KIA12N60H产品(pin)描(miao)述

KIA12n60hN沟道增强型(xing)硅栅功(gong)率MOSFET是专为高(gao)电压，高(gao)速功(gong)率开关应(ying)用，如高(gao)效(xiao)率开关电源，基于(yu)半(ban)桥拓扑(pu)结构(gou)的有源功(gong)率因数校正电子镇(zhen)流器。

2、特征

RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V

低栅极电荷(he)（典型(xing)的52nc）

快(kuai)速切换(huan)的能力(li)

雪崩能(neng)量

改进(jin)的dt／dt能力(li)

3、产品参数

漏极至源极电压（VDSS）：600

栅源电(dian)压（VGSS）：±30

漏(lou)极电流（连(lian)续）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A

耗散功(gong)率（PD）：231

工作温度(du)：±150

击穿(chuan)电压温度：0.7

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升时间(jian)：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω

4、KIA12N60H产品规格

	KIA12N50（12A 60V）
产品编(bian)号(hao)	KIA12N60/F/HF/HP
产品工(gong)艺	kia12n60hN沟道增强型硅栅功率(lv)MOSFET是专为(wei)高电(dian)(dian)压，高速功率(lv)开关应用，如高效率(lv)开关电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)，基于半桥(qiao)拓扑结构的(de)有(you)源(yuan)(yuan)功率(lv)因数校正电(dian)(dian)子镇流(liu)器(qi)。
产品特(te)征(zheng)	RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低栅极(ji)电荷（典型(xing)的(de)52nc）快速(su)切换的能力(li) 雪崩能量改进的(de)dt／dt能力
适用范围	高(gao)电压(ya)，高(gao)速(su)功率(lv)开关应用，如高(gao)效率(lv)开关电源，基于半桥拓扑结(jie)构(gou)的有源功率(lv)因数校正(zheng)电子镇(zhen)流器
封装形式	TO-220、Yo-220F
PDF文件	【直接在线预览】
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厂(chang)家	KIA 原厂(chang)家(jia)
网址	shkegan.com
PDF总页数(shu)	总(zong)7页