KIA6035参数指标

这(zhei)(zhei)是功率MOSFET采用(yong)(yong)起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这(zhei)(zhei)先进的技术已特(te)别定制，以尽(jin)量(liang)减(jian)少对国家的阻力，提供(gong)优越的。开关性能(neng)，在雪崩和换相模式下(xia)承受高能(neng)量(liang)脉(mai)冲。这(zhei)(zhei)些器(qi)件非常适(shi)用(yong)(yong)于(yu)高效(xiao)率开关电源(yuan)，有(you)源(yuan)功率因(yin)数校正。基于(yu)半桥(qiao)拓扑。

特征

RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅(zha)极电荷（典型的15nc）

高耐用性

快(kuai)速切换的(de)能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

参数

产品型号：KIA6035

工作(zuo)方式：11A/350V

漏源电压：350V

栅源电压：±20V

漏电(dian)流连续：11A

脉(mai)冲漏极(ji)电(dian)流(liu)：36A

雪崩电流：9.91mJ

雪崩能(neng)量：423mJ

耗(hao)散功率：99W

热电阻(zu)：62.5℃/W

漏(lou)源击穿电压：350V

温度(du)系数(shu)：0.35V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容(rong)：844 PF

输(shu)出电(dian)容：162 PF

上升时间：23.5 ns

封装形式(shi)：TO-252、TO-220

	KIA6035/AD/AP
产品编号	KIA6035(11A 350V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	这是(shi)功率MOSFET采用起亚(ya)`平(ping)面条形DMOS工艺生(sheng)产的先(xian)进(jin)。这先(xian)进(jin)的技术已特别定(ding)制，以尽(jin)量减少对国家的阻力，提供(gong)优越的。开关性能，在雪(xue)崩和换相(xiang)模式(shi)下承受高能量脉冲。
产品特征	RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低(di)栅(zha)极(ji)电荷（典型的(de)15nc）高耐用性快速切换的能力(li) 雪崩能量改进(jin)的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正，基于半桥拓扑
封装形式	TO-252、TO-220
PDF文件	【直接在线(xian)预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
PDF总页数	总5页