IRF3205参数

功(gong)率金(jin)属氧化物(wu)半导(dao)体场效应晶(jing)体管(guan)，利用先进的处理技术达到每个硅片(pian)极低(di)的导(dao)通阻(zu)抗。这样(yang)有益于结(jie)合(he)高(gao)(gao)速的开关(guan)和可(ke)靠使MOSFETS大量地实用设(she)备上，使设(she)计师能够非常高(gao)(gao)效，可(ke)靠的应用在各个方面。

D2Pak表(biao)面封装(zhuang)的(de)适合于小功率大(da)面积(ji)小HEX-4。它能够提(ti)供最大(da)的(de)功率输出和(he)最可能小的(de)导通阻抗在现有的(de)贴(tie)片(pian)封装(zhuang)。

D2Pak适合与大电流(liu)应(ying)用(yong)场合，是(shi)因为它有低的(de)内(nei)部(bu)连接阻抗和具有2W的(de)散热能力(li)，是(shi)典(dian)型的(de)贴(tie)片封装应(ying)用(yong)。

IRF3205特征

先(xian)进的加工技(ji)术

极(ji)低的导通(tong)阻抗

动态的dv/dt等级

175℃运行(xing)温度

充分的(de)雪崩等(deng)级

IRF3205参(can)数(shu)

漏极电流（连续）：110 A

脉冲漏极电流：390A

功率消散(san) ：200W

线性额定降低(di)因(yin)数：1.3 W/℃

门极(ji)电压：±20

雪崩电流：62A

重复雪崩能量：20 mJ dv/dt

二极(ji)管恢复峰值电(dian)压变化率：5.0 V/nS

工(gong)作(zuo)节点(dian)温度(du)和(he)保存温度(du)： -55（to） +175℃

焊接温度，在10秒(miao)内：300（假设为1.6mm）℃

MOSFET选型指标

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF610	200	3.3	1.5	8.2
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRF024	55	162	4	160
IRF630	200	9.5	300	23.3
IRf1404	40	162	4	160