4N65现(xian)货供应(ying)商 KIA4N65 4A/600V PDF下载(zai) 4N65参数资料-KIA 官网
信(xin)息来(lai)源：本站 日期：2018-02-02
这是(shi)功率(lv)MOSFET采用先进(jin)的(de)平面(mian)条形(xing)DMOS工艺生产的(de)起亚。这先进(jin)的(de)技术已特别(bie)定制，以尽量(liang)减少对国家的(de)阻力，提供优(you)越(yue)的(de)。开关(guan)性(xing)能，在雪崩和换(huan)相模(mo)式下承(cheng)受(shou)高能量脉冲。器件主要(yao)适(shi)用于高效率开关电源，有源功率因数校(xiao)正。基于半桥拓扑。
KIA4N65特征
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性(xing)
快(kuai)速切换(huan)
100%雪崩测试
改进的dv / dt的能力
产品型号：KIA4N65
工作方式：4A/650V
漏(lou)源电压：650V
栅源电压(ya)：±30V
漏电流连(lian)续：3.0A
脉冲(chong)漏(lou)极电(dian)流(liu)：12A
雪(xue)崩(beng)能量：210mJ
耗散(san)功率：58W
热电阻：110℃/W
漏源击穿(chuan)电(dian)压(ya)：650V
温度系数(shu)：0.65V/℃
栅(zha)极阈值电(dian)压：2.0V
输入电容：560 PF
输出电容：55 PF
上升时间：40 ns
封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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KIA4N65（4A 650V） |
| 产(chan)品编号 | KIA4N65/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产(chan)品工艺 |
功(gong)率MOSFET采用先进的(de)(de)平(ping)面条形DMOS工艺生产(chan)的(de)(de)起亚。这(zhei)先进的(de)(de)技术(shu)已特别定(ding)制(zhi)，以(yi)尽量(liang)减少对国(guo)家的(de)(de)阻力，提供优越的(de)(de)。开(kai)关性能，在雪崩和换相(xiang)模式下承受高(gao)能量(liang)脉冲 |
| 产品特(te)征 |
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低栅极电荷(he)（典型(xing)的16nc） 高耐(nai)用性 快速切换 100%雪崩测试 改进的(de)dv / dt的(de)能力(li) |
| 适用范围 |
器件(jian)主要适用于高效(xiao)率(lv)开关电源，有源功率(lv)因(yin)数校(xiao)正。基(ji)于半桥拓扑。 |
| 封装形(xing)式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文(wen)件 |
 【直(zhi)接(jie)在线预(yu)览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原(yuan)厂家 |
| 网(wang)址 | shkegan.com |
| PDF总页(ye)数 | 总6页(ye) |
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