13N50现货供应商(shang) KIA13N50 PDF 13N50参数详(xiang)细资料(liao)-KIA 官网
信息来(lai)源：本站(zhan) 日期：2018-01-19
产品编号：KIA13N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅(zha)源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作温度：±150℃
击(ji)穿(chuan)电压温度：0.5/℃
输入(ru)电容(rong)：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升(sheng)时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的45nc）
快速切换的能力
雪崩(beng)能量
改进的(de)dt／dt能(neng)力
 |
13N50（13A 500V） |
| 产(chan)品编号(hao) | KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH |
| 沟道 | MOSFET N沟道 |
| 封(feng)装形式 | TO-220、TO220F、TO-263 |
| 产品工艺 |
13N50 N沟道增强型硅栅功(gong)率MOSFET是专为高(gao)(gao)电压(ya)，高(gao)(gao)速(su)功(gong)率开(kai)关应用，如高(gao)(gao)效率开(kai)关电源，基于半桥拓扑结构的有源功(gong)率因数(shu)校正电子镇流(liu)器 |
| 产品特征(zheng) |
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低栅(zha)极电荷(he)（典型的45nc） 快(kuai)速(su)切换的能力 雪(xue)崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高电压(ya)，高速(su)功率开关(guan)(guan)应用，如高效率开关(guan)(guan)电源，基于半桥拓扑(pu)结构(gou)的(de)有源功率因数校正电子镇流器 |
| PDF文件(jian) |
 【直接在线预(yu)览】 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| LOGO |
 |
| 网址(zhi) | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页数 |
联(lian)系(xi)方式：邹先(xian)生(sheng)
联系电话(hua)：0755-83888366-8022
手机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区(qu)车公庙天(tian)安数码城天(tian)吉大(da)厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半(ban)导体”或扫一(yi)扫下图“关注(zhu)”官方微信公众号
请“关注(zhu)”官方微信公众号:提供 MOS管(guan) 技术(shu)帮助(zhu)
相关搜(sou)索：
