KIA16N50参数指标

这(zhei)种功率MOSFET是使用起(qi)亚先(xian)(xian)进的(de)平面条纹(wen)DMOS技(ji)术(shu)生产的(de)。这种先(xian)(xian)进的(de)技(ji)术(shu)经过特别(bie)定制，可最大限度地降低(di)导通电阻，提供卓(zhuo)越的(de)开(kai)关性能，并在雪崩和(he)换向模(mo)式下承受高能量脉(mai)冲。这些(xie)器件非常(chang)适合于高效率(lv)开关(guan)模式电(dian)源(yuan)、基(ji)于半桥拓扑。

特征(zheng)

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低(di)栅极电荷(典(dian)型45nC )

快速切换能力(li)

雪崩能量(liang)

改进的数字电视/数字电视能(neng)力

参数

产品型号：KIA16N50

工作方式：16A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

漏电流连续：16A

脉冲漏极电流(liu)：64A

雪崩能量：853mJ

耗散功(gong)率(lv)：38.5W

热电阻：62.5℃/W

漏(lou)源击穿电压：500V

温度系数：0.6V/℃

栅极阈值电压(ya)：3.0V

输入(ru)电容：2200PF

输出电容：350PF

上(shang)升(sheng)时间：170 ns

封装形式：TO-247、TO-220F、TO-3P

	KIA16N50/HF/HH/HM
产品(pin)编号	KIA16N50（16A 500V）
FET极性	N沟(gou)道(dao)MOSFET
产品工艺	功(gong)率MOSFET是使(shi)用起亚先(xian)进(jin)的(de)平(ping)面(mian)条纹(wen)DMOS技术(shu)(shu)生产的(de)。这种先(xian)进(jin)的(de)技术(shu)(shu)经过特(te)别定(ding)制，可最大限度地降(jiang)低导通(tong)电(dian)阻(zu)，提供卓越(yue)的(de)开关性(xing)能，并在雪崩和换向模式(shi)下(xia)承受高(gao)能量脉(mai)冲。
产品特征	RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V 低(di)栅极电荷(典型45nC ) 快(kuai)速切换(huan)能力雪崩能量改进的数字电视/数字电视能力
适用范围	主要适用于高效率(lv)开关模式电源、基于半(ban)桥拓(tuo)扑(pu)
封装形式	TO-220F、TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接(jie)在线(xian)预览】
LOGO
厂(chang)家	KIA原(yuan)厂家(jia)
网(wang)址	www.shkegan.com
PDF页(ye)总数	总6页