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3710现货供应商 KIA3710 59A/100V KIA3710 PDF文件(jian)下载(zai)-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-31 

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KIA3710参(can)数

功率(lv)MOSFET的(de)设计采用沟槽布局为基(ji)础的(de)工(gong)艺。与不同来源的(de)标准零件(jian)相比,提高(gao)了性(xing)能。MOSFET在开关(guan)稳(wen)压器(qi)(qi)的设计,应(ying)用开关(guan)变换(huan)器(qi)(qi)、电机、继电器(qi)(qi)高功率(lv)和(he)低(di)栅极驱动的高功率(lv)双极开关(guan)晶体管驱动器(qi)(qi)和(he)驱动器(qi)(qi)功率(lv)。



特(te)征(zheng)

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低电阻

动态分级(ji)

175°C工作温度

快速切换

全(quan)额定雪崩


产品型号:KIA3710

工作方式:59A/100V

漏(lou)源电压:100V

栅源电压:±20V

脉冲漏极(ji)电流:240A

热(re)电阻:62℃/W

漏源击(ji)穿电压:100V

温度系(xi)数:0.10V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容(rong):2990 PF

输出电容:3000 PF

上升时(shi)间:60 ns

封装形式:TO-220、TO-263


KIA3710(59A/100V
产品(pin)编号 KIA3710/B/Z/ZP
FET极性 N沟道MOSFET
产品(pin)工艺 功率MOSFET的设(she)计采用沟槽布局为基础的工(gong)艺。与不同来源(yuan)的标(biao)准零件相比,提(ti)高(gao)了性能。
产(chan)品特征

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低电阻

动态分(fen)级

175°C工作温度

快速切换

全额定雪崩

适(shi)用范围

MOSFET在开关(guan)稳(wen)压器(qi)的设(she)计,应用开关(guan)变换器(qi)、电机、继电器(qi)高功(gong)率和低栅(zha)极驱动的高功(gong)率双极开关(guan)晶体(ti)管驱动器(qi)和驱动器(qi)功(gong)率。

封装形式 TO-220、TO-263
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厂家 KIA原(yuan)厂家
网址 shkegan.com

联系方式:邹先生(sheng)

联系电(dian)话:0755-83888366-8022

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