KIA13N50 N沟(gou)道(dao)增强(qiang)型硅栅(zha)功率(lv)MOSFET是(shi)专(zhuan)为高(gao)电(dian)(dian)(dian)压，高(gao)速功率(lv)开关应用，如(ru)高(gao)效率(lv)开关电(dian)(dian)(dian)源，基于半桥拓扑结构(gou)的有源功率(lv)因数(shu)校正电(dian)(dian)(dian)子(zi)镇(zhen)流器。

产品编号：KIA13N50

漏极(ji)至源极(ji)电压（VDSS）：500V

栅(zha)源电压(ya)（VGSS）：±30V

漏极电流（连(lian)续）（lD）：13A

耗散(san)功率（PD）：195W

工(gong)作(zuo)温度：±150℃

击穿电(dian)压温度：0.5/℃

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升(sheng)时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω

RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷（典型(xing)的(de)45nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进(jin)的(de)dt／dt能(neng)力

	13N50（13A 500V）
产品(pin)编(bian)号(hao)	KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
沟(gou)道	MOSFET N沟道
封装形(xing)式	TO-220、TO220F、TO-263
产品工艺	13N50 N沟道增强型(xing)硅(gui)栅功率(lv)MOSFET是专为高电(dian)(dian)压，高速功率(lv)开关(guan)应(ying)用(yong)，如高效(xiao)率(lv)开关(guan)电(dian)(dian)源，基于(yu)半(ban)桥拓扑(pu)结构的有源功率(lv)因数(shu)校正电(dian)(dian)子镇(zhen)流器
产(chan)品特征(zheng)	RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的(de)45nc）快速(su)切(qie)换的(de)能力雪崩(beng)能量改(gai)进的(de)dt／dt能力
适用范围	主要适(shi)用(yong)于高电(dian)压，高速功率开关应用(yong)，如高效率开关电(dian)源，基于半桥(qiao)拓扑结构的有源功率因数校正电(dian)子镇流器
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厂家(jia)	KIA 原厂家
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网址	shkegan.com
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