2N60现货供应商(shang) KIA2N60中文资料(liao) PDF文件(jian) 2N60参数资料(liao)-KIA 官网
信息来源：本站(zhan) 日期：2018-01-27
KIA2N60参数
KIA2N60 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压，高速功率开关(guan)应(ying)用，如开关(guan)稳压器(qi)，开关(guan)变换器(qi)，螺线管，电机驱(qu)动器(qi)，继电器(qi)驱(qu)动程序。
KIA2N60特征
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低栅极电(dian)荷（典型9NC）
高耐用(yong)性
快速切换的(de)能力(li)
雪(xue)崩能量
改进的(de)dt／dt能力
产(chan)品型号：KIA2N60
工作方式(shi)：2A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30V
漏(lou)电流连续：2.0*A
脉冲漏极(ji)电流：8*A
雪崩(beng)能量：12mJ
耗散功率：44W
热电阻：62.5℃/W
漏(lou)源击(ji)穿电压：600V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：200 PF
输出电(dian)容：20 PF
上升(sheng)时间：25 ns
封(feng)装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
 |
KIA2N60（2A/600V） |
| 产品编号 | KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U |
| FET极(ji)性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺(yi) |
kia2n60hN沟道增(zeng)强型硅栅功(gong)率(lv)MOSFET的设(she)计高压，高速功(gong)率(lv)开(kai)关应用，如开(kai)关稳压器(qi)，开(kai)关变换器(qi)，螺线管，电机(ji)驱(qu)动(dong)器(qi)，继电器(qi)驱(qu)动(dong)程序 |
| 产(chan)品特征 |
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型9NC） 高耐用性 快速切(qie)换的能(neng)力 雪崩(beng)能量 改进的dt／dt能力(li) |
| 适用范围 |
主要适用(yong)于功(gong)率(lv)开关(guan)应(ying)用(yong)，如(ru)开关(guan)稳压(ya)器，开关(guan)变换器，螺线管(guan)，电(dian)机驱动器，继电(dian)器驱动程序 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件(jian) |
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| LOGO |
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| 厂(chang)家(jia) | KIA原厂家(jia) |
| 网(wang)址 | shkegan.com |
| PDF页数 | 总6页数 |
联系方式：邹先生
联系电话(hua)：0755-83888366-8022
手(shou)机：18123972950
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