7N65现货供应(ying)商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件下(xia)载-KIA 官(guan)网
信息(xi)来源：本站 日期：2018-01-31
功率MOSFET是用(yong)起亚半先进的(de)平(ping)面(mian)条形DMOS工艺生产。这(zhei)种先进的(de)技术特别(bie)适合于最小化状态(tai)电阻，提供优越性。开关性能(neng)(neng)，并(bing)承受高能(neng)(neng)量脉(mai)冲在(zai)雪崩和减刑(xing)模(mo)式。非常适用于高效率开关电源，有(you)源功率因数校正/基(ji)于半(ban)桥拓扑。
KIA7N65特征
RDS(on) =1.2@? VGS=10V
低栅极电荷(he)（典型的29nc）
高(gao)耐用(yong)性
快速切(qie)换
100%雪崩测试
改进的(de)dt／dt能力(li)
产品型号：KIA7N65
工(gong)作方式：7A/650V
漏源电压：650V
栅源电(dian)压：±30V
漏电流连续：7.0A
脉(mai)冲漏极(ji)电流(liu)：28A
雪崩(beng)能量：230mJ
耗散功率：147W
热(re)电阻(zu)：62.5℃/W
漏源击(ji)穿电压：650V
温度系(xi)数：0.7V/℃
栅极阈值电(dian)压：2.0V
输入电(dian)容：1000 PF
输出电(dian)容(rong)：110 PF
上升时间：50 ns
封装(zhuang)形(xing)式：TO-220、TO-220F、TO-263
 |
KIA7N65（7A/650V） |
| 产品编号 | KIA7N65/HB/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺(yi) |
功率MOSFET是用(yong)起亚半先进(jin)(jin)的平面条形DMOS工艺生产(chan)。这种先进(jin)(jin)的技术(shu)特别适合于(yu)最(zui)小化状态(tai)电阻，提供(gong)优越性。开(kai)关性能，并承受(shou)高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高(gao)效率开(kai)关电源(yuan)，有源(yuan)功率因数校正/基于半桥拓扑(pu)。 |
| 产品(pin)特征 |
RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低栅极(ji)电荷（典型的29nc） 高(gao)耐(nai)用性 快速切换 100%雪(xue)崩测(ce)试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围(wei) |
主要适用于高效率(lv)开关电源(yuan)，有源(yuan)功率(lv)因数校正/基于半(ban)桥拓(tuo)扑。 |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F、TO-263 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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