2N60现(xian)货供应商(shang) KIA2N60中文资料(liao) PDF文件 2N60参数资料(liao)-KIA 官网
信息来源(yuan)：本站 日期(qi)：2018-01-27
KIA2N60参数
KIA2N60 N沟道增强型硅(gui)栅功(gong)(gong)率(lv)MOSFET的(de)设计(ji)高压，高速功(gong)(gong)率(lv)开(kai)(kai)关(guan)应(ying)用(yong)，如开(kai)(kai)关(guan)稳压器(qi)(qi)，开(kai)(kai)关(guan)变换器(qi)(qi)，螺线管，电机(ji)驱动(dong)器(qi)(qi)，继(ji)电器(qi)(qi)驱动(dong)程序。
KIA2N60特征(zheng)
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低栅(zha)极电荷（典(dian)型9NC）
高耐用性
快速切(qie)换的能力
雪(xue)崩能量
改进(jin)的dt／dt能力(li)
产品型(xing)号：KIA2N60
工作(zuo)方式：2A/600V
漏(lou)源电压(ya)：600V
栅源(yuan)电压：±30V
漏电流连续：2.0*A
脉冲漏极电流(liu)：8*A
雪崩能量：12mJ
耗散功率：44W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电(dian)压(ya)：600V
栅(zha)极阈值电压：2.0V
输(shu)入(ru)电容：200 PF
输(shu)出电容：20 PF
上升(sheng)时间(jian)：25 ns
封装形式(shi)：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
 |
KIA2N60（2A/600V） |
| 产品编号 | KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U |
| FET极(ji)性 | N沟(gou)道MOSFET |
| 产品(pin)工艺(yi) |
kia2n60hN沟(gou)道增强(qiang)型硅(gui)栅(zha)功率MOSFET的设(she)计高压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换(huan)器，螺线管(guan)，电机驱(qu)动(dong)器，继电器驱(qu)动(dong)程序 |
| 产品特征(zheng) |
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型9NC） 高(gao)耐(nai)用(yong)性 快速切换(huan)的能(neng)力 雪崩能量 改(gai)进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适(shi)用于功率开(kai)(kai)关应用，如开(kai)(kai)关稳压器(qi)，开(kai)(kai)关变(bian)换器(qi)，螺线管，电机驱动(dong)器(qi)，继电器(qi)驱动(dong)程序(xu) |
| 封装(zhuang)形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页数 | 总6页数 |
联(lian)系(xi)方式：邹先生
联系电话(hua)：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联(lian)系地(di)址：深圳(zhen)市福田区车(che)公庙(miao)天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体(ti)工程专辑请(qing)搜微信(xin)号:“KIA半导体(ti)”或(huo)点击本文下方(fang)图片(pian)扫一扫进入官方(fang)微信(xin)“关注”
长按二(er)维码识别关注
