40N06现货供应商 KIA40N06 PDF文(wen)件(jian)下载 40N06参数资料-KIA官(guan)网(wang)
信息来源：本站 日期：2018-01-25
特点：
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V
先进的高密(mi)度沟槽(cao)技术
超级(ji)Low Gate Charge
优(you)良的(de)CDV / dt效应递减
100% EAS保证
绿色的可用(yong)设备
应用：
MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点(dian)
网络化DC-DC电源系统
液晶/ LED背光灯
产品型号：KIA40N06
工作方式：38A、60V
漏(lou)流电(dian)压：60V
栅源电(dian)压（连续）：±20V
连(lian)续漏电流：38A
脉冲(chong)漏(lou)极(ji)电流：80A
雪崩能量(liang)：28A
热(re)电阻：62℃/W
漏源(yuan)击穿(chuan)电压(ya)：60V
温度系数：0.057
栅极阈值电压：1.2V
输(shu)入(ru)电容(rong)：2423 PF
输出电容：145 PF
上(shang)升(sheng)时间：2.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
 |
KIA 40N06(38A 60V) |
| 产品编号 | KIA40N06BD/BU |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
kia40n06b最高(gao)性(xing)能(neng)的(de)(de)沟(gou)道MOSFET与极端高(gao)细胞(bao)密(mi)度，为大多(duo)数的(de)(de)同(tong)步降压转换器，优良的(de)(de)导(dao)通电阻和(he)栅极电荷应用(yong)，kia40n06b符合ROHS环保和(he)绿色产品的(de)(de)要求，保证100% EAS全功能(neng)可靠性(xing)认(ren)证。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V 先进的高(gao)密度沟槽技术(shu) 超(chao)级(ji)Low Gate Charge 优良的CDV / dt效应(ying)递减 100% EAS保证 绿色的可用设备 |
| 适用范围 |
主要使用于MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点 网络化DC-DC电源系统 液晶/ LED背光灯 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| 网址 | www.kiaic.com |
| PDF总页数 | 总(zong)5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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