量：157.2mJ

耗散功率(lv)：96W

热电阻：62℃/W

漏(lou)源击穿电压(ya)：-100V

温度(du)系数：-0.022V/℃

栅极阈值电压：-1.2V

输入电容：3029PF

输出(chu)电容：129PF

上升时间(jian)：53.6ns

封(feng)装形(xing)式：TO-252

	KIA23P10A
产品编号	KIA23P10A -23A/-100V
适用范围	主要用于在无线的其他应用程序的各种栅极电荷。kia23p10a符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性的批准。
产品特征	RDS（ON）= 78m?（典型(xing)值）@ V GS = 10v 100% EAS保障(zhang) 绿色的可用设备(bei) 超低栅电荷(he) 优良(liang)的(de)CDV / dt效应递减先进的(de)高密度沟(gou)槽技术
封装形式	TO-252
PDF文件	【直接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDF总页数	总4页