18N50现货供应商 KIA18N50 18A/500V KIA18N50 PDF下载(zai) -KIA官网
信息来源：本(ben)站 日期：2018-02-02
功率(lv)MOSFET采用(yong)先进的(de)(de)平面条形DMOS工艺生(sheng)产的(de)(de)起亚。这先进的(de)(de)技(ji)术已特别定制，以尽量减少对国家的(de)(de)阻力(li)，提供优越的(de)(de)。开(kai)关性能，在雪崩和换相模式(shi)下承受(shou)高(gao)能量脉(mai)冲。这些器(qi)件(jian)非常适用于高效(xiao)率开关电源，有(you)源功率因数校正。基于半(ban)桥(qiao)拓扑(pu)。
KIA18N50特征
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V
低栅极电荷(he)（典型的16nc）
高耐用性
快速切换(huan)
100%雪崩测试(shi)
改进(jin)的dv / dt的能力(li)
产品型号：KIA18N50
工作方(fang)式：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏(lou)电流连续：18.0*A
脉冲漏极电流：72A
雪崩(beng)能量：990mJ
耗散功率：38.2W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
温度(du)系数：0.6V/℃
栅极(ji)阈值电压：3.0V
输(shu)入电容：2500 PF
输出电(dian)容：400 PF
上升时(shi)间：190 ns
封装形式：TO-220F、TO-247
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KIA18N50（18A 500V） |
| 产品编(bian)号(hao) | KIA18N50/HF |
| FET极(ji)性(xing) | N沟道MOSFET |
| 产(chan)品(pin)工艺 |
功率MOSFET采用先(xian)进的(de)(de)平面条形DMOS工艺生产的(de)(de)起亚。这(zhei)先(xian)进的(de)(de)技(ji)术(shu)已特别定制，以尽量(liang)减少对国家的(de)(de)阻力，提供(gong)优(you)越的(de)(de)。开关性能(neng)，在雪崩(beng)和换相模式下承受(shou)高(gao)能(neng)量(liang)脉冲 |
| 产(chan)品特征 |
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低栅极电荷（典(dian)型的16nc） 高耐用(yong)性 快速切(qie)换 100%雪崩(beng)测试 改进的(de)dv / dt的(de)能力(li) |
| 适用范(fan)围 |
产品主要适用于高效(xiao)率开关电源，有源功率因数(shu)校正(zheng)。基于半桥拓扑。 |
| 封(feng)装形式 | TO-220F、TO-247 |
| PDF文件(jian) |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.kiaic.com |
| PDF总(zong)页数 | 总(zong)5页(ye) |
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