场(chang)效(xiao)应管测量-场(chang)效(xiao)应管的测量与方法图解-KIA 官网
信息来源：本站 日期(qi)：2018-02-26
场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)英(ying)文(wen)缩写为(wei)FET。可分为(wei)结型场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(JFET)和绝(jue)缘(yuan)栅型场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(MOSFET)，我(wo)们平(ping)常(chang)简称为(wei)MOS管(guan)(guan)。而MOS管(guan)(guan)又(you)可分为(wei)增强(qiang)型和耗尽型而我(wo)们平(ping)常(chang)主板中常(chang)见使用的(de)(de)也就是增强(qiang)型的(de)(de)MOS管(guan)(guan)。
下图为MOS管的(de)标识
我们主板中常用的(de)MOS管(guan)G、D、S三个引脚是固定的(de)。不(bu)管(guan)是N沟道还是P沟道都(dou)一(yi)样。把芯(xin)片放正。从(cong)左到右分别(bie)为G极D极S极！如(ru)下(xia)图(tu)：
用二(er)极管档对MOS管的测量。首(shou)先要(yao)短接(jie)三(san)只引脚(jiao)对管子进行放电
1、然后用(yong)红表笔接(jie)S极.黑(hei)表笔接(jie)D极.如果(guo)测得(de)有500多的(de)数值，说(shuo)明(ming)此管(guan)为N沟道(dao)
2、黑笔不(bu)动，用(yong)红笔去接触G极测得数(shu)值为1
3、红笔(bi)移回(hui)到S极.此时管(guan)子应该为导通(tong)
4、然后红笔测(ce)(ce)D极(ji)(ji).而黑(hei)笔测(ce)(ce)S极(ji)(ji).应该测(ce)(ce)得(de)数值为1.(这(zhei)一(yi)步时(shi)要(yao)注意.因为之(zhi)前测(ce)(ce)量时(shi)给了G极(ji)(ji)2.5V万用表的(de)电压(ya)..所以DS之(zhi)间还是(shi)导通(tong)的(de)，不过大概10几秒后才(cai)恢复正常，建(jian)议进行这(zhei)一(yi)步时(shi)再次短接三(san)脚给管子(zi)放电先)
5、然后红(hong)笔(bi)(bi)不(bu)动.黑笔(bi)(bi)去测G极(ji)..数值应该(gai)为1
到此我们(men)可以判定(ding)此N沟(gou)道场(chang)管(guan)为(wei)正(zheng)常
有的(de)人说(shuo)后面两步可(ke)以省略不测...不过(guo)有些习惯性(xing)把五个步骤全用上。当然(ran)，对然(ran)P沟(gou)道的(de)测量步骤也一(yi)样。只不过(guo)第(di)一(yi)步为黑表笔测S极.红表笔测D极，可(ke)以测得(de)500多的(de)数值。
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