7N65现货供应商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件(jian)下载-KIA 官网
信息来源(yuan)：本站 日期：2018-01-31
功率MOSFET是用起亚(ya)半先进的(de)平面条形DMOS工艺生(sheng)产。这种先进的(de)技术特别适合于(yu)最小化状态电阻，提供(gong)优越性。开关性能(neng)，并承受高能(neng)量(liang)脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用(yong)于高效率(lv)开关电源，有源功率(lv)因数校正/基于半桥拓扑。
KIA7N65特征
RDS(on) =1.2@? VGS=10V
低栅极电荷（典(dian)型的29nc）
高(gao)耐用性
快(kuai)速切换(huan)
100%雪(xue)崩测试
改进的dt／dt能(neng)力(li)
产品(pin)型号(hao)：KIA7N65
工作方式：7A/650V
漏源电压：650V
栅(zha)源电压：±30V
漏(lou)电流连续(xu)：7.0A
脉冲漏(lou)极电流：28A
雪(xue)崩能量(liang)：230mJ
耗散功率：147W
热电(dian)阻：62.5℃/W
漏源击穿电(dian)压：650V
温度系数(shu)：0.7V/℃
栅极阈(yu)值电压：2.0V
输入电(dian)容(rong)：1000 PF
输(shu)出电容：110 PF
上升时间：50 ns
封装形(xing)式(shi)：TO-220、TO-220F、TO-263
 |
KIA7N65（7A/650V） |
| 产品(pin)编号 | KIA7N65/HB/HF |
| FET极性 | N沟道(dao)MOSFET |
| 产品工艺(yi) |
功(gong)率MOSFET是用起亚半先进的(de)平(ping)面条形DMOS工(gong)艺(yi)生产。这种先进的(de)技(ji)术特别适合于最(zui)小化状态电(dian)阻，提供优(you)越(yue)性(xing)。开关性(xing)能，并承受高能量脉冲在雪崩和减(jian)刑模式。非(fei)常适用于高效率(lv)开关电源，有源功率(lv)因数校(xiao)正/基于半(ban)桥拓扑。 |
| 产品特征(zheng) |
RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低栅极电荷（典型的(de)29nc） 高耐用(yong)性 快速切(qie)换 100%雪崩测试(shi) 改进的(de)dt／dt能力 |
| 适(shi)用范围(wei) |
主要适用于高效(xiao)率(lv)开关电源，有源功率(lv)因数校正/基于半桥拓扑。 |
| 封装形(xing)式 | TO-220、TO-220F、TO-263 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂(chang)家 | KIA原厂家 |
| 网(wang)址 | shkegan.com |
| PDF总页(ye)数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C座
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