18N50现(xian)货供应商 KIA18N50 18A/500V KIA18N50 PDF下载 -KIA官(guan)网
信息来(lai)源:本(ben)站 日(ri)期:2018-02-02
功率MOSFET采用先(xian)进(jin)的(de)(de)(de)平面条形DMOS工艺生(sheng)产的(de)(de)(de)起亚。这先(xian)进(jin)的(de)(de)(de)技术已特(te)别定制,以尽量减少对国(guo)家(jia)的(de)(de)(de)阻力(li),提(ti)供(gong)优越的(de)(de)(de)。开关性能,在雪崩和换相(xiang)模式下(xia)承受高能量脉(mai)冲(chong)。这些器(qi)件非(fei)常(chang)适用于(yu)高(gao)效(xiao)率开关电源,有源功率因数校正。基于(yu)半桥(qiao)拓(tuo)扑。
KIA18N50特(te)征(zheng)
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V
低栅极电荷(典型的16nc)
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进(jin)的(de)dv / dt的(de)能(neng)力(li)
产(chan)品(pin)型号:KIA18N50
工作方式:18A/500V
漏(lou)源电压:500V
栅源电压:±30V
漏电流连(lian)续:18.0*A
脉冲漏极(ji)电流(liu):72A
雪(xue)崩能量:990mJ
耗(hao)散功率:38.2W
热电阻(zu):62.5℃/W
漏源(yuan)击穿(chuan)电压:500V
温度系数(shu):0.6V/℃
栅极阈(yu)值(zhi)电(dian)压(ya):3.0V
输入电(dian)容:2500 PF
输(shu)出(chu)电容:400 PF
上升(sheng)时间:190 ns
封装形式(shi):TO-220F、TO-247
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KIA18N50(18A 500V) |
产(chan)品编(bian)号(hao) | KIA18N50/HF |
FET极性 | N沟道MOSFET |
产品工艺 |
功率MOSFET采(cai)用先进(jin)的(de)平面条形(xing)DMOS工艺生产(chan)的(de)起亚(ya)。这(zhei)先进(jin)的(de)技术(shu)已特别定制,以尽量(liang)减少对国家的(de)阻力,提供优越的(de)。开关性能,在(zai)雪崩和换相模式下(xia)承受高能量(liang)脉冲(chong) |
产品特征(zheng) |
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低(di)栅极电荷(典(dian)型的16nc) 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改(gai)进(jin)的(de)(de)dv / dt的(de)(de)能力 |
适用范围(wei) |
产品(pin)主要适用于高(gao)效(xiao)率开(kai)关电(dian)源(yuan),有源(yuan)功率因数(shu)校正。基于半桥(qiao)拓扑。 |
封(feng)装(zhuang)形式 | TO-220F、TO-247 |
PDF文件(jian) |
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LOGO |
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厂家 | KIA原(yuan)厂家 |
网址 | www.kiaic.com |
PDF总页数 | 总5页(ye) |
联系方式(shi):邹(zou)先(xian)生(sheng)
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地(di)址(zhi):深(shen)圳市福田区(qu)车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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