MOS管构成的(de)存储矩阵-ROM与RAM重点分析-KIA MOS管
信(xin)息来源(yuan):本(ben)站 日期(qi):2018-02-28
半导(dao)体(ti)存(cun)(cun)(cun)储(chu)器是一种能(neng)存(cun)(cun)(cun)储(chu)大量二值(zhi)信息的(de)半导(dao)体(ti)器件。按存(cun)(cun)(cun)储(chu)功能(neng)可分(fen)为只读存(cun)(cun)(cun)储(chu)器(ROM)和随(sui)机存(cun)(cun)(cun)储(chu)器(RAM)
只(zhi)读(du)存储(chu)器按写入方式一(yi)般分为三种(zhong):固定内(nei)容ROM、可(ke)编程ROM和(he)可(ke)擦除型的EPROM
ROM的基(ji)本结构如图(tu)所示
地址译(yi)码器相当(dang)于(yu)最小项译(yi)码器。而存储单元是由N沟道增(zeng)强(qiang)型MOS管(guan)构成的(de),可以理解为有MOS管(guan)存在,则其单元内存储的(de)信息为1。
地址译码(ma)器相当于“与逻辑矩(ju)(ju)阵(zhen)(zhen)”,ROM 存储(chu)矩(ju)(ju)阵(zhen)(zhen)相当于“或逻辑矩(ju)(ju)阵(zhen)(zhen)”,整(zheng)个(ge)存储(chu)器是一个(ge)“与或”矩(ju)(ju)阵(zhen)(zhen)。一般情(qing)况下,“与矩(ju)(ju)阵(zhen)(zhen)”是不可(ke)(ke)编程,而“或矩(ju)(ju)阵(zhen)(zhen)”是可(ke)(ke)编程的。
若ROM有n条地址线,m条位(wei)线,则ROM矩阵的存储容量等(deng)于(yu)2n×m。
简(jian)单了(le)解掩模ROM、PROM、EPROM、E2PROM和快闪存储(chu)器(qi)(Flash Memory)的功能(neng),不做重点。
EEPROM典(dian)型(xing)芯片2864A的(de)芯片引脚如图(tu)所示(shi)
A0~A12为(wei)(wei)地址译码输(shu)入端(duan),I/O0~I/O7为(wei)(wei)8位数据输(shu)入输(shu)出端(duan),CE为(wei)(wei)片(pian)选(xuan)端(duan),为(wei)(wei)写使能端(duan),为(wei)(wei)读使能端(duan)。2864A共有(you)213条(tiao)字线(xian)(xian),8条(tiao)位线(xian)(xian),其 存(cun)储容量为(wei)(wei)213×8bit(8K byte)。
EEPROM 2864的(de)工作方式如图所示
此外(wai)Flash Memory芯片的(de)引脚图和工作方(fang)式也要理(li)解掌握(wo)。
RAM按工(gong)作原理分为静态随(sui)机(ji)存储器SRAM和动态随(sui)机(ji)存储器DRAM。
1、ROM的(de)基本结构和工作(zuo)原理
ROM的基本结构(gou)和工作方式如图(tu)所(suo)示
SRAM和DRAM的结(jie)构和功能对(dui)比
SRAM:以触发器(qi)为(wei)基(ji)本(ben)存储单元(yuan),所以只要(yao)不掉电,其所存信息(xi)就不会丢失。该(gai)类(lei)芯片的集成度不如DRAM, 功耗也(ye)比DRAM高(gao),但它(ta)的速度比DRAM快(kuai),也(ye)不需要(yao)刷新电路(lu)。一(yi)般用于构成高(gao)速缓冲存储器(qi) 。
DRAM:一般用(yong)MOS型(xing)动态(tai)存(cun)储单元构(gou)成,结(jie)构(gou)简单,集成度高。但是,如果(guo)不及(ji)时(shi)进行刷新(xin),极(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)容(rong)中的电(dian)(dian)(dian) 荷会在很短时(shi)间(jian)内(nei)自(zi)然泄漏,致使(shi)信息丢失。所以,必须(xu)为它(ta)配(pei)备(bei)专门的刷新(xin)电(dian)(dian)(dian)路。
2、DRAM的(de)刷新方式有(you)三种,了(le)解就(jiu)好,不做重点。
61LV25616芯片的引脚图和功(gong)能表(biao)如(ru)图所(suo)示
地址线(xian)为18根A0~A17,I/O0~I/O15为16位写入/读出(chu)数据线(xian),其容量为218×16 bit=256k×16 bit
1、 位数的扩展
适用于每片RAM或ROM字数够用而位数不够时。
接法:将各片对应的地址线、片选端(duan)(duan)、读写控制端(duan)(duan)分别接在一起,各片的数据输出端(duan)(duan)并(bing)行使用即可。
例:用2片2114(1024×4bit)RAM构成(cheng)1024×8bit的RAM
2、数够用而字数不够时
接(jie)法(fa):将各片对应的地(di)址(zhi)线、读写控制端和数据(ju)输出(chu)端分别接(jie)在(zai)一起,各片的片选信号由附(fu)加地(di)址(zhi)位译出(chu)。
例: 用2片2114(1024×4bit)RAM构成(cheng)2048×4bit的RAM
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