7N80现(xian)货供(gong)应商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下载(zai) -KIA 官(guan)网
信息来源：本站 日期：2018-01-30
KIA7N80参数
功率MOSFET采用(yong)SL半平面条形DMOS工(gong)艺生(sheng)产的先进。这先进的技(ji)术(shu)已特别定制，以(yi)尽量减(jian)少对(dui)国家的阻力，提供优越(yue)的。
开关性能(neng)(neng)，并(bing)承受高能(neng)(neng)量脉冲在雪崩和(he)减刑模式。器件非常适合高效率开(kai)关(guan)模式电源，有源功(gong)率因数校正基于(yu)半桥拓扑(pu)。
KIA7N80特征
RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V
低栅(zha)极电荷（典型的27nc）
高耐(nai)用性
快速切(qie)换
100%雪(xue)崩测试
改进的dt／dt能力
产品型(xing)号：KIA7N80
工(gong)作方式：7A/800V
漏源电(dian)压：800V
栅源(yuan)电压：±30V
漏电(dian)流连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗(hao)散功率：167W
热电阻：62.5℃/W
漏源(yuan)击穿(chuan)电压(ya)：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈(yu)值电压：3.0V
输入电容：1300 PF
输出(chu)电容：120 PF
上(shang)升(sheng)时(shi)间：100 ns
封(feng)装形式(shi)：TO-220、TO-220F
 |
KIA7N80（7A/800V） |
| 产(chan)品编号 | KIA7N80/HF |
| FET极性(xing) | N沟道(dao)MOSFET |
| 产品工(gong)艺 |
功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产(chan)的(de)先(xian)进。这先(xian)进的(de)技(ji)术已特别定(ding)制(zhi)，以尽量(liang)减少对国家(jia)的(de)阻力，提供(gong)优越的(de)。开(kai)关性能，并承(cheng)受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 |
| 产品(pin)特征 |
RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的(de)27nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改(gai)进的dt／dt能力 |
| 适用(yong)范围 |
主要适用(yong)于高效率开关模式电(dian)源，有源功率因数校(xiao)正基于半桥拓(tuo)扑 |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总6页 |
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