9N90现货供(gong)应商 KIA9N90 PDF文(wen)件9N90 9A/900 参数(shu)资料-KIA 官网
信息来源：本(ben)站(zhan) 日(ri)期：2018-01-28
N沟道增(zeng)强型功率场效应晶体(ti)(ti)管是使用(yong)半(ban)导体(ti)(ti)专有的(de)(de)，平面条形DMOS技(ji)(ji)术，这(zhei)种先进的(de)(de)技(ji)(ji)术已(yi)特别量(liang)身定制，以尽量(liang)减少对(dui)国家的(de)(de)阻力，提供优越的(de)(de)开关性能，并承受(shou)高雪崩和换相(xiang)模式下的(de)(de)能量(liang)脉冲。这些设备非常适合高效率(lv)。开(kai)关(guan)电(dian)源，有源功率(lv)因数校正，半桥式(shi)电(dian)子(zi)镇流器(qi)拓扑。
特点
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V
低(di)栅电荷（典型(xing)的70数(shu)控）
Low Crss（典型(xing)的14pf）
快速切(qie)换
100%雪(xue)崩测试
改进的dt／dt能力(li)
符合RoHS
产品型号：KIA9N90
工作方式：9A/900V
漏源电压：900V
栅源电压：±30V
漏电流连续(xu)：9.0A
脉冲漏极(ji)电流：36A
雪(xue)崩(beng)能量：900mJ
耗散功率：280W
热电阻：40℃/W
漏源(yuan)击穿电(dian)压：900V
栅极阈(yu)值电压：3.0V
输入电容(rong)：2780 PF
输出电(dian)容：228 PF
上升时间：130 ns
封装形式：TO-3P、TO-247
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KIA9N90（9A/900V） |
| 产品(pin)编(bian)号 | KIA9N90/HF/Hm/SF |
| FET极性(xing) | N沟道MOSFET |
| 产品(pin)工艺 |
N沟(gou)道增(zeng)强(qiang)型功(gong)率场(chang)效(xiao)应晶(jing)体管是使用半导体专有的，平(ping)面(mian)条形DMOS技(ji)术(shu)，这种先进的技(ji)术(shu)已特别量(liang)身(shen)定制，以尽(jin)量(liang)减少对(dui)国家的阻(zu)力(li)，提(ti)供优越(yue)的开(kai)关性能，并承受高雪(xue)崩和换相(xiang)模式下的能量(liang)脉(mai)冲(chong)。 |
| 产品特性 |
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低栅电荷（典型的70数控） Low Crss（典(dian)型的14pf） 快(kuai)速切换 100%雪(xue)崩测试 改进的dt／dt能力 符合RoHS |
| 适用范围 |
主要适用于高效率。开关电源，有源功率因数校正，半桥式电子镇流器拓扑 |
| 封(feng)装形式 |
TO-3P、TO-247 |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家(jia) | KIA 原厂家(jia) |
| 网(wang)址 | shkegan.com |
| PDF页数(shu) | 总7页(ye) |
联系电话：0755-83888366-8022
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