解(jie)析(xi)场效应(ying)管实用电路图-电路分析(xi)-KIA MOS管
信息来源:本站 日期:2018-02-27
场(chang)效(xiao)应管(guan)的应用很广(guang),能够用于调制、放大、阻抗变(bian)换、稳流、限流和自动维护等电路(lu)中,下面以结场(chang)型场(chang)效(xiao)应管(guan)为例,扼(e)要引见几种(zhong)常(chang)用的应用电路(lu)。
一、直(zhi)流小信号
调(diao)制(zhi)电路在仪表中(zhong)经常遇到直(zhi)流信号放(fang)大的问题,普(pu)通采用(yong)大闭环(huan)负反(fan)应和将直(zhi)流信号调(diao)制(zhi)成交流信号再停止(zhi)交放(fang)逐大的办(ban)法,如图(tu)一所示,这种办(ban)法能够克制(zhi)温度(du)漂移和进(jin)步线性精度(du),并(bing)能取得高(gao)放(fang)大倍(bei)数。图(tu)二是详细电路
图二中,VT1、VT2工作在可变电(dian)阻(zu)区,D1、D2是(shi)避免栅压(ya)为(wei)正(zheng),这样(yang)能够消弭(mi)调(diao)制噪音。3kΩ电(dian)阻(zu)和50μF电(dian)容(rong)为(wei)输入滤(lv)波用。
用频(pin)率为(wei)1000HZ、幅值为(wei)7V的(de)(de)(de)方(fang)(fang)波电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)U1、U2作为(wei)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya),此两电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)外形相(xiang)(xiang)同,相(xiang)(xiang)位(wei)相(xiang)(xiang)反(fan),经(jing)(jing)(jing)VD1、VD2削去正半(ban)波后分别加在VT1、VT2的(de)(de)(de)删极(ji),使VT1、VT2轮番导通(tong)、夹(jia)断,就仿佛并串联的(de)(de)(de)单刀双(shuang)掷开关一样,VT1导通(tong)时(shi)VT2夹(jia)断,输入电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)U入向0.1μF电(dian)(dian)(dian)容(rong)充电(dian)(dian)(dian);VT2导通(tong)时(shi)VT1夹(jia)断,0.1μF电(dian)(dian)(dian)容(rong)经(jing)(jing)(jing)过VT2向R放(fang)电(dian)(dian)(dian),而R上有反(fan)应电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)U反(fan),正好与放(fang)电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)流方(fang)(fang)向相(xiang)(xiang)反(fan),故到达U入与U反(fan)相(xiang)(xiang)减的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。能够看出(chu),经(jing)(jing)(jing)0.1μF电(dian)(dian)(dian)容(rong)输出(chu)的(de)(de)(de)调制电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)U调为(wei)频(pin)率与U1、U2频(pin)率相(xiang)(xiang)同的(de)(de)(de)交变(bian)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)。
这种调制(zhi)电(dian)路(lu)比(bi)绝(jue)缘栅场效应(ying)管(guan)调制(zhi)电(dian)路(lu)焊接(jie)调整(zheng)便当,工作牢靠,比(bi)晶体管(guan)调制(zhi)电(dian)路(lu)噪音小、漂移(yi)小、调整(zheng)简单。留意R值不(bu)可太大,普通应(ying)在100kΩ以内。
二(er)、 替代限(xian)流(liu)电阻
普(pu)通用(yong)稳(wen)(wen)压(ya)管(guan)(guan)稳(wen)(wen)压(ya)的(de)电路(lu)如(ru)图a所(suo)示,R为限(xian)流(liu)电阻,现(xian)用(yong)一只结场(chang)(chang)(chang)型(xing)场(chang)(chang)(chang)效应管(guan)(guan)替(ti)代,如(ru)图b所(suo)示。它(ta)是零栅压(ya)工作(zuo),由场(chang)(chang)(chang)效应管(guan)(guan)的(de)输出特性曲线(xian)可(ke)知,当UDS降落时IDS变(bian)化并不多(duo),因而,仍(reng)能保(bao)证(zheng)稳(wen)(wen)压(ya)管(guan)(guan)的(de)工作(zuo)电流(liu)不变(bian),所(suo)以稳(wen)(wen)压(ya)精度进步(bu),另外,采(cai)用(yong)场(chang)(chang)(chang)效应管(guan)(guan)后(hou),它(ta)允许电源变(bian)动范(fan)围也(ye)比采(cai)用(yong)限(xian)流(liu)电阻的(de)稳(wen)(wen)压(ya)电路(lu)大得多(duo)。
三、 限流器
在(zai)上图所示的稳(wen)压(ya)电路中(zhong),结(jie)场型场效(xiao)应(ying)管工(gong)作(zuo)在(zai)饱和区,而用于(yu)限(xian)流(liu)器时(shi)则(ze)有所不同,详(xiang)细电路如下图所示。结(jie)场型场效(xiao)应(ying)管是工(gong)作(zuo)在(zai)负栅压(ya)状况下,栅源电压(ya)值为-I入(ru)R。当I入(ru)小时(shi)它(ta)(ta)工(gong)作(zuo)在(zai)可变电阻(zu)区,漏源电阻(zu)RDS较小,不影响(xiang)电流(liu)输出;当I入(ru)增(zeng)大(da)到一(yi)定的数值时(shi),它(ta)(ta)工(gong)作(zuo)在(zai)饱和区,这(zhei)时(shi)I入(ru)增(zeng)加很少,UDS就要(yao)增(zeng)大(da)很多(duo),RDS就仿佛一(yi)个(ge)阻(zu)值很大(da)的可调电阻(zu),对I入(ru)起了限(xian)流(liu)的作(zuo)用。
管型及参(can)数(shu)选(xuan)择应分离(li)详细(xi)状况而定,如I入为(wei)0mA~15mA(直流),RL为(wei)0kΩ~3kΩ,请求限流在(zai)(zai)12mA左右(you),则可选(xuan)用3DJ7J(加散热片),R在(zai)(zai)240Ω左右(you)。调整R值(zhi)可改动限流数(shu)值(zhi)。
下面说说几个(ge)经常用到电路:
1:pmos应用
普通用于(yu)管理电(dian)源(yuan)的通断(duan),属于(yu)无触点开关,栅(zha)极低电(dian)平(ping)就(jiu)完(wan)整导通,高(gao)电(dian)平(ping)就(jiu)完(wan)整截止。而且,栅(zha)极能够(gou)加高(gao)过电(dian)源(yuan)的电(dian)压,意味着能够(gou)用5v信号管理3v电(dian)源(yuan)的开关,这个(ge)原理也用于(yu)电(dian)平(ping)转换(huan)。
2:nmos管(guan)应用
普通用(yong)于(yu)管理某电(dian)(dian)路能(neng)(neng)否接地(di),属(shu)于(yu)无触点开(kai)关,栅(zha)(zha)极高电(dian)(dian)平(ping)(ping)就导通招致(zhi)接地(di),低电(dian)(dian)平(ping)(ping)截止。当然(ran)栅(zha)(zha)极也(ye)能(neng)(neng)够用(yong)负电(dian)(dian)压截止,但这个益处(chu)没什么意(yi)义。其高电(dian)(dian)平(ping)(ping)能(neng)(neng)够高过被控制局部的电(dian)(dian)源,由于(yu)栅(zha)(zha)极是(shi)隔离的。因而能(neng)(neng)够用(yong)5v信号控制3v系统的某处(chu)能(neng)(neng)否接地(di),这个原理也(ye)用(yong)于(yu)电(dian)(dian)平(ping)(ping)转换。
3:放大(da)区应用
工作于(yu)放大区,普通(tong)用来设计反(fan)(fan)应(ying)(ying)电路,需求的专业学问比拟多,相似运放,这里无(wu)法细说。常用做镜像(xiang)电流源、电流反(fan)(fan)应(ying)(ying)、电压反(fan)(fan)应(ying)(ying)等。至于(yu)运放的集(ji)成应(ying)(ying)用,我们其实不(bu)(bu)用关(guan)注。人家都做好了(le),看好datasheet就能够了(le),不(bu)(bu)用按mos管方式去思索导通(tong)电阻和寄生电容。
结(jie)论:
如今的(de)(de)(de)(de)(de)高清、液晶(jing)(jing)、等(deng)离(li)子电(dian)视机(ji)中开关电(dian)源局部除了采用(yong)了PFC技术外(wai),在(zai)元(yuan)器件上的(de)(de)(de)(de)(de)开关管(guan)(guan)均采用(yong)性能优良的(de)(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)(guan)取代过去的(de)(de)(de)(de)(de)大功(gong)(gong)率晶(jing)(jing)体(ti)三(san)(san)极(ji)管(guan)(guan),使整机(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)效(xiao)率、牢靠(kao)性、毛(mao)病(bing)率均大幅的(de)(de)(de)(de)(de)降落。由于MOS管(guan)(guan)和大功(gong)(gong)率晶(jing)(jing)体(ti)三(san)(san)极(ji)管(guan)(guan)在(zai)构造(zao)、特性有(you)着实质上的(de)(de)(de)(de)(de)区(qu)别,在(zai)应用(yong)上;驱动电(dian)路(lu)也比晶(jing)(jing)体(ti)三(san)(san)极(ji)管(guan)(guan)复杂,致使维修(xiu)人(ren)员对电(dian)路(lu)、毛(mao)病(bing)的(de)(de)(de)(de)(de)剖(pou)析倍感艰难,此(ci)文即针对这一问题,把MOS管(guan)(guan)及(ji)其应用(yong)电(dian)路(lu)作简单引(yin)见,以满(man)足维修(xiu)人(ren)员需求。
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